电介质陶瓷组合物及电子部件制造技术

本发明专利技术提供交流击穿电场高、静电容量的温度特性良好、介电常数高、耐还原性良好的电介质陶瓷组合物。所述电介质陶瓷组合物为含有以(BaxBiy)TiO3的组成式表示的主成分、第1副成分和第2副成分的电介质陶瓷组合物，上述组成式中的y为0.001≤y≤0.010，且上述组成式中的x和y之和为0.975≤x+y≤1.010，上述第1副成分为氧化锌，上述第2副成分为选自Y、La、Ce、Nd、Sm、Mn和Ni的至少1种的氧化物，以上述主成分按100重量份计，含有2重量份以上、12重量份以下的上述第1副成分，以上述主成分按100重量份计，换算成氧化物，含有0.008重量份以上、0.08重量份以下的上述第2副成分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电介质陶瓷组合物及电子部件。
技术介绍
作为电子部件的一个实例，陶瓷电容器被用于各种电子仪器，近年来对高性能化的要求越来越高。作为开关电源电路的Y电容器，被用作静噪滤波器的陶瓷电容器经常暴露于电应力下，所以存在火灾或触电的危险性。因此，为预防上述情况而使用安全标准认定的陶瓷电容器。作为安全标准认定的陶瓷电容器，陶瓷电容器不被破坏，即提高电介质陶瓷组合物的交流击穿电场(ACVB)最为重要。另外，对于这些陶瓷电容器，良好保持静电容量的温度特性也重要，优选兼顾交流击穿电场和静电容量的温度特性。 专利文献I (日本特开2006-096576号公报)和专利文献2 (日本特开2003-104774号公报)中公开了交流击穿电场较高的电介质陶瓷组合物。但是，交流击穿电场即使高，也都仅为5kV/mm左右。另外，这些文献中并未公开兼顾交流击穿电场和静电容量的温度特性的电介质陶瓷组合物。另外，作为上述陶瓷电容器的电极，使用Ag或Cu的烧结电极。但是，Ag虽然可在大气中烧结，但造价高。另一方面，Cu虽然廉价，但在烧结时需要还原气氛，由于电容器元件被暴露于还原气氛中，存在氧空穴增加而半导体化的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.28 JP 2011-0706331.电介质陶瓷组合物，其为含有以(BaxBiy)TiOd^组成式表示的主成分、第I副成分和第2副成分的电介质陶瓷组合物，其中， 上述组成式中的y为O. 001 < y < O. 010，且上述组成式中的X和y之和为O. 975 ( x+y ( I. 010， ...

【专利技术属性】
技术研发人员：广濑正和，大津大辅，阿部贤，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：