研磨垫制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种研磨垫，其具有具备相分离结构的研磨层，研磨速度大，平坦化特性优良，能够抑制划痕的产生。本发明专利技术的研磨垫，具有研磨层，所述研磨垫的特征在于，所述研磨层由含有异氰酸酯封端预聚物(A)、异氰酸酯封端预聚物(B)以及增链剂的聚氨酯原料组合物的反应固化物形成，其中，所述异氰酸酯封端预聚物(A)通过使包含异氰酸酯成分和聚酯系多元醇的预聚物原料组合物(a)反应而得到，所述异氰酸酯封端预聚物(B)通过使包含异氰酸酯成分和聚醚系多元醇的预聚物原料组合物(b)反应而得到，且所述反应固化物具有相分离结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种研磨垫，其能够稳定并且以高研磨效率进行透镜、反射镜等光学材料及硅晶片、硬盘用的玻璃衬底、铝衬底以及一般的金属研磨加工等要求高度表面平坦性的材料的平坦化加工。本专利技术的研磨垫，特别适合用于将硅晶片以及在其上形成有氧化物层、金属层等的器件在进一步层压/形成这些氧化物层或金属层之前进行平坦化的工序。
技术介绍
作为要求高度表面平坦性的代表性材料，可以列举用于制造半导体集成电路(1C、LSI)的被称为硅晶片的单晶硅的圆盘。在1C、LSI等的制造工序中，为了使电路形成中使用的各种薄膜形成可靠的半导体接合，在层压/形成氧化物层或金属层的各工序中，要求对硅晶片表面进行高精度且平坦的精加工。在这样的研磨精加工工序中，一般研磨垫固着在被称为压板(platen)的可旋转的支撑圆盘上，半导体晶片等加工物固着在研磨头上。通过双方的运动，压板与研磨头之间产生相对速度，并且通过向研磨垫上连续供给包含磨粒的研磨浆料，进行研磨操作。作为研磨垫的研磨特性，要求被研磨材料的平坦性(平面性)及面内均匀性优良，并且研磨速度大。对于被研磨材料的平坦性、面内均匀性可以通过提高研磨层的弹性模量而得到某种程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.25 JP 2010-040696;2011.02.03 JP 2011-021991.一种研磨垫，具有研磨层，所述研磨垫的特征在于，所述研磨层由含有异氰酸酯封端预聚物(A)、异氰酸酯封端预聚物(B)以及增链剂的聚氨酯原料组合物的反应固化物形成，其中，所述异氰酸酯封端预聚物(A)通过使包含异氰酸酯成分和聚酯系多元醇的预聚物原料组合物(a)反应而得到，所述异氰酸酯封端预聚物(B)通过使包含异氰酸酯成分和聚醚系多元醇的预聚物原料组合物(b)反应而得到，且所述反应固化物具有相...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水绅司，数野淳，
申请(专利权)人：东洋橡胶工业株式会社，
类型：发明
国别省市：