带有保护薄膜的切割薄膜制造技术

本发明专利技术提供可以缩短停机时间并且可以在不引起位置偏移的情况下在半导体晶片上粘贴切割薄膜的带有保护薄膜的切割薄膜。一种带有保护薄膜的切割薄膜，通过将切割薄膜与保护薄膜层叠而得到，其特征在于，所述保护薄膜对波长600～700nm的透射率与切割薄膜的薄膜检测用光最先透射的部分中带有保护薄膜的切割薄膜对波长600～700nm的透射率之差为20％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及带有保护薄膜的切割薄膜。
技术介绍
以往，半导体晶片在预先以大面积制作后，切割(切断分离)为芯片状并移送到扩张エ序。切割薄膜在该切割时用于固定半导体晶片。固定到切割薄膜上的半导体晶片在切割为芯片状并为了将各芯片之间分离而在扩张环上沿面方向同样地扩张后，进行拾取。 另外，以往提出了在切割エ序中胶粘保持半导体晶片并且也提供安装エ序所需的芯片固着用胶粘剂层的切割薄膜(例如，參考专利文献I)。上述的切割薄膜，按照半导体晶片的大小冲裁为圆形等，以规定的间隔设置到长尺寸的保护薄膜上，使用晶片安装装置等从保护薄膜上将切割薄膜剥离并且粘贴到半导体晶片上。此时，晶片安装装置，当薄膜检测用光的透射率变化吋，即光的透射率从仅仅保护薄膜的透射率变为保护薄膜与切割薄膜的合计透射率时，判断检测到切割薄膜，将该位置作为切割薄膜的位置的基准，以不引起位置偏移的方式将半导体晶片粘贴到切割薄膜上。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开昭60-57642号公报
技术实现思路
但是，以往的晶片安装装置存在如下问题不能检测到保护薄膜上的切割薄膜，对于未检测到的切割薄膜而言，薄膜原样被移送而未被使用，此时产生停机时间。另外，存在如下问题由于检测延迟，在产生位置偏移的状态下半导体晶片被粘贴到切割薄膜上。本专利技术鉴于所述问题而创立，其目的在于提供可以缩短停机时间并且可以在不引起位置偏移的情况下将切割薄膜粘贴到半导体晶片上的带有保护薄膜的切割薄膜。本申请专利技术人为了解决所述现有问题对带有保护薄膜的切割薄膜进行了研究。结果发现，通过采用下述的构成，可以缩短停机时间并且可以在不引起位置偏移的情况下将切割薄膜粘贴到半导体晶片上，从而完成了本专利技术。S卩，本专利技术的带有保护膜的切割薄膜，通过将切割薄膜与保护薄膜层叠而得到，其特征在于，所述保护薄膜对波长600 700nm的透射率与所述切割薄膜的薄膜检测用光最先透射的部分中所述带有保护薄膜的切割薄膜对波长600 700nm的透射率之差为20%以上。根据所述构成，所述保护薄膜对波长600 700nm的透射率与所述切割薄膜的薄膜检测用光最先透射的部分中所述带有保护薄膜的切割薄膜对波长600 700nm的透射率之差为20%以上，因此检测薄膜检测用光的传感器，能够可靠地检测从仅仅保护薄膜的透射率到包括切割薄膜的带有保护薄膜的切割薄膜的透射率的变化。结果，可以防止未检测到的切割薄膜被移送而未被使用，可以减少其间的停机时间。另外，可以防止由于检测延迟而在产生位置偏移的状态下半导体晶片被粘贴到切割薄膜上的情况，可以在不引起位置偏移的情况下将切割薄膜粘贴到半导体晶片上。所述构成中，优选所述切割薄膜具有基材和层叠在所述基材上的粘合剂层，所述基材进行了压花处理。所述基材上实施有压花处理时，可以更可靠地使仅仅保护薄膜的透射率与包括切割薄膜的带有保护薄膜的切割薄膜的透射率之差为20%以上。所述构成中，优选所述切割薄膜具有基材和层叠在所述基材上的粘合剂层，所述基材被着色。所述基材被着色时，可以更可靠地使仅仅保护薄膜的透射率与包括切割薄膜的带有保护薄膜的切割薄膜的透射率之差为20%以上。所述构成中，优选所述切割薄膜的薄膜检测用光最先透射的部分中所述带有保护薄膜的切割薄膜的透射率为0% 70%。所述透射率为0% 70%时，易于使所述透射率的差为20%以上。所述构成中，优选所述保护薄膜的透射率为75% 100%。所述透射率为75% 100%时，易于使所述透射率的差为20%以上。所述构成中，优选在所述切割薄膜的所述粘合剂层上，层叠有芯片接合薄膜。在切割薄膜的粘合剂层上层叠有芯片接合薄膜时，可以省略粘贴芯片接合薄膜的エ序，可以提闻制造效率。附图说明图1(a)是表示本专利技术的一个实施方式的带有保护薄膜的切割薄膜的示意剖视图，(b)为其俯视图。图2是表示图I (a)和图I (b)所示的带有保护薄膜的切割薄膜的一部分的示意剖视图。图3是表示另ー实施方式的带有保护薄膜的切割薄膜的示意剖视图。图4(a)、(b)是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的示意剖视图。图5是表示通过图I和图2所示的带有保护薄膜的切割薄膜中的胶粘剂层安装半导体芯片的一例的示意剖视图。标号说明I 基材2粘合剂层3芯片接合薄膜4半导体晶片5半导体芯片6被粘物7 焊线8密封树脂、10、20带有保护薄膜的切割薄膜11切割薄膜14保护薄膜15印刷层具体实施例方式(带有保护薄膜的切割薄膜)对于本专利技术的一个实施方式的带有保护薄膜的切割薄膜，以下进行说明。图I (a)是表示本专利技术的一个实施方式的带有保护薄膜的切割薄膜的示意剖视图，(b)为其俯视图。图2是表示图1(a)和图1(b)所示的带有保护薄膜的切割薄膜的一部分的示意剖视图。如图1(a)、图1(b)所示，带有保护薄膜的切割薄膜10具有在长尺寸的保护薄膜14上层叠有俯视为圆形的切割薄膜11的构成。切割薄膜11具有在基材I上层叠有粘合剂层2的构成，在粘合剂层2上层叠有直径比切割薄膜11小的芯片接合薄膜3。切割薄膜11以使保护薄膜14与粘合剂层2和芯片接合薄膜3对向的方式层叠在保护薄膜14上。另夕卜，本专利技术中，也可以不层叠有芯片接合薄膜。带有保护薄膜的切割薄膜10，在半导体装置的制造エ序中，沿一定方向(图1(b)中为左向)绕出，并且在保护薄膜14的宽度方向中央部分16照射薄膜检测用光し此时，保护薄膜14对波长600 700nm的透射率Tl (參考图I (a))与切割薄膜11的薄膜检测用光L最先透射的部分17中带有保护薄膜的切割薄膜10(本实施方式中，为保护薄膜14与切割薄膜11的层叠部分)对波长600 700nm的透射率T2(參考图I (a))之差为20%以上。所述透射率之差优选为20%以上且40%以下，更优选30%以上且40%以下。所述透射率之差为20%以上，因此检测薄膜检测用光的传感器可以可靠地识别从仅仅保护薄膜14的透射率Tl到保护薄膜14与切割薄膜11的层叠部分的透射率T2的变化。结果，可以防止不能检测到的切割薄膜被移送而未被使用的情况，可以减少其间的停机时间。另外，可以在不引起位置偏移的情况下将切割薄膜粘贴到半导体芯片上。透射率Tl优选为75% 100%，更优选80% 100%，进ー步优选85% 100%。透射率Tl为75% 100%时，易于使所述透射率之差为20%以上。透射率T2优选为O % 70 %，更优选O % 65 %，进ー步优选O % 65 %。透射率T2为0% 70%时，易于使所述透射率之差为20%以上。所述基材I优选使用具有紫外线透射性的基材，其作为切割薄膜11的強度母体。可以列举例如聚烯烃如低密度聚こ烯、线性聚こ烯、中密度聚こ烯、高密度聚こ烯、超低密度聚こ烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等、こ烯-こ酸こ烯酯共聚物、离聚物树脂、こ烯_(甲基)丙烯酸共聚物、こ烯_(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、こ烯-丁烯共聚物、こ烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚酯如聚对苯ニ甲酸こニ醇酯、聚萘ニ甲酸こニ醇酯等、聚碳酸酷、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(纸)、玻璃、玻璃布、含氟树脂、聚氯こ烯、聚偏ニ氯こ烯、纤维素类树脂、聚硅氧烷树脂、金属(箔)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.11 JP 2011-0543041.一种带有保护薄膜的切割薄膜，通过将切割薄膜与保护薄膜层叠而得到，其特征在于， 所述保护薄膜对波长600 700nm的透射率与所述切割薄膜的薄膜检测用光最先透射的部分中所述带有保护薄膜的切割薄膜对波长600 700nm的透射率之差为20%以上。2.如权利要求I所述的带有保护薄膜的切割薄膜，其特征在于， 所述切割薄膜具有基材和层叠在所述基材上的粘合剂层， 所述基材进行了压花处理。3.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：宍户雄一郎，松村健，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：