一种显示器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种显示器及其制作方法，其中显示器包括：一第一基板；设置于所述第一基板下方且与所述第一基板平行的第一偏光片；设置于所述第一基板上方且与所述第一基板平行的第二偏光片；设置于所述第一基板与所述第二偏光片之间的第一电极和第二电极；以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间，并实现显示的具有一次电光效应的电控双折射晶体层。本发明专利技术的方案可以使显示器对光的透过率高，光学性能更加优良。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器，特别是指。
技术介绍
如图I所示，现有技术中的液晶显示器包括第一基板11、与第一基板11相对设置的第二基板12,以及填充于该第一基板11与第二基板12之间的液晶层13 ;其中，第一基板11上设置有第一电极14，第二基板12的面向所述第一基板11的侧面设置有第二电极I 5，该第一基板11的下方具有背光源16 ;该背光源16发生的光线透过第一基板11以及第ー电极15入射至该液晶层13，在第一电极14以及第ニ电极I 5的电场作用下发生旋转，从而使光偏振态也随之偏转，最終可以通过液晶控制光线的透过率，从而控制显示器显 示的明暗。然而这种填充液晶的显示器，由于液晶受电场控制时，液晶的电光效应属于二次电光效应，因此响应速度慢，对光的透过率相对低，从而使显示器的光学性能不能达到最优，最終造成显示器的使用寿命缩短和显示器的使用范围受限。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供，对光的透过率高，使显示器的光学性能更加优良。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供一种显示器，包括一第一基板；设置于所述第一基板下方且与所述第一基板平行的第一偏光片；设置于所述第一基板上方且与所述第一基板平行的第二偏光片；设置于所述第一基板与所述第二偏光片之间的第一电极和第二电极；以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间，并实现显示的具有一次电光效应的电控双折射晶体层。其中，所述第一电极与所述第二电极按照电场方向与所述第一基板平行或者垂直状态设置，所述电场是所述第一电极与所述第二电极之间的电场；所述电控双折射晶体层在所述电场作用下实现显示。其中，上述显示器还包括设置于所述第一偏光片下方且与所述第一偏光片平行的背光源。所述背光源为RGB光，并采用场序控制模式实现彩色显示。其中，上述显示器还包括设置于所述第二偏光片之上的彩膜层，所述第一基板为具有薄膜晶体管结构的阵列基板，其中，所述阵列基板上形成有栅线和数据线，并且栅线和数据线交叉形成像素单元，所述像素单元内形成有薄膜晶体管，所述栅线控制所述薄膜晶体管的开启或关闭。其中，上述显示器还包括栅极驱动器，与所述阵列基板的栅线连接，用于将扫描信号送至所述阵列基板的栅线；以及源极驱动器，与所述阵列基板的数据线连接，用于将数据信号送给所述阵列基板的数据线。其中，所述一次电光效应的晶体为铌酸锂晶体或者磷酸ニ氢钾晶体。 其中，所述铌酸锂晶体或者磷酸ニ氢钾晶体为长方体形。其中，横向电场时，驱动电压的大小和晶体材料的一次电光系数成反比关系，和晶体的厚度与宽度比Ι/d成反比关系；纵向电场时，驱动电压的大小和晶体材料的一次电光系数成反比关系。 其中，横向电场时，在驱动电压一定时，所述具有一次电光效应的电控双折射晶体层的厚度与所述第一电极和所述第二电极之间的距离成正比，或者所述具有一次电光效应的电控双折射晶体层的厚度与电控双折射晶体的一次电光系数成反比。本专利技术的实施例还提供一种显示器的制作方法，包括提供一第一基板；在所述第一基板下方贴合第一偏光片；提供一第二偏光片，并与所述第一基板相对设置；在所述第一基板上或者所述第二偏光片上形成第一电极和第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间形成具有一次电光效应的电控双折射晶体层。 其中，按照电场方向与所述第一基板平行或者垂直的状态形成所述第一电极与所述第二电极；其中，所述电场是所述第一电极与所述第二电极之间的电场；所述电控双折射晶体层在所述电场作用下实现显示。其中，通过溅射或者蒸镀的方式形成所述第一电极和所述第二电极所在金属层，对所述金属层刻蚀后形成所述第一电极和所述第二电极；或者通过溅射或者蒸镀的方式形成所述电控双折射晶体层。其中，上述显示器的制作方法还包括在所述偏光片下方组合背光源。其中，上述显示器的制作方法还包括制作彩膜层；将所述彩膜层贴合于或者集成于所述第二偏光片上。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下上述方案中，采用具有一次电光效应的电控双折射晶体材料取代液晶作为光调制材料，利用该类材料的一次电光效应(泡克尔斯电光效应)实现对光偏振态的改变，从而实现显示，本专利技术的实施例中的显示器由于采用电控双折射晶体实现显示，为全固态显示器，对光的透过率高，分辨率高，响应速度快，使显示器的光学性能更加优良，适用范围广。附图说明图I为现有的液晶显不器的结构不意图；图2为本专利技术的显示器的第一实施例结构示意图；图3为本专利技术的显示器的第二实施例结构示意图；图4为本专利技术的电控双折射晶体材料加电场后折射率椭球的变化示意图5为本专利技术的实施例中纵向电场作用下磷酸ニ氢钾(KDP)晶体的纵向运用的示意图；图6为本专利技术的实施例中纵向运用KDP晶体中光波的偏振态的变化的示意图；图7为本专利技术的实施例中横向电场作用下KDP晶体的横向运用的示意图。具体实施方式 为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。如图2所示，本专利技术的第一实施例，全固态显示器，包括一第一基板20 ;设置于所述第一基板20下方且所述第一基板20平行的第一偏光片10 ;设置于所述第一基板20上方且与所述第一基板20平行的第二偏光片50 ;设置于所述第一基板20与所述第二偏光片50之间的第一电极30和第二电极31 ;以及设置于所述第一电极30和所述第二电极31之间，并实现显不的具有一次电光效应的电控双折射晶体层40。其中，所述第一电极30与所述第二电极3 I可以按照电场方向与所述第一基板20平行或者垂直的状态设置；所述电场是所述第一电极30与所述第二电极31之间的电场；所述具有一次电光效应的电控双折射晶体层40在所述电场作用下实现显示；优选的，该全固态显示器还包括有设置于所述第一基板20下方且与所述第一基板平行的背光源70。在该第一实施例中，通过横向电场模式的电极，即所述第一电极30与所述第二电极3 I可以按照电场方向与所述第一基板20平行的状态设置,该具有一次电光效应的电控双折射晶体层40为固态晶体,该具有一次电光效应的电控双折射晶体层40在第一电极30和第二电极31的横向电场的作用下产生双折射现象,使背光源产生的光线由经过第一偏光片10的线偏振态，转为其它偏振态(如圆偏振态或者与直线偏振态或者椭圆偏振态)，之后进入第二偏光片50，光线经过第二偏光片50层调制后(检偏)产生亮度变化(产生灰阶)；从而实现彩色显示。相比于传统的液晶显示器，用电控双折射晶体层代替液晶层，本专利技术的实施例对光的透过率高，响应速度快，使显示器的光学性能更加优良。其中，在该实施例中，第二偏光片50上没有设置彩膜，可以采用场序控制模式实现彩色显示，其中场序控制模式实现彩色显示的过程包括背光源70依次发出RGB光，经过该具有一次电光效应的电控双折射晶体40的调制后，产生灰阶变化，最后混合出不同的色彩，实现彩色显示，该种方式下，能使显示器的分辨率提高到原有同等尺寸的3倍左右。在该实施例中，如图3所示，该全固态显示器还可以进ー步包括设置于所述第二偏光片50之上的彩膜层；其中，所述第一基板20为具有薄膜晶体管结构(TFT)的阵列基板。背光源70依次发出普通白光，经过该电控双折射晶体层40的调制后，产生灰阶变化，最后混合出不同的色彩，实现彩色显示；当第一基板20为TFT阵列基板时，所述阵列基板上形成栅线和数据线，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示器，其特征在于，包括 一第一基板； 设置于所述第一基板下方且与所述第一基板平行的第一偏光片； 设置于所述第一基板上方且与所述第一基板平行的第二偏光片； 设置于所述第一基板与所述第二偏光片之间的第一电极和第二电极； 以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间，并实现显示的具有一次电光效应的电控双折射晶体层。2.根据权利要求I所述的显示器，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极按照电场方向与所述第一基板平行或者垂直状态设置，所述电场是所述第一电极与所述第二电极之间的电场；所述电控双折射晶体层在所述电场作用下实现显示。3.根据权利要求2所述的显示器，其特征在于，还包括 设置于所述第一偏光片下方且与所述第一偏光片平行的背光源。4.根据权利要求3所述的显示器，其特征在于，所述背光源为RGB光，并采用场序控制模式实现彩色显示。5.根据权利要求3所述的显示器，其特征在于，还包括 设置于所述第二偏光片之上的彩膜层，所述第一基板为具有薄膜晶体管结构的阵列基板；其中，所述阵列基板上形成有栅线和数据线，并且栅线和数据线交叉形成像素单元，所述像素单元内形成有薄膜晶体管，所述栅线控制所述薄膜晶体管的开启或关闭。6.根据权利要求5所述的显示器，其特征在于，还包括 栅极驱动器，与所述阵列基板的栅线连接，用于将扫描信号送至所述阵列基板的栅线；以及 源极驱动器，与所述阵列基板的数据线连接，用于将数据信号送给所述阵列基板的数据线。7.根据权利要求1-6任一所述的显不器,其特征在于,所述具有一次电光效应的电控双折射晶体为铌酸锂晶体或者磷酸二氢钾晶体。8.根据权利要求7所述的显示器，其特征在于，所述铌酸锂晶体或者磷酸二氢钾晶体为长方体形。...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓东，柳在健，姚继开，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：