电活性组合物和用该组合物制得的电子器件制造技术

本发明专利技术提供了电活性组合物，其包含：氘代第一基质材料和电致发光掺杂剂材料。所述第一基质为具有式I的化合物：。式I的化合物为氘代的。在式I中：Ar1至Ar4相同或不同并且为芳基；Q为多价芳基或。其中T为(CR’)a、SiR2、S、SO2、PR、PO、PO2、BR或R；R在每次出现时相同或不同并且为烷基或芳基；R’在每次出现时相同或不同并且选自H、D或烷基；a为1-6的整数；并且m为0-6的整数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电活性组合物和用该组合物制得的电子器件专利技术背景专利
总的来说，本公开涉及可用于有机电子器件中的电活性组合物。相关领域说明在诸如构成OLED显示器的有机发光二极管(“0LED”)的有机电活性电子器件中，有机活性层夹置在OLED显示器的两个电接触层之间。在OLED中，当横跨电接触层施加电流时，有机电活性层透过所述透光的电接触层发射光。熟知在发光二极管中将有机电致发光化合物用作活性组分。简单有机分子、共轭聚合物、以及有机金属络合物已经得到应用。米用电活性材料的器件通常包括一层或多层电荷传输层,所述电荷传输层位于电活性(例如发光)层和接触层(空穴注入接触层)之间。器件可包含两个或更多个接触层。空穴传输层可被定位在电活性层和空穴注入接触层之间。空穴注入接触层也可以称为阳极。电子传输层可被定位在电活性层和电子注入接触层之间。电子注入接触层也可以称为阴极。电荷传输材料也可与电活性材料组合用作基质。持续需要用于电子器件的新型材料和组合物。专利技术概述本专利技术提供了包含氘代第一基质材料和电致发光掺杂剂材料的电活性组合物,其中氘代第一基质材料为具有式I的化合物

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.21 US 12/643,3811.电活性组合物，包含氘代第一基质材料和电致发光掺杂剂材料，其中所述第一基质为具有式I的化合物2.权利要求I的组合物，其中Q选自蒽、蓮、花、菲、苯并菲、菲咯啉、萘、蒽、喹啉、异喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、ニ苯并呋喃、ニ呋喃并苯、吲哚并咔唑、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。3.权利要求I的组合物，其中所述第一基质材料具有式II4.权利要求I的组合物，还包含(c)第二基质材料。5.权利要求4的组合物，其中所述第二基质材料选自菲咯啉、喹喔啉、苯基吡啶、苯并ニ呋喃、ニ呋喃并苯、吲哚并咔唑、苯并咪唑、三唑并吡啶、ニ杂芳基苯基、喹啉酸金属络合物、它们的取代衍生物、它们的氘代类似物、以及它们的组合。6.权利要求4的组合物，其中所述第一基质材料与所述第二基质材料的重量比在99:1至1.5:1的范围内。7.权利要求4的组合物，其中所述第一基质和所述第二基质在甲苯中各自具有至少O.6重量％的溶解度。8.权利要求I的组...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·H·小霍华德，N·S·拉杜，W·吴，高卫英，N·海隆，E·M·史密斯，C·M·欧德，A·费尼莫尔，Y·王，D·D·莱克洛克斯，K·多格拉，V·罗斯托弗采夫，J·菲尔德曼，S·谢诺伊，
申请(专利权)人：E·I·内穆尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：