无死区H桥级联型多电平逆变器及控制方法技术

本发明专利技术涉及高压变频器技术，旨在提供一种无死区H桥级联型多电平逆变器及控制方法。该逆变器由n个单元级联而成；对于单元i两个直流母线之间跨接直流电源或电容，母线之间并联半桥Bi1和半桥Bi2；第一级单元的半桥B11中两个开关的连接点引出逆变器的端点A，最后一级单元的半桥Bn2中两个开关的连接点引出逆变器的端点B；第j级单元的半桥Bj1中两个开关的连接点与第（j-1）级单元的半桥B(j-1)2中两个开关的连接点相连。本发明专利技术使得各级联单元中各桥臂每半个周期只在输出电流换向时提供一个死区时间，加入死区的频率是参考正弦信号频率的2倍；同时在采用本发明专利技术提供的开关管新的工作模式后，逆变器的开关损耗降低，系统效率得到提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高压变频器
，尤其涉及一种无死区H桥级联型多电平逆变器及控制方法。
技术介绍
H桥级联型多电平逆变器适用于中高压大功率场合，已被广泛应用于功率単元串联式多电平电压源型高压变频调速系统中。它的优点在于开关管电压应力低，电压变化率(du/dt)小，输出电压波形谐波含量少，不存在输入电容均压或飞跨电容电压控制问题，易于模块化设计等。H桥级联型多电平逆变器传统的调制方式特点是各级联单元中每个桥臂上下开关 管的调制信号是互补关系，由于功率开关管存在开通及关断时间，为防止同一桥臂两开关管同时导通与直流侧发生短路，上下开关管的调制信号必需加入死区时间。死区的加入会使逆变器输出电压的基波分量与參考调制信号存在偏差，死区时间越长输出电压基波幅值跌落越明显。当所用开关管的功率等级越高，则需加入的死区时间越长，因而不能最大限度的使用当前现有的高功率开关器件，这不利于变频器的扩容。同时，死区时间会使输出电压波形总谐波畸变(THD)变大，死区引起的附加谐波会引起电动机的发热增カロ、转矩脉动、机械噪声、机械振动等，严重时还会引起系统的共振。为弥补死区对输出电压THD的影响，需使用更大体积的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无死区H桥级联型多电平逆变器，包括直流母线及用于组成半桥的含反并联续流二极管的全控型电力电子开关，其特征在于，该逆变器由n个单元级联而成；对于单元i(i=l，2-n)，直流母线Pi与Qi之间跨接电压值为E的直流电源或电容，母线Pp Qi之间并联半桥Bil和半桥Bi2 ;半桥Bil由全控型电力电子开关Sn、Si2串联而成，开关Sil反并联二极管Dil,开关Si2反并联二极管Di2 ;半桥Bi2由全控型电力电子开关Si3、Si4串联而成，开关Si3反并联二极管Di3,开关Si4反并联二极管Di4 ;第一级单元的半桥B11中两个开关的连接点引出逆变器的端点A，最后一级单元的半桥Bn2中两个开关的连接点引出逆变器的端点B ；第j (I < j≤n)级单元的半桥中两个开关的连接点与第(j_l)级单元的半桥中两个开关的连接点相连。2.一种基于权利要求I所述逆变器的控制方法，其特征在于，是采用移相载波技术，各级联单元三角载波幅值与频率相同，相位依次相差n/n电角度，对半桥Bil与半桥Bi2分别作双极性SPWM调制，两半桥参考正弦电压信号幅值与频率相同，相位互差电角度，获得各单元中同一桥臂上下开关管互补导通的各开关管的调制信号，所得的调制信号经过基于优化前后对应每个开关周期内各单元输出平均电压相等为原则的无死区优化过程，并在输出电流换向处加入一个死区时间得到最终各开关管的调制信号。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，包括以下步骤 (1)采用移相载波技术，各级联单元三角载波幅值与频率相同，相位依次相差n/n电角度；对于单元i(i=l，2-n)，对半桥Bil与半桥Bi2分别作双极性SPWM调制，半桥Bil参考正弦电压信号Uto与半桥Bi2参考正弦电压信号Uto幅值、频率相同，相位互差电角度，对于逆变器输出电压uAB的等效参考正弦电压信号I!-幅值是Uto的2n倍，相位和频率与Uto相同，获得单元i中同一桥臂上下开关管互补导通的各开关管的调制信号，其中开关Sil的调制信号为Pil,开关Si3的调制信号为Pi3 ； (2)对于单元i(i=l，2*n)，将上一步得到的调制信号Pil与Pi3作异或处理，得到表征每个开关周期内单元i输出电压uAiBi平均电压绝对值大小的脉冲波形PAi ； (3)根据当前uAto的值与逆变器输出电流Iab的值判断当前逆变器的工作状态，将Uito与O...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋春伟，赵荣祥，朱明磊，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：