本发明专利技术提供一种弹性表面波装置，其能够提高机电耦合系数，在用作频带滤波器的情况下，能够减小通频带内最大插入损耗。该弹性表面波装置在压电基板(2)上层叠有电极(3)以及电介质层(10)，电极(3)具有由Pt、Au、Ag或者Cu构成的第1电极膜(3a)、和由Al构成的第2电极膜(3b)，第1电极膜(3a)的标准化膜厚h/λ在Pt的情况下为0.005以上0.015以下，Al膜的标准化膜厚h/λ为0.06以上0.185以下，电介质层(10)的标准化膜厚h/λ被设为0.2以下。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用于谐振器和频带滤波器等的弹性表面波装置，更详细来说，涉及在压电基板上形成有IDT电极以及电介质膜的弹性表面波装置。
技术介绍
以往，弹性表面波装置被广泛用作通信设备的谐振器或频带滤波器。例如，在下述的专利文献I中，公开了一种在压电基板上层叠IDT电极以及由SiO2构成的电介质膜而形成的弹性表面波装置。在此，通过按照覆盖IDT电极的方式形成SiO2膜，能够减小频率温度系数TCF的绝对值从而改善温度特性。此外，由于IDT电极具有层叠 了各种金属膜的构造，因此通过使各金属膜的膜厚处于特定的范围，能够调整表面波的反射强度。另外，由SiO2构成的电介质膜的膜厚被设为弹性表面波的波长\的20 40%程度。(在先技术文献)(专利文献)专利文献I JP特表2008-522514号公报(专利技术的概要)(专利技术要解决的课题)但是，在专利文献I中记载的弹性表面波装置中，由于插入损耗不小，因此希望更进一步减小插入损耗。此外，电介质膜的厚度比较厚，为波长的20% 40%程度。因此，机电耦合系数并不那么大，在用作频带滤波器的情况下，难以实现宽频带化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种能够消除上述的现有技术的缺点，充分减小插入损耗的弹性表面波装置。(解决课题的手段)本申请的第I专利技术所涉及的弹性表面波装置，具备压电基板；IDT电极，其形成于所述压电基板上，具有Pt膜、和层叠在Pt膜上的Al膜；和电介质层，其在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的方式设置。在此，当假设弹性表面波的波长为\时，所述Al膜的标准化(normalization)膜厚h/ X为0. 06 < h/ X <0. 185,所述Pt膜的标准化膜厚h/入为0. 005 < h/ X ( 0. 015，所述电介质层的标准化膜厚h/ A被设为所述IDT电极的标准化膜厚彡h/入彡0.2。本申请的第2专利技术所涉及的弹性表面波装置，具备压电基板；IDT电极，其形成于所述压电基板上，具有Au膜、和层叠在Au膜上的Al膜；和电介质层，其在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的方式设置。在此，当假设弹性表面波的波长为\时，所述Al膜的标准化膜厚h/入为0. 06彡h/入^ 0. 183，所述Au膜的标准化膜厚h/入为0. 0056 ( h/入<0.017，所述电介质层的标准化膜厚h/X被设为所述IDT电极的标准化膜厚Sh/入 < 0. 2。本申请的第3专利技术所涉及的弹性表面波装置，具备压电基板；IDT电极，其形成于所述压电基板上，具有Ag膜、和层叠在Ag膜上的Al膜；和电介质层，其在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的方式设置。在此，当假设弹性表面波的波长为\时，所述Al膜的标准化膜厚h/入为0. 06彡h/入彡0. 17，所述Ag膜的标准化膜厚h/入为0. 01彡h/入<0.03，所述电介质层的标准化膜厚h/X被设为所述IDT电极的标准化膜厚Sh/入 < 0. 2。本申请的第4专利技术所涉及的弹性表面波装置，具备压电基板；IDT电极，其形成在所述压电基板上，具有Cu膜、和层叠在Cu膜上的Al膜；和电介质层，其在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的方式设置。在此，当假设弹性表面波的波长为\时，所述Al膜的标准化膜厚h/入为0. 06彡h/入^ 0. 164，所述Cu膜的标准化膜厚h/入为0. 012 ( h/入< 0.036，所述电介质层的标准化膜厚h/X被设为所述IDT电极的标准化膜厚Sh/ 入 < 0. 2。在第I 第4专利技术所涉及的弹性表面波装置中，优选，压电基板由LiTaO3构成，电介质层由氧化硅构成。在此情况下，能够减小频率温度系数的绝对值，能够改善温度特性。优选，LiTaO3的切割角处于36° 49°的范围。因此，能够更进一步减小传播损耗，例如在作为频带滤波器来使用的情况下能够更进一步改善滤波器特性。(专利技术的效果)在第I专利技术所涉及的弹性表面波装置中，形成有将上述特定的膜厚的Pt膜、和上述特定的膜厚的Al膜层叠而成的IDT电极。并且，电介质层的标准化膜厚被设为上述特定的范围。因此，能够充分增大机电耦合系数k2，例如在作为频带滤波器来使用的情况下，能够实现滤波器特性的改善，尤其能够实现宽频带化。而且，能够充分减小插入损耗，并且能够提高IDT电极的反射系数。在第2专利技术所涉及的弹性表面波装置中，形成有将上述特定的膜厚的Au膜、和上述特定的膜厚的Al膜层叠而成的IDT电极。并且，电介质层的标准化膜厚被设为上述特定的范围。因此，能够充分增大机电耦合系数k2，例如在作为频带滤波器来使用的情况下，能够实现滤波器特性的改善，尤其能够实现宽频带化。而且，能够充分减小插入损耗，并且能够提高IDT电极的反射系数。在第3专利技术所涉及的弹性表面波装置中，形成有将上述特定的膜厚的Ag膜、和上述特定的膜厚的Al膜层叠而成的IDT电极。并且，电介质层的标准化膜厚被设为上述特定的范围。因此，能够充分增大机电耦合系数k2，例如在作为频带滤波器来使用的情况下，能够实现滤波器特性的改善，尤其能够实现宽频带化。而且，能够充分减小插入损耗，并且能够提高IDT电极的反射系数。在第4专利技术所涉及的弹性表面波装置中，形成有将上述特定的膜厚的Cu膜、和上述特定的膜厚的Al膜层叠而成的IDT电极。并且，电介质层的标准化膜厚被设为上述特定的范围。因此，能够充分增大机电耦合系数k2，例如在作为频带滤波器来使用的情况下，能够实现滤波器特性的改善，尤其能够实现宽频带化。而且，能够充分减小插入损耗，并且能够提高IDT电极的反射系数。附图说明图I是表示本专利技术的第I实施方式所涉及的弹性表面波装置的电极构造的示意剖面图。图2是在本专利技术的第I实施方式的弹性表面波装置中，去掉电介质膜，示意性地表示下方的电极构造的俯视剖面图。图3是表示本专利技术的一个实施方式的弹性表面波装置的衰减特性的图。图4是表示在关于本专利技术的第I实施方式的实验例中，使Al膜的标准化膜厚h/A (% )变化的情况下的衰减特性的变化的图。图5是表示在本专利技术的第I实施方式中，使构成IDT电极的Al膜的标准化膜厚h/A (% )变化的情况下的通频带内的最大损耗的变化的图。图6是表示在本专利技术的第2实施方式的弹性表面波装置中，使构成IDT电极的Pt的标准化膜厚h/X (% )变化的情况下的衰减特性的变化的图。图7是表示在本专利技术的第2实施方式中，使构成IDT电极的Pt膜的标准化膜厚h/A (% )变化的情况下的通频带内的最大损耗的变化的图。图8是表示在本专利技术的第2实施方式中，使构成IDT电极的Pt膜的标准化膜厚h/A (% )变化的情况下的反射系数的变化的图。图9是表示在本专利技术的第3实施方式的弹性表面波装置中，使SiO2的标准化膜厚变化的情况下的弹性表面波装置的衰减特性的变化的图。图10是表示在本专利技术的第3实施方式中，使SiO2的标准化膜厚h/入(％ )变化的情况下的机电耦合系数k2%以及频率温度系数TCF的变化的图。图11是表示在本专利技术的第3实施方式的弹性表面波装置中，使LiTaO3的切割角变化的情况下的集中度以及通频带内最大损耗的变化的图。图12是在本专利技术的第3实施方式的弹性表面波装置中，使LiTaO3的切割角变化本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：中桥宪彦，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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