【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利说明JgJ;m 1(DDR)tJO 110 nJ^ê DDRffiit 120 MWi^^MnMM^M^Wk (DIMM) 130 \\%%%ì%100DDR fflM,iJ=L33SnT^ Piii)P tJl ommm ^ ê: i, w (NAND^N0R), #fü^,^o T DDR(technology scaling)DDR ffiijê iffc oDDRMM ì#BMlpMSjk°üip DDR mmm / sicü;&piLiM￥#^$Jü;&pm 1(DDR) 2m 3i +MMtm ^ éKJ— ocoon] m 4^mmimm 5f Mf rafriffli Wff TliinT^SIo ìmm0a 2 2Wètìfiftill (￡fê )210 WMI^ 200o M^^ 200200 ' .fê&SUg/ê'# 290,290 ii—(^fJO210o(^iO210 nI iii *ii|BaEf fIo ￡-4*, (Mià%^W 2904*,nT ffléi^sfê o(^^)210^ê...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·K·钦纳斯瓦密，R·B·奥斯本，E·W·彼得，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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