【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)行业中，主要是通过像素电极和公共电极之间产生的电场，来控制液晶分子的转动，达到所要显示画面的效果。像素电极的电位能否达到要求值，主要是由TFT(ThinFilm Transistor,薄膜场效应晶体管，简称薄膜晶体管)的开启电流Im决定的，理论上
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括基板、所述基板上的栅极、覆盖所述栅极的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上方的有源层，在所述有源层上方形成有源极和漏极，覆盖所述源极和漏极的保护层，其中在所述源极和漏极之间形成有第一沟道，其特征在于， 所述漏极和所述源极为通过两次构图工艺制作形成。2.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括位于所述漏极上方或所述漏极下方的辅助漏极，其中所述源极与所述辅助漏极之间形成有第二沟道。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述漏极之间的第一沟道的长度小于所述源极与所述辅助漏极之间的第二沟道的长度。4.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述辅助漏极为经过一次构图工艺制作形成。5.一种阵列基板，其特征在于，包括权...
【专利技术属性】
技术研发人员：金在光，李小和，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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