导电膜及其制造方法、以及触摸屏技术

本发明专利技术的目的在于提供在不会引起膜剥离的情况下大幅提高透明性及导电性的导电膜以及该导电膜的制造方法、以及触摸屏。本发明专利技术提供一种导电膜的制造方法，其特征在于，包括：含金属纳米线的膜的制作工序，该工序制作含有金属纳米线以及分散剂的含金属纳米线的膜；和浸渍工序，该工序将所述含金属纳米线的膜浸渍在浸渍液中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在不会引起膜剥离的情况下大幅提高透明性及导电性的导电膜及该导电膜的制造方法、以及触摸屏(也称为触摸面板)。
技术介绍
—直以来，关于涂布含有导电性微粒的分散液而成的导电膜 ，有多种提案。但是，这些提案具有如下问题可能是因为微粒分散所需要的分散剂存在在微粒间界面处，因此不进行高温处理时，难以得到均匀并且充分的导电性。因此，从減少微粒间界面的观点出发，提出了如下方法将使用多元醇法制备的银纳米线分散液经过离心分离エ序进行溶剂置换，从而制造银纳米线分散液(參照专利文献I以及2)。这些提案是制备银纳米线分散液，涂布该银纳米线分散液，并使其干燥，由此形成导电膜，随着微粒间界面的減少，可以减少用于得到导电性的金属量，从而也能够形成透明导电膜。但是，这些提案存在如下课题可能是因为在分散液中存在银纳米线以外的金属微粒等，因此难以得到充分的透明性，另外，可能是因为在涂膜中残存分散剂，因此无法得到充分的导电性。因此，目前期望快速提供不会引起膜剥离且同时具有能够充分令人满意的导电性以及透明性的导电膜以及该导电膜的制造方法。现有技术文献专利文献专利文献I :美国专利申请公开第2005/0056118号说明书专利文献2 :美国专利申请公开第2007/0074316号说明书
技术实现思路
专利技术所要解决的课题 本专利技术的目的在于，提供在不会引起膜剥离的情况下大幅提高透明性及导电性的导电膜以及该导电膜的制造方法、以及触摸屏。用于解决课题的手段为了解决上述课题，本专利技术者们反复进行了深入的研究，结果发现，通过将含有金属纳米线以及分散剂的含金属纳米线的膜浸溃在浸溃液中，可以除去含金属纳米线的膜中的分散剂和剩余的粒子等，得到在不会引起膜剥离的情况下提高透明性及导电性的导电膜。本专利技术是基于本专利技术者们的上述见解而完成的，作为用于解决上述课题的手段，如下所示。即，<1> 一种导电膜的制造方法，其特征在于，包括含金属纳米线的膜的制作エ序，该エ序制作含有金属纳米线以及分散剂的含金属纳米线的膜；和浸溃エ序，该エ序将上述含金属纳米线的膜浸溃在浸溃液中。<2>上述〈1>所述的导电膜的制造方法，其中，浸溃液是能够将含金属纳米线的膜中的分散剂溶解的溶剤。<3>上述〈1>或〈2>所述的导电膜的制造方法，其中，浸溃液为选自こ醇、こニ醇、甲醇以及水中的至少ー种。<4>上述〈1>至〈3>中任一项所述的导电膜的制造方法，其中，分散剂为离子性表面活性剤。<5>上述〈4>所述的导电膜的制造方法，其中，离子性表面活性剂为烷基季铵盐。 <6>上述〈1>至く5>中任一项所述的导电膜的制造方法，其中，金属纳米线含有银。<7>上述〈1>至〈6>中任一项所述的导电膜的制造方法，其中，金属纳米线的平均短轴长度为50nm以下，并且平均长轴长度为5 μ m以上，在全部金属粒子中包含以金属量计为50质量％以上的短轴长度为50nm以下并且长轴长度为5μηι以上的金属纳米线。<8>上述〈1>至〈7>中任一项所述的导电膜的制造方法，其中，金属纳米线的短轴长度的变异系数为40%以下。<9>上述〈1>至〈8>中任一项所述的导电膜的制造方法，其中，金属纳米线的截面形状是角变圆的形状。〈10>上述〈1>至〈9>中任一项所述的导电膜的制造方法，其中，金属纳米线的截面形状的尖锐度为75%以下。<11>上述〈1>至〈10>中任一项所述的导电膜的制造方法，其中，含金属纳米线的膜的制作是通过将含有金属纳米线以及分散剂的金属纳米线分散液涂布在基材上并使其干燥来进行的。<12> 一种导电膜，其特征在于，其是通过上述〈1>至〈11>中任一项所述的导电膜的制造方法来制造的。<13> ー种触摸屏，其特征在于，使用了上述〈12>所述的导电膜。<14> 一种显示元件，其特征在于，使用了上述〈12>所述的导电膜。〈15>—种集成型太阳能电池，其特征在于，使用了上述〈12>所述的导电膜。专利技术效果根据本专利技术，能够解决以往的上述各问题，能够提供在不会引起膜剥离的情况下大幅提高透明性及导电性的导电膜及该导电膜的制造方法、以及触摸屏。附图说明图I是表示求出金属纳米线的尖鋭度的方法的说明图。图2是表示触摸屏的ー个例子的概略截面图。图3是表示触摸屏的另一个例子的概略说明图。图4是表示图3所示的触摸屏中的导电膜的配置例的概略俯视图。图5是表示触摸屏的又一个例子的概略截面图。具体实施方式(导电膜以及导电膜的制造方法)本专利技术的导电膜的制造方法至少包括含金属纳米线的膜的制作エ序和浸溃エ序,根据需要还包括其他エ序。 本专利技术的导电膜是通过本专利技术的导电膜的制造方法来制造的。以下，通过本专利技术的导电膜的制造方法的说明，使本专利技术的导电膜的细节也明确化。〈含金属纳米线的膜的制作エ序〉上述含金属纳米线的膜的制作エ序是制作至少含有金属纳米线以及分散剂的含金属纳米线的膜的エ序。此时，上述含金属纳米线的膜的制作优选是通过将至少含有金属纳米线以及分散剂的金属纳米线分散液涂布在基材上并使其干燥来进行的。 金属纳米线分散液>>上述金属纳米线分散液至少含有金属纳米线以及分散剂，还含有溶剂、根据需要的其他成分。-金属纳米线-上述金属纳米线的平均短轴长度(直径)为50nm以下，并且平均长轴长度(长度)为5 μ m以上，具有这样的直径以及长度的金属纳米线在全部金属粒子中的含量以金属量计为50质量％以上。本专利技术中，上述金属纳米线是指长径比(长度/直径)为30以上的金属微粒。上述金属纳米线的平均短轴长度为50nm以下，优选为35nm以下，更优选为20nm以下。需要说明的是，上述平均短轴长度过小时，有时耐氧化性变差，耐久性变差，因此上述短轴长度优选为5nm以上。另ー方面，上述平均短轴长度超过50nm时，可能是因为产生金属纳米线引起的散射，因此有时不能得到充分的透明性。上述金属纳米线的平均长轴长度为5 μ m以上，优选为10 μ m以上，更优选为30 μ m以上。需要说明的是，金属纳米线的长轴的长度过长时，可能是因为在金属纳米线制造时缠绕，因此有时在制造过程中产生凝聚物，因而，上述长轴的长度优选为Imm以下。上述平均长轴长度低于5 μ m吋，可能是因为难以形成密集的网络，因此有时不能得到充分的导电性。在此，关于上述金属纳米线的平均短轴长度以及平均长轴长度，例如，可以使用透射型电子显微镜(TEM)和光学显微镜来观察TEM像和光学显微镜像而求得；本专利技术中，金属纳米线的短轴长度以及长轴长度是通过透射型电子显微镜(TEM)观察300个金属纳米线、由其平均值求出的。本专利技术中，短轴长度为50nm以下并且长轴长度为5 μ m以上的金属纳米线在全部金属粒子中的含量以金属量计为50质量％以上，优选为60质量％以上，更优选为75质量％ 以上。上述短轴长度为50nm以下、长轴长度为5 μ m以上的金属纳米线的比例(以下，也有时称为“适当线化率”)低于50质量％时，可能是因为有助于传导的金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.25 JP 2009-2953181.一种导电膜的制造方法，其特征在于，包括 含金属纳米线的膜的制作エ序，该エ序制作含有金属纳米线以及分散剂的含金属纳米线的膜；和 浸溃エ序，该エ序将所述含金属纳米线的膜浸溃在浸溃液中。2.根据权利要求I所述的导电膜的制造方法，其中，浸溃液是能够将含金属纳米线的膜中的分散剂溶解的溶剤。3.根据权利要求I或2所述的导电膜的制造方法，其中，浸溃液为选自こ醇、こニ醇、甲醇以及水中的至少ー种。4.根据权利要求I至3中任一项所述的导电膜的制造方法，其中，分散剂为离子性表面活性剤。5.根据权利要求4所述的导电膜的制造方法，其中，离子性表面活性剂为烷基季铵盐。6.根据权利要求I至5中任一项所述的导电膜的制造方法，其中，金属纳米线含有银。7.根据权利要求I至6中任一项所述的导电膜的制造方法，其中，金属纳米线...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫城岛规，直井宪次，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：