磁控溅射系统技术方案

技术编号:7833756 阅读:183 留言:0更新日期:2012-10-11 13:01
本发明专利技术提供一种磁控溅射系统,包括腔体,所述腔体内设置有靶材支撑架和基板支架,所述基板支架用于放置待溅射涂覆的基板,所述磁控磁控溅射系统还包括一磁场产生部件,所述磁场产生部件用于在所述待溅射涂覆的基板周边产生一磁场。本发明专利技术可以避免靶材产生的带电分子和阴离子以较高的能量轰击待溅射涂覆的基板,既可以保护该待溅射涂覆的基板不被损伤,又能降低基板上沉积薄膜的应力,进而提高了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
磁控溅射系统
本专利技术涉及液晶显示制造领域,特别是涉及一种磁控溅射系统。
技术介绍
随着液晶显示技术的不断发展,对液晶生产效率提出了很高的要求。以磁控溅射系统为例,由于磁控溅射系统能够在基板上大面积溅射成膜,溅射形成的膜不仅均匀,而且与基板的附着力高,因此磁控溅射系统被广泛的应用于液晶显示器的制造工艺中,尤其是薄膜沉积的制造工艺中。在制造液晶显示器的过程中,磁控溅射系统可进行金属薄膜或者金属氧化物透明电极薄膜的沉积,所述金属薄膜譬如铝(Al)、铝钕合金(AINd),钥(Mo)以及铜(Cu);所述金属氧化物透明电极薄膜譬如氧化铟锡(IT0)、铟锌氧化物(IZ0)。譬如在制造有机电致发光显示器(Organic Light-Emitting Diode ,0LED)的工艺中,磁控派射系统可用来进行位于发光有机层两侧的阴极层和阳极层的薄膜沉积。请参阅图1,图I为现有技术的磁控溅射系统10在溅射镀膜时的结构示意图。所述磁控溅射系统10包括金属腔体11,所述金属腔体11用于实现对外界环境的隔绝,保持所述金属腔体11内的真空环境。所述金属腔体11内设置有靶材支撑架12以及基板支架13,所述基板支架13和所述靶材支撑架12相对设置。其中所述靶材支撑架12内设置有磁石14。在通过所述磁控溅射系统10对基板16进行溅射镀膜时,将靶材15固定于所述靶材支撑架12上,将所述基板16放置于所述基板支架13上,将所述靶材15连接电源(图未示出)的阴极,将所述金属腔体11以及所述基板16连接电源的阳极,同时通过惰性气体供应管路(图未标示)向所述金属腔体11内充入氩原子。之后接通电源,则所述靶材15与所述基板16之间产生一电场,所述祀材15和所述基板16之间的电子在上述电场的作用下高速运动,上述电子与所述金属腔体11内的氩原子发生碰撞,电离产生出氩正(Ar+)离子和新的电子;Ar+离子在上述电场作用下加速向所述靶材15运动,并以较高的能量轰击所述靶材15的表面。由于所述靶材支撑架12内设置有所述磁石14,所述磁石产生一磁场,在所述靶材15的表面,除了存在上述电场外,还存在上述磁场。Ar+离子在轰击所述靶材15时放出二次电子,所述二次电子在上述磁场的作用下,被束缚在靠近所述靶材15的表面区域内,在上述电场和磁场的共同作用下,所述二次电子的运动轨迹为沿电场方向加速,同时绕磁场方向螺旋前进的复杂曲线,从而使得所述二次电子的运动路径变长,在运动过程中不断与所述金属腔体11内的氩原子发生碰撞并电离出大量的Ar+离子继续轰击靶材。由于所述靶材15连接电源的阴极,在所述Ar+离子的高速轰击下,所述靶材15发生溅射,溅射出靶材原子、分子或阴离子,呈中性的靶材原子沉积在所述基板16的表面形成一层薄膜,从而实现对所述基板16的镀膜。而所述靶材15溅射产生的带电分子或阴离子在离开所述靶材15后,在上述电场的作用下以较高的能量(譬如几十电子伏)溅射至所述基板16,而且几乎是以直线运动方式溅射至所述基板16以及所述基板16的周边。当所述带电分子或阴离子以较高的能量冲击所述基板16时,极易造成所述基板16表面的损伤,并使得所述基板16上沉积薄膜的应力较大。尤其是是在OLED的生产过程中,由于需要在OLED中有机塑料分子构成的发光层上沉积阴极薄膜,因此利用所述磁控溅射系统10在发光层上沉积阴极薄膜时,所述靶材15溅射产生的带电分子或阴离子极易对有机塑料分子构成的发光层造成损伤,导致产品的良率降低。综上,如何避免溅射产生的带电分子或阴离子对基板的损伤,降低沉积薄膜的应力,是液晶生产技术需要解决的技术问题之一。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种磁控溅射系统,以避免溅射产生的带电分子或阴 离子对基板的损伤,以及降低沉积薄膜的应力。为达到上述有益效果,本专利技术构造了一种磁控溅射系统,包括腔体,所述腔体内包括有相对设置的靶材支撑架和基板支架,所述基板支架用于放置待溅射涂覆的基板;所述磁控溅射系统还包括一磁场产生部件,所述磁场产生部件用于在所述待溅射涂覆的基板周边产生一磁场。在本专利技术一实施例中,所述磁场产生部件为永磁板,所述永磁板设置于所述基板支架内。在本专利技术一实施例中,所述基板支架包括用于放置基板的防屏蔽板,所述防屏蔽板与所述基板支架一体成型,所述防屏蔽板由非导磁材料制成。在本专利技术一实施例中,所述永磁板和所述腔体的底面之间设置一屏蔽板,所述屏蔽板由导磁材料制成。在本专利技术一实施例中,所述磁场产生部件包括至少两个的永磁板;所述至少两个的永磁板沿水平方向等间距排列,其中所述水平方向与所述基板穿过所述腔体的方向垂直。在本专利技术一实施例中,沿所述水平方向,所述至少两个的永磁板构成的宽度大于所述待溅射涂覆的基板的宽度;沿所述基板穿过所述腔体的方向,每个所述永磁板的长度大于所述待溅射涂覆的基板的长度。在本专利技术一实施例中,所述至少两个的永磁板包括有彼此交叉设置的第一永磁板和第二永磁板,且彼此相邻的第一永磁板和第二永磁板的极性方向相反。在本专利技术一实施例中,所述防屏蔽板和所述永磁板之间设置有永磁楔,所述永磁楔为楔形,所述永磁楔的极性与其对应的永磁板的极性相同。在本专利技术一实施例中,所述磁控溅射系统还包括第一平移控制器,用于控制所述至少两个的永磁板沿所述水平方向来回运动。在本专利技术一实施例中,一竖直方向垂直于所述防屏蔽板的水平面;所述磁控溅射系统还包括第二平移控制器,所述第二平移控制器用于控制所述至少两个的永磁板沿所述竖直方向运动。相对于现有技术,本专利技术通过在待溅射涂覆的基板的下方设置永磁板作为磁场产生部件,该永磁板可在待派射涂覆的基板表面产生一磁场,该磁场可以对祀材派射时产生并射向待溅射涂覆的基板的带电分子和阴离子产生一磁力的作用,避免了上述带电分子和阴离子以较高的能量轰击所述基板,既可以保护基板不被损伤,又能降低沉积薄膜的应力,进而提闻了广品的良率。为让本专利技术的 上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下附图说明图I为现有技术中磁控溅射系统的结构示意图;图2为本专利技术中磁控溅射系统的第一较佳实施例的结构示意图;图3为图2中永磁板和防屏蔽板的结构示意图;图4为图2中永磁板、防屏蔽板和屏蔽板的结构示意图;图5为应用图2所示的第一较佳实施例对基板进行溅射涂膜时的结构示意图;图6为图5中永磁板产生的磁场的效果示意图;图7为应用图2所示的第一较佳实施例溅射涂覆成膜的OLED板结构示意图;图8为本专利技术中磁控溅射系统的第二较佳实施例的结构示意图;图9为图8所示的第二较佳实施例中磁场效果示意图;图10为图8中永磁楔和永磁板一体成型的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术,而非用以限制本专利技术。在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。请参阅图2,图2为本专利技术中磁控溅射系统的第一较佳实施例的结构示意图。所述磁控溅射系统20包括腔体21,所述腔体21优选由金属材质制成。所述腔体21内设置有靶材支撑架22、基板支架23以及磁场产生部件,在该第一较佳实施本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射系统,包括腔体,所述腔体内包括有相对设置的靶材支撑架和基板支架,所述基板支架用于放置待溅射涂覆的基板;其特征在于 所述磁控溅射系统还包括一磁场产生部件,所述磁场产生部件用于在所述待溅射涂覆的基板周边产生一磁场。2.根据权利要求I所述的磁控溅射系统,其特征在于所述磁场产生部件为永磁板,所述永磁板设置于所述基板支架内。3.根据权利要求2所述的磁控溅射系统,其特征在于所述基板支架包括用于放置待溅射涂覆的基板的防屏蔽板,所述防屏蔽板与所述基板支架一体成型,所述防屏蔽板由非导磁材料制成。4.根据权利要求2所述的磁控溅射系统,其特征在于所述永磁板和所述腔体的底面之间设置一屏蔽板,所述屏蔽板由导磁材料制成。5.根据权利要求3所述的磁控溅射系统,其特征在于所述磁场产生部件包括至少两个的永磁板;所述至少两个的永磁板沿水平方向等间距排列,其中所述水平方向与所述基板穿过所述腔体的方向垂直。6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李金磊
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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