低压直流变换器的高压保护电路及其方法技术

本发明专利技术是关于低压直流变换器的高压保护电路及其方法，保护高压的电路包括：比较在输入端由分配电阻探知的传感电压和标准电压的比较器；由比较器判定传感电压高于标准电压时，输出高信号的动作控制部；应对于高信号使门极驱动的动作停止的门极；以及门极驱动的动作停止后，经过设定迟延时间以后停止动作的微处理器。由此，保护高压的电路在输入到低压直流变换器上的电压上升时，不经微处理器直接使MOSFET的门极的动作停止，可以输入电压上升之后迟延最小的状态下可使MOSFET的门极停止，从而可防止MOSFET的烧毁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于的。具体而言是关于保护输入到混合动カ汽车的低压直流变换器上的高压的电路及其方法。
技术介绍
混合动カ汽车上有将高压混合动カ电池的电カ整流成直流的低压直流变换器(Low DC/DC Converter,以下称“LDC”)。LDC通常起着将直流(DC)转换为交流(AC)，将此交流利用线圈、变压器、电容等进行升压或降压后，再次整流为直流(DC)，按照各电场负荷要求供电的作用。下面结合图I至图3，对现有的低压直流变换器(LDC)进行说明。图I是表示一般性的低压直流变换器的图。 如图I所示，低压直流变换器包括将主电池的输出即，相当于输入电压(Vin)的直流电压(DC)转换成交流电压(AC)的金氧半场效晶体管(以下称“M0SFET”)11、改变已转换交流电压大小的变压器(T) 12、连接在变压器12的二次端整流引导向二次端的电压的ニ极管13及再次转换成直流电压的电感器(L)和电容器(014。此时，低压直流变换器的输入电压利用变压器20的输出电压(Vinsec)来測定。在这里，变压器20的输出电压如数学式I。[数学式I]Vin^sec = Vin * N2/N1 在数学式一中NI为变压器12的一次圈数，N2为变压器12的二次圈数。这样的低压直流变换器在输入端采用高压保护电路，如果输入电压为高压，就可以从高压受到保护。接下来，结合图2详细说明应用于低压直流变换器上的现有高压保护电路。图2为表示采用现有高压保护电路的低压直流变换器的图。图3是根据现有的高压保护电路表示电压与电流的关系的图。如图2所示，低压直流变换器10的输入端有高压保护(Over VoltageProtection,以下又称“0VP”)电路20。此时，高压保护电路20传感低压直流变换器10的输入电压中的高压输入(OVPsensing)。高压保护电路20包括微处理器21 (Microcomputer,以下称“Micom”)及门极驱动(gate driver)22。Micom21接到低压直流变换器10输入电压中的高压输入，将相当于进行内部处理(Process)的结果的故障(Fault)信号传递给门极驱动22上。门极驱动22通过相应于故障信号地控制低压直流变换器10的M0SFET11的门极端子，使低压直流变换器10的动作停止。如图3所示,在现有的高压保护电路20中Micom21以16bit process的处理速度将输入电压即，对应于高压输入的故障信号传递给门极驱动22实现低压直流变换器10动作的停止过程中，有IOOuS延迟的问题。还有，在低压直流变换器10里，在高压保护电路20停止自己的动作之前因过电流引起MOSFET11损坏的问题。这样的低压直流变换器(LDC)受到高压保护电路(OVER VOLTAGE PROTECTIONCIRCUIT)的保护以免因输入的电压(以下称“输入电压”)发生损坏。但是，在LDC里利用高压保护电路以16bit process的处理速度传感输入电压，欲得到保护时，因有IOOuS的迟延，具有高压保护电路的反应速度滞后的缺点。而且，在LDC里，随着高压保护电路的反应速度的滞后，输入电压上升，从而导致MOSFET启动出错(dead)的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是给混合动カ型汽车提供。技术方案 为解决所述课题，根据本专利技术实施例的，在低压直流变换器的输入端保护高压的电路包括比较由分配电阻传感到的输入到所述输入端上的输入电压和标准电压的比较器；所述比较器在所述传感电压高于所述标准电压时输出高信号的动作控制部；针对所述高信号停止门极驱动的动作的门极；以及所述门极驱动的动作停止后，在设定迟延时间之后停止动作的微处理器。所述动作控制部，包括第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管，在所述比较器判断所述传感电压高于所述标准电压时所述第一晶体管启动，所述第二晶体管及所述第三晶体管启动为闩锁模式，可输出所述高信号。所述动作控制部，如果所述第一晶体管启动，将故障信号传递给所述微处理器，所述微处理器收到所述故障信号后，可在所述设定延迟时间之后停止动作。所述低压直流变换器，在根据所述比较器判断所述传感电压低于所述标准电压，且所述低压直流变换器的输出电压处于设定电压以下时，能正常工作。所述动作控制部在所述输入电压为420V以上时，可输出所述高信号。所述低压直流变换器，在判断所述输入电压不足420V，且所述低压直流变换器的输出电压呈9V以下吋，能正常工作。根据为解决所述课题的本专利技术的另ー实施例，位于低压直流变换器的输入端并包括晶体管、门极驱动以及微处理器的高压保护电路保护高压的方法包括所述高压保护电路利用分配电阻传感输入到所述输入端的输入电压的阶段；被所述分配电阻传感到的传感电压高于标准电压时，所述晶体管开始工作，以闩锁模式输出高信号的阶段；由所述闩锁模式的工作过程中所输出的高信号停止所述门极驱动的动作的阶段；及所述门极驱动的动作停止后，在设定时间延迟之后停止所述微处理器的工作的阶段。高压保护电路保护高压的方法还可能包括所述传感电压降至小于所述标准电压，且所述低压直流变换器的输出电压呈设定电压以下时，使所述低压直流变换器正常エ作的控制阶段。有益效果 根据本专利技术的实施例，在输入到低压直流变换器上的电压上升时，可不通过微处理器而直接使MOSFET的门极的动作停止，在输入电压ー上升就在延迟时间最短的状态下使MOSFET的门极停止，可防止MOSFET烧毁。附图说明图I为现有的低压直流变换器的示意 图2为现有高压保护电路的低压直流变换器的示意 图3为根据现有高压保护电路表示电压与电流的关系的示意 图4为采用根据本专利技术实施例的高压保护电路的低压直流变换器的示意 图5为根据本专利技术实施例的高压保护电路的电压与电流的关系的示意图； 图6为根据本专利技术实施例的高压保护方法的流程图。具体实施例方式将本专利技术结合附图详细说明的话，具体如下本专利技术的实施例具有向本领域技术人员更加完整地说明本专利技术而提供的。本专利技术实施例的，结合附图进行详细的说明。下面，结合图4至图5详细说明专利技术实施例的高压保护电路。图4为根据本专利技术实施例的高压保护电路的低压直流变换器的示意图。图5为本专利技术实施例的高压保护电路的电压与电流的关系的示意图。如图4所示，根据本专利技术实施例的OVP电路400位于低压直流变换器10的输入端上。在这里，低压直流变换器10与原有的低压直流变换器的组成相同，但并不仅限于此。OVP电路400包括分配电阻(Rl、R2)、比较器(COMP)、动作控制部410、或门极、Micom420及门极驱动430。在这里，动作控制部410包括多个晶体管(Trl (NPN) ,Tr (PNP)、TR(NPN))、稳压ニ极管(Zener)、电流限制电阻(R3、R4、R5、R6、R7)等。具体而言，分配电阻(Rl、R2)在输入端感知输入电压。此时，Micom420及门极驱动430正常工作。比较器(COMP)比较由分配电阻(R1、R2)探知的传感电压和标准电压(V,ef 2. 5V)。动作控制部410在输入电压比设定电压例如420V以上时启动。具体而言，动作控制部410在比较器(COMP)判断传感电压高于标准电压时，启动以输出高信号。S卩，动作控制部410如果由比较器(COMP)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.16 KR 10-2011-00457361.一种高压保护电路，其特征在于，在低压直流变换器的输入端保护高压的电路上，包括加载于所述输入端的输入电压，比较由分配电阻探知的传感电压和标准电压的比较器； 如果由所述比较器判断所述传感电压高于所述标准电压时，输出高信号的动作控制部; 应对于所述高信号使门极驱动的动作停止的门极；以及 所述门极驱动的动作停止后，经设定延迟时间之后停止动作的微处理器。2.根据权利要求I所述高压保护电路，其特征在于，所述动作控制部包括第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管，应对于由所述比较器判断所述传感电压高于所述标准电压时所述第一晶体管启动的话，所述第二晶体管及所述第三晶体管随之启动，以闩锁模式工作输出所述高信号。3.根据权利要求2所述高压保护电路，其特征在于，所述动作控制部在所述第一晶体管启动时将故障信号传递给所述微处理器，所述微处理器接收到所述故障信号后经所述设定迟延时间之后停止动作。4.根据权利要求I所述高压保护电路，其特征在于，所述低压直流变换器在由所述比较器判断所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙虎仁，
申请(专利权)人：现代摩比斯株式会社，
类型：发明
国别省市：