本发明专利技术提供一种像素电路，涉及显示器件技术领域，为解决现有技术中像素电路难以实现高质量的显示的技术问题而发明专利技术。所述像素电路包括：驱动单元、开关单元、储能单元以及有机发光二极管(OLED)；所述驱动单元的第一输入端连接电源电压(VDD)，所述驱动单元的第二输入端与所述开关单元的输出端连接，所述驱动单元的输出端连接所述OLED的第一端；所述驱动单元由多晶硅晶体管组成；所述开关单元的第一输入端输入行扫描信号(SCAN)，所述开关单元的第二输入端输入数据电压(Vdata)；所述开关单元由非晶硅晶体管组成；储能单元的两端与驱动单元连接，用于存储电压；OLED的第二端接地。本发明专利技术能提高像素电路的显示质量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示器件
，尤其涉及一种像素电路。
技术介绍
采用OLED (Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)有机电致发光显示器是一种新兴的平板显示器件，由于其制备工艺简单、成本低、响应速度快、易于实现彩色显示和大屏幕显示、功耗低、容易实现和集成电路驱动器的匹配、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄且易于实现柔性显示等优点，具有广阔的应用前景。按照驱动方式的不同，OLED可以分为无源矩阵驱动(Passive Matrix OrganicLight Emission Display, PMOLED)和有源矩阵驱动(Active MatrixOrganic LightEmission Display, AM0LED)两种。无源矩阵驱动虽然工艺简单，成本较低，但因存在交叉串扰、高功耗、低寿命等缺点，不能满足高分辨率大尺寸显示的需要。相比之下，有源矩阵驱动因为在面板上加入了薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT),使得像素单元在一巾贞时间内都能够发光，所以其所需要的驱动电流小，功耗低，寿命更长，可以满足高分辨率、多灰度的大尺寸显示的需要。目前，AMOLED显示屏的驱动电路，主要有两种解决技术。一种是利用非晶硅(a-Si, Amorphous-Silicon)TFT 技术；另一种是利用多晶娃(p-Si, poly-Silicon)TFT 技术。a-Si TFT技术虽然工艺简单，成本低廉，但是其载流子的迁移率非常小(典型值通常小于lcmVVs)，无法提供足够的驱动电流；同时，非晶硅TFT只能提供N型器件，并且其稳定性在长期应力作用下也存在问题。而多晶硅TFT，由于其载流子迁移率高(典型值通常大于50cm2/Vs)，响应速度快，易于实现大面积的动态视频显示。同时，高的载流子迁移率可以利用多晶硅TFT将外围驱动电路集成在显示背板之上，大大减少了外接引线，降低了外围驱动电路的复杂性。目前，国际上普遍采用多晶硅TFT进行AMOLED背板的研究与开发。多晶硅TFT的沟道区是通过在衬底上形成非晶硅层，对非晶硅层进行再结晶从而形成多晶娃层而制备的。再结晶的方法例如可以包括准分子激光退火(Excimer LaserAnnealing,ELA)方法，顺序横向晶化(Sequential LateralSolidification, SLS)方法，金属诱导结晶(Metal Induced Crystallization,MIC)方法,或者金属诱导侧向结晶(MetalInduced Lateral Crystallization, MILC)方法。在这些方法中，MILC技术与ELA以及SLS技术相比，TFT器件的均匀性更好，更容易实现大尺寸AMOLED显示的需要，同时，利用MILC技术的成本也更为低廉。而且与MIC技术相比，MILC技术可以有效的降低沟道区残留金属的污染。目前采用MILC技术的AMOLED背板的主要瓶颈在于无法降低TFT的泄漏电流，为了保证每个像素点在一帧时间的正常显示，需要保证开关晶体管在关断时通过其的泄漏电流不会使存储电容上的电压值下降超过I个灰度级。但是，由于MILC法得到的多晶硅TFT 中仍存在少量金属残留，TFT的泄漏电流过高，制约了实现高灰度、高质量的显示。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种像素电路，能够降低开关晶体管的泄漏电流，提闻了像素电路的显不质量。为解决上述技术问题，本专利技术提供技术方案如下一种像素电路，包括驱动单元、开关单元、储能单元以及有机发光二极管；所述驱动单元的第一输入端连接电源电压，所述驱动单元的第二输入端与所述开关单元的输出端连接，所述驱动单元的输出端连接所述有机发光二极管的第一端，用于输出驱动所述有机发光二极管发光的电流信号；所述驱动单元由多晶硅晶体管组成；所述开关单元的第一输入端输入行扫描信号，所述开关单元的第二·输入端输入数据电压；所述开关单元由非晶硅晶体管组成；所述储能单元的两端与所述驱动单元连接，用于存储电压；及所述有机发光二极管的第二端接地。所述驱动单元包括多晶硅晶体管；所述驱动单元的第一输入端为所述多晶硅晶体管的第一极，所述驱动单元的第二输入端为所述多晶硅晶体管的栅极，所述驱动单元的输出端为所述多晶硅晶体管的第二极。所述开关单元包括非晶硅晶体管；所述开关单元的第一输入端为所述非晶硅晶体管的栅极；所述开关单元的第二输入端为所述非晶硅晶体管的第一极，所述开关单元的输出端为所述非晶硅晶体管的第二极。所述多晶硅晶体管的第一极为漏极，所述多晶硅晶体管的第二极为源极；或者，所述多晶硅晶体管的第二极为漏极，所述多晶硅晶体管的第一极为源极；所述非晶硅晶体管的第二极为漏极，所述非晶硅晶体管的第一极为源极；或者，所述非晶硅晶体管的第一极为漏极，所述非晶硅晶体管的第二极为源极。所述开关单元包括第一非晶硅晶体管、第二非晶硅晶体管、第三非晶硅晶体管；所述开关单元的第一输入端包括第一子输入端和第二子输入端；所述开关单元的第一子输入端为所述第一非晶硅晶体管的栅极和所述第二非晶硅晶体管的栅极，分别连接第一行扫描信号；所述开关单元的第二子输入端为所述第三非晶硅晶体管的栅极，连接第二行扫描信号;所述开关单元的第二输入端分别为所述第一非晶硅晶体管的第一极和所述第三非晶硅晶体管的第一极；所述开关单元的输出端为所述第一非晶硅晶体管的第二极；所述第三非晶硅晶体管的第二极连接所述第二非晶硅晶体管的第一极，所述第二非晶硅晶体管的第二极连接所述驱动单元的输出端。所述第一非晶硅晶体管的第一极为漏极，所述第一非晶硅晶体管的第二极为源极；或者，所述第一非晶硅晶体管的第二极为漏极，所述第一非晶硅晶体管的第一极为源极；所述第二非晶硅晶体管的第一极为漏极，所述第二非晶硅晶体管的第二极为源极；或者，所述第二非晶硅晶体管的第二极为漏极，所述第二非晶硅晶体管的第一极为源极；所述第三非晶硅晶体管的 第一极为漏极，所述第三非晶硅晶体管的第二极为源极；或者，所述第三非晶硅晶体管的第二极为漏极，所述第三非晶硅晶体管的第一极为源极。所述驱动单元包括第一多晶硅晶体管、第二多晶硅晶体管；所述开关单元包括第一非晶硅晶体管、第二非晶硅晶体管；所述驱动单元的第一输入端为所述第二多晶硅晶体管的第一极；所述驱动单元的第二输入端为所述第二多晶硅晶体管的栅极；所述驱动单元的输出端为所述第二多晶硅晶体管的第二极；所述开关单元的第一输入端为所述第一非晶硅晶体管的栅极；所述开关单元的第二输入端为所述第一非晶硅晶体管的第一极；所述开关单元的输出端为所述第二非晶硅晶体管的第二极；所述第二非晶硅晶体管的第一极与所述第一非晶硅晶体管的第一极连接；所述第二非晶硅晶体管的栅极与所述第一非晶硅晶体管的栅极连接；所述第二多晶硅晶体管的栅极与所述第一多晶硅晶体管的栅极连接，所述第二多晶硅晶体管的第一极与所述第一多晶硅晶体管的第一极连接；第一非晶硅晶体管的第二极与所述第一多晶硅晶体管的第二极连接。所述第一多晶硅晶体管的第一极为漏极，所述第一多晶硅晶体管的第二极为源极；或者，所述第一多晶硅晶体管的第二极为漏极，所述第一多晶硅晶体管的第一极为源极；所述第二多晶硅晶体管的第一极为漏极，所述第二多晶硅晶体管的第本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，包括驱动单元、开关单元、储能单元以及有机发光二极管； 所述驱动单元的第一输入端连接电源电压，所述驱动单元的第二输入端与所述开关单元的输出端连接，所述驱动单元的输出端连接所述有机发光二极管的第一端，用于输出驱动所述有机发光二极管发光的电流信号；所述驱动单元由多晶硅晶体管组成； 所述开关单元的第一输入端输入行扫描信号，所述开关单元的第二输入端输入数据电压；所述开关单元由非晶硅晶体管组成； 所述储能单元的两端与所述驱动单元连接，用于存储电压；及 所述有机发光二极管的第二端接地。2.根据权利要求I所述的像素电路，其特征在于，所述驱动单元包括多晶硅晶体管； 所述驱动单元的第一输入端为所述多晶硅晶体管的第一极，所述驱动单元的第二输入端为所述多晶硅晶体管的栅极，所述驱动单元的输出端为所述多晶硅晶体管的第二极。3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述开关单元包括非晶硅晶体管； 所述开关单元的第一输入端为所述非晶硅晶体管的栅极；所述开关单元的第二输入端为所述非晶硅晶体管的第一极，所述开关单元的输出端为所述非晶硅晶体管的第二极。4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于， 所述多晶硅晶体管的第一极为漏极，所述多晶硅晶体管的第二极为源极；或者，所述多晶硅晶体管的第二极为漏极，所述多晶硅晶体管的第一极为源极； 所述非晶硅晶体管的第二极为漏极，所述非晶硅晶体管的第一极为源极；或者，所述非晶硅晶体管的第一极为漏极，所述非晶硅晶体管的第二极为源极。5.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述开关单元包括第一非晶硅晶体管、第二非晶硅晶体管、第三非晶硅晶体管； 所述开关单元的第一输入端包括第一子输入端和第二子输入端； 所述开关单元的第一子输入端为所述第一非晶硅晶体管的栅极和所述第二非晶硅晶体管的栅极，分别连接第一行扫描信号； 所述开关单元的第二子输入端为所述第三非晶硅晶体管的栅极，连接第二行扫描信号; 所述开关单元的第二输入端分别为所述第一非晶硅晶体管的第一极和所述第三非晶硅晶体管的第一极； 所述开关单元的输出端为所述第一非晶硅晶体管的第二极； 所述第三非晶硅晶体管的第二极连接所述第二非晶硅晶体管的第一极，所述第二非晶硅晶体管的第二极连接所述驱动单元的输出端。6.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于， 所述第一非晶硅晶体管的第一极为漏极，所述第一非晶硅晶体管的第二极为源极；或者，所述第一非晶硅晶体管的第二极为漏极，所述第一非晶硅晶体管的第一极为源极；所述第二非晶硅晶体管的第一极为漏极，所述第二非晶硅晶体管的第二极为源极；或者，所述第二非晶硅晶体管的第二极为漏极，所述第二非晶硅晶体管的第一极为源极； 所述第三非晶硅晶体管的第一极为漏极，所述第三非晶硅晶体管的第二极为源极；或...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁逸南，龙春平，马占洁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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