防止有害的太阳能电池极化制造技术

在一个实施例中，通过提供从太阳能电池(200B)的正面向晶片(203)的本体泄放电荷的导电通路来防止有害的太阳能电池极化或者使之最小。例如，导电通路可以包括介质钝化层(202B)中图案化的孔、导电抗反射涂层或在抗反射涂层的顶部或底部表面上所形成的导电材料层。也可以通过偏置太阳能电池组件在太阳能电池的正面上的区来防止有害的太阳能电池极化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及太阳能电池，更具体地但不排他地涉及太阳能电池结构、组件、制造和现场安装。
技术介绍
太阳能电池是众所周知的用于将太阳辐射转换成电能的设备。所述太阳能电池可以利用半导体处理工艺在半导体晶片上制造。一般来说，太阳能电池可以通过在硅衬底上形成P型区和n型区来制造。每一相邻的p型区和n型区都形成p-n结。照射在太阳能电池上的太阳辐射生成迁移到P型和n型区的电子和空穴。由此产生跨p-n结的电压差。在背面接触太阳能电池中，P型和n型区耦合到在太阳能电池背面上的金属接触，以便允许外部电路或设备耦合到太阳能电池和由太阳能电池供电。背面接触太阳能电池也在美国专利No. 5，053, 083和No. 4，927，770中予以公开，两者全文在此通过引用被纳入。若干太阳能电池可以连接在一起以形成太阳能电池阵列。太阳能电池阵列可以封装成太阳能电池组件。该组件包括允许太阳能电池阵列经受环境条件和用于现场的保护层。如果没采取预防措施，太阳能电池在现场可能被高度极化，造成减小的输出功率。在这里公开了用于防止有害的太阳能电池极化的技术。
技术实现思路
在一个实施例中，通过提供从太阳能电池的正面到晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2005.03.03 US 60/658,706;2005.08.22 US 11/210,2131.一种太阳能电池能量系统，包括 a)多个太阳能电池，所述太阳能电池中的每一个都包括 (i)正面和背面，所述正面在正常工作期间面向太阳； (ii)在背面上所形成的多个金属接触，所述金属接触中的每一个都耦合到太阳能电池的相应P型掺杂的或n型掺杂的收集区； (iii)在正常工作期间面向太阳的晶片表面上方所形成的介质钝化层；以及 (iv)在介质钝化层上方所形成的抗反射涂层； b)包括多个太阳能电池的太阳能电池组件阵列，所述太阳能电池组件阵列具有处在正电压的正端子和处在负电压的负端子； c)至太阳能电池组件阵列中的太阳能电池组件的构架的接地连接； d)逆变器，其被配置用以将由太阳能电池组件阵列所产生的直流转换成要被提供到电网的交流，该逆变器具有耦合到太阳能电池组件阵列的正端子的...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·M·斯万森，D·德瑟斯特，V·德塞，D·H·罗斯，D·D·史密斯，N·卡米纳，
申请(专利权)人：太阳能公司，
类型：发明
国别省市：