箝位保护电路、谐振电路及变换器制造技术

本发明专利技术实施例提供一种箝位保护电路、谐振电路及变换器。其中，箝位保护电路用于对待箝位电路进行箝位保护，包括：第一箝位二极管、第二箝位二极管和箝位器件；第一箝位二极管和第二箝位二极管串联，构成桥臂；第一箝位二极管和第二箝位二极管分别与待箝位电路连接，箝位器件串接在桥臂的中间点与待箝位电路之间。本发明专利技术实施例还提供了包括本发明专利技术实施例提供的箝位保护电路的谐振电路和变换器。在本发明专利技术技术方案中，箝位保护电路通过使用一个箝位器件即可实现对对称半桥中两个谐振电容的箝位，减少了使用的箝位器件的个数，降低了箝位保护电路的成本，减少了箝位保护电路占用的空间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路技术，尤其涉及一种箝位保护电路、谐振电路及变换器。
技术介绍
电压箝位控制是目前开关电源领域，尤其是目前广泛应用的LLC谐振拓扑中非常普遍的技术。为保护LLC谐振拓扑中的谐振电容及金属氧化物半导体场效应晶体(MetalOxid Semiconductor, M0S)管不被应力损坏,必须采取电压箝位控制。目前，较为常用的通过箝位保护电路进行电压箝位控制的谐振变换器如图I所示。图I所示电路主要包括输入源10、由二极管11、箝位器件12、二极管13、箝位器件14构成的箝位电路、由谐振电容15、谐振电容16、M0S管17、M0S管18、谐振电感19、变压器20 构成的谐振电路、以及由MOS管21、M0S管22、输出电容23和输出电阻24构成的整流电路。其中，箝位电路主要是利用二极管11和二极管13分别串联箝位器件121和箝位器件14，将谐振电容15和16的电压箝位在(V1+V2+V3)与-(V4+V5)之间。其中，Vl是输入源10的电压，V2是箝位器件12上的电压，V3是二极管11上的电压，V4是二极管13上的电压，V5是箝位器件14上的电压。其中，通过调节箝位器件12和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种箝位保护电路，用于对待箝位电路进行箝位保护，其特征在于，包括第一箝位二极管、第二箝位二极管和箝位器件； 所述第一箝位二极管和所述第二箝位二极管串联，构成桥臂；所述第一箝位二极管和所述第二箝位二极管分别与所述待箝位电路连接；所述箝位器件串接在所述桥臂的中间点与所述待箝位电路之间。2.根据权利要求I所述的箝位保护电路，其特征在于，所述箝位器件为双向瞬态电压抑制二极管TVS、双齐纳二极管ZENER、压敏电阻、气体放电管和电阻电容RC并联器件其中之一或其中至少之二的并联或串联组合。3.一种谐振电路，包括箝位保护电路和对称半桥；所述箝位保护电路包括第一箝位二极管、第二箝位二极管和箝位器件，所述箝位保护电路与所述对称半桥的输入源连接并用于对所述对称半桥的第一谐振电容和第二谐振电容进行箝位保护； 其特征在于，所述第一箝位二极管和所述第二箝位二极管串联，构成桥臂；所述第一箝位二极管的阴极与所述输入源的正极相连接，所述第二箝位二极管的阳极与所述输入源的负极相连接；所述箝位器件的一端与所述桥臂的中间点连接，所述箝位器件的另一端分别与所述第一谐振电容和所述第二谐振电容的一端连接；所述第一谐振电容和所述第二谐振电容的另一端分别与所述输入源相连接。4.根据权利要求3所述的谐振电路，其特征在于，所述对称半桥为LLC对称半桥，主要由所述输入源、所述第一谐振电容、所述第二谐振电容、第一金属氧化物半导体MOS管、第二 MOS管、谐振电感和变压器构成；或者 所述对称半桥为LC对称半桥，主要由所述输入源、所述第一谐振电容、所述第二谐振电容、第一 MOS管、第二 MOS管、谐振电感和变压器构成。5.根据权利要求3或4所述的谐振电路，其特征在于，所述第一谐振电容位于所述桥臂的上桥臂，所述第一谐振电容的另一端与所述输入源的正极相连接；所述第二谐振电容位于所述桥臂的下桥臂，所述第二谐振电容的另一端与所述输入源的负极相连接。6.根据权利要求3或4所述的谐振电路，其特征在于，所述箝位器件为双向瞬态电压抑制二极管TVS、双齐纳二极管ZENER、压敏电阻、气体放电管或电阻电容RC并联器件其中之一或其中至少之二的并联或串联组合。7.一种谐振电路，包括箝位保护电路和不对称半桥； 所述箝位保护电路包括第一箝位二极管、第二箝位二极管和箝位器件，所述箝位保护电路与所述不对称半桥的输入源连接并用于对所述不对称半桥的第一谐振电容和第二谐振电容进行箝位保护； 其特征在于，所述第一箝位二极管和所述第二箝位二极管串联，构成桥臂；所述第一箝位二极管的阴极与所述输入源的正极相连接，所述第二箝位二极管的阳极与所述输入源的负极相连接；所述箝位器件的一端与所述桥臂的中间点连接，所述箝位器件的另一端与所述谐振电容或所述谐振电感的一端连接；所述谐振电容或所述谐振电感的另一端与所述输入源相连接。8.根据权利要求7所述的谐振电路，其特征在于，所述不对称半桥为LLC不对称半桥，主要由所述输入源、所述谐振电容、第一金属氧化物半导体MOS管、第二MOS管、所述谐振电感和变压器构成；或者所述不对称半桥为LC不对称半桥，主要由所述输入源、所述谐振电容、第一 MOS管、第二 MOS管、所述谐振电感和变压器构成。9.根据权利要求7或8所述的谐振电路，其特征在于，所述谐振电容或所述谐振电感位于所述桥臂的上桥臂，所述谐振电容或所述谐振电感的另一端与所述输入源的正极相连接。10.根据权利要求7或8所述的谐振电路，其特征在于，所述谐振电容或所述谐振电感位于所述桥臂的下桥臂，所述谐振电容或所述谐振电感的另一端与所述输入源的负极相连接。11.根据权利要求7或8所述的谐振电路，其特征在于，所述箝位器件为双向瞬态电压抑制二极管TVS、双齐纳二极管ZENER、压敏电阻、气体放电管或电阻电容RC并联器件其中之一或其中至少之二的并联或串联组合。12.一种变换器，包括箝位保护电路、对称半桥和整流电路； 所述箝位保护电路包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘灯海，张立，赵胜求，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：