【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种硫钝化与快速热退火二步法处理η型GaSb衬底的方法,属于半导体器件制备
技术介绍
与GaSb衬底晶格匹配的对应三元、四元GaSb基半导体材料的光谱范围在I. 5 4. 3 μ m之间,在光纤通信、气体特征谱线检测以及生化制品检出等方面具有十分广阔的应用前景,目前,GaSb及材料被广泛用于制备红外光纤传输的激光器和探测器。此外,GaSb材料的电子迁移率比GaAs材料高很多,使得它在制作微波器件方面具有很好的应用前景。根据η型GaSb材料自身特性,其不稳定机理大致可表示为2GaSb+302 — Ga203+Sb2032GaSb+Sb203 — Ga203+4Sb以上自发化学过程中产生的很小量的Sb薄层,已经足够使材料的表面复合率以及表面漏电流大大增加,使得GaSb材料的可靠性大大降低,严重影响到器件的可靠性和性倉泛。本专利技术采用的S2Cl2处理结合快速热退火处理是有效的钝化处理方案。首先,S2Cl2处理反应速度快,并且用CCl4对S2Cl2稀释可有效控制腐蚀速度,S2Cl2处理可以达到既去氧又钝化的效果,但是经硫化处理后的η型GaSb在空气中容易被重新氧化,降低钝化本良好的效果。快速热退火具有杂质激活率高、再分布小、损伤缺陷消除好等优点,结合RTA处理,可防止硫化后的η型GaSb再次被氧化,完善并提高钝化效果,因此S2Cl2处理结合快速热退火处理η型GaSb是很有效的钝化方法。本专利技术提出了一种硫钝化与快速热退火二步法处理GaSb衬底的方法,采用硫钝化与快速热退火结合处理GaSb衬底,能更大程度降低η型GaSb表面复合率,改善 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈芳,李占国,刘国军,魏志鹏,马晓辉,徐莉,周璐,张晶,李梅,安宁,王博,张升云,田珊珊,高娴,刘超,单少杰,孙鹏,刘晓轩,
申请(专利权)人:长春理工大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。