【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及放大器， 典型地，涉及射频(RF)放大器。
技术介绍
RF放大器用在各种应用中。示例性应用是IEEE802. 15.4。这规定来自射频模块的多个输出功率。例如，在较低功率模式中使用2. 5dBm的输出功率，而在中功率和高功率模式中使用IOdBm和18dBm的输出功率。典型地，通过设置用于提供2. 5dBm的输出功率的基本RF放大器模块以及用于将2.5dBm的输出功率升高至IOdBm或18dBm的一个或两个附加功率放大器模块，实现多个输出功率。然而，这是相当麻烦的方法，在高功率模式中需要两个附加放大器。对于不同功率模式中的每一种也都需要单独的RF输出管脚。而且，难以采用这种方法在输出功率的范围内维持功率增益的精确控制。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供了一种放大器，包括至少一个放大元件和用于以偏置电压偏置所述或每个放大元件的偏置电路，其中偏置电路适于改变偏置电压，使得所述或每个放大元件响应于偏置控制信号通过阈值在开关工作模式和非开关工作模式之间切换。因此，通过使放大元件能够在开关工作模式和非开关工作模式之间切换，放大器能够以较低效率(非开关)...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.15 EP 11158248.21.一种放大器，包括至少一个放大元件(20a，25a)和用于以偏置电压偏置所述或每个放大元件的偏置电路(32a，32b)，其中偏置电路(32a，32b)适于改变偏置电压，使得所述或每个放大元件响应于偏置控制信号(4)通过阈值在开关工作模式和非开关工作模式之间切换。2.根据权利要求I所述的放大器，其中所述或每个放大元件(20a，25a)经由无功负载网络(29，30)耦接至负载，无功负载网络(29，30)被配置为产生瞬态响应，从而在开关工作模式中避免在所述或每个放大元件(20a，25a)上同时强加实质电压和实质电流，并且在非开关工作模式中表现出被调节至放大器的工作频率的负载。3.根据权利要求I或2所述的放大器，其中所述或每个放大元件(20a，25a)包括第一晶体管(20a)，第一晶体管(20a)由偏置电压偏置，以在开关工作模式中用作开关和在非开关工作模式中用作线性或近线性放大器。4.根据权利要求3所述的放大器，其中所述或每个放大元件(20a，25a)还包括与第一晶体管(20a)串联的第二晶体管(25a)，第二晶体管(25a)能够响应于相应增益控制信号而作为开关工作，用于将放大元件(20a，25a)选择性地耦接至负载(31)。5.根据权利要求4所述的放大器，其中第一晶体管(20a)和第二晶体管(25a)在处于非开关工作模式时形成级联配置。6.根据权利要求4或5所述的放大器，还包括第三晶体管(40)，第三晶体管(40)能够切换用于将流过第一晶体管(20a)的电流的一部分转移至交流电接地节点。7.根据前述权利要求中任一项所述的放大器，其中至少两个放大元件(20a，25a;21a，26a)并联耦接。8.根据前述权利要求中任一项所述的放大器，包括第一组放大元件(20a，25a)和第二组放大元件(20b, 25b),每组放大元件包括至少一个放大元件,其中第一组放大元件(20a,25a)和第二组放大元件(20b...
【专利技术属性】
技术研发人员：金·李，西蒙·彼得·戈达德，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。