【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及双折射晶体领域，特别是涉及一种硼酸钡钙(分子式为Ba2Ca(B3O6)2)双折射晶体及其生长方法和用途。
技术介绍
晶体的双折射是电光功能材料重要的光学性能参数，双折射晶体用途广泛，主要应用于光通讯领域，是制作光通讯器件(例如隔离器、环形器、偏振分束棱镜、偏振棱镜或延迟器等)的重要材料。目前常用的双折射晶体材料有方解石、MgF2,YVO4,高温相a -BBO和Ca3(BO3)2等。但是方解石主要以天然形式存在，杂质含量比较高，人工合成比较困难，一般尺寸比较小，无法满足大尺寸光学偏光元件的要求；MgF2晶体适用于深紫外领域，透过范围宽(110-8500nm)，但是其双折射率太小-JVO4具有较大的双折射和良好的物化性质，是一种较理想的双折射晶体材料，但其在紫外可见波段存在吸收，其主要用于近红外波段；a -BBO双折射率较大，但它易潮解并存在固态相变，使得生长中晶体易开裂；Ca3(BO3)2透过范围宽(180-3800nm)，但它在深紫外区透过不高，可见区双折射率小，限制了其使用范围。因此，非常有必要探寻一种易生长，物化性质好并且具有较大双折射率的晶体...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硼酸钡钙双折射晶体，其化学式为Ba2Ca (B3O6) 2，该晶体属三方晶系，空间群为R-3，其晶胞参数a=7.1387A, C= 17.682A； Z=3 ;该晶体为负单轴晶体，透过范围为181-3000nm,双折射 ne-nQ=0. 086-0. 242。2.—种权利要求I所述的硼酸钡钙双折射晶体的生长方法，其采用熔体法生长晶体，所述熔体法生长晶体的步骤如下 将摩尔比2 1 6的含钡化合物、含钙化合物和含硼化合物混合均匀，之后置于钼坩埚中加热至熔化，搅拌10-50小时至熔体均匀；然后将熔体温度设定在饱和点温度以上0.5-10°C，将顶端绑有钼金丝的籽晶杆伸入到晶体炉中，使钼金丝降至熔体表面以下，然后以0. 05-50C /小时的速度降温，待其结晶后，以0. l-10°c /天的速度降温生长晶体，待晶体生长到所需尺寸时，将晶体提离液面，并以2-50°C /小时的降温速率降至室温，得硼酸钡钙双折射晶体。3.—种权利要求I所述的硼酸钡钙双折射晶体的生长方法，其特征在于，其采用提拉法生长晶体，所述提拉法生长晶体的步骤如下 将摩尔比2 1 6的含钡化合物、含钙化合物和含硼化合物混合均匀，之后置于钼坩埚中加热至熔化，搅拌10-50小时至熔体均匀；通过下尝试籽晶确定熔体的饱和点温度；然后将熔体温度设定在饱和点温度以上0. 5-10°C，将顶端绑有籽晶的籽晶杆伸入到晶体炉中，使籽晶降至接触熔体表面或伸入至熔体内，下籽晶0-20分钟时，将温度降至饱和点温度以下0. 5-3°C，同时以0-50转/分的转速旋转籽晶，并以0. 05-10°C /天的速度降温，以0.Ol-IOmm/小时的速度向上提拉籽晶杆生长晶体，待晶体生长到所需尺寸时，将晶体提离液面，并以2-50°C /小...
【专利技术属性】
技术研发人员：李如康，张宁宁，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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