一种FIFO存储器和存储控制装置制造方法及图纸

技术编号:7898009 阅读:161 留言:0更新日期:2012-10-23 04:15
本发明专利技术公开了一种FIFO存储控制装置,包括:写分流控制器、两个读写控制器、和读合流控制器。本发明专利技术还公开了一种FIFO存储器,包括:FIFO存储控制装置和至少两片SRAM。本发明专利技术的有益效果在于采用以单口SRAM作为存储单元实现全速FIFO存储器,达到在使用单口SRAM时能够使FIFO存储器全速工作,使得同样的深度、同样功能的单口SRAM实现全速FIFO存储功能,有效地减小了全速FIFO存储器面积,使得单口SRAM能够应用在全速FIFO存储器中,从而能够降低大规模集成电路的面积和规模,实用性强,也由于将单口SRAM应用在全速FIFO存储器,降低FIFO存储器成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器
,尤其涉及一种先进先出(FIFO)存储器和存储控制装置,属于存储

技术介绍
FIFO (First In First Out,先进先出)存储器是一种先进先出缓存设备,可以将获得的数据预先写入FIFO存储器,再按原先的顺序全部取出提供给需要数据的设备。FIFO存储器的一个重要指标,是FIFO存储器最多能保存数据的个数,称之为深 度,对于深度较小的FIFO存储器,其存储单元采用寄存器,深度较大的FIFO存储器,其存储单兀米用SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存储器)。FIFO存储器,包括全速FIFO存储器,半速或可减速FIFO存储器。在全速FIFO存储器中,读口或者写口每个时钟周期都能操作一个数据。对于写口,如果全速FIFO存储器内还有存储空间,只要有写操作,都能写入一个数据。对于读口,如果全速FIFO存储器内的存储空间还有数据,只要读操作,都能读出一个数据。现有技术中,全速FIFO存储器,常用双口 SRAM作为全速FIFO存储器的记忆单元,但是双口 SRAM的面积较单口 SRAM大,不利于实际应用时减小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈传著张庆
申请(专利权)人:珠海全志科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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