本发明专利技术提供一种RI制造装置，其能够在维修配置于自屏蔽体内的设备时，降低被放射化的靶辐射的危险，并能够缩短用于衰减放射线的待机时间。一种RI制造装置(1)，其具有加速带电粒子的加速器(2)、被照射带电粒子束的靶(3)及包围这些加速器(2)及靶(3)来屏蔽放射线的自屏蔽体(6)，其结构设为具备在自屏蔽体(6)与加速器(2)之间包围靶(3)来屏蔽放射线的靶屏蔽体(7、8)。即使在开放自屏蔽体(6)的情况下，来自靶(3)的放射线也会被靶屏蔽体(7、8)屏蔽，因此在维修靶(3)以外的设备时，不用等待放射线衰减也能够进行操作。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种RI (放射性同位素)制造装置。
技术介绍
例如在用于正电子发射计算机断层显像(PET ；Positron Emission Tomography)的、在以放射性元素标记的检查用药剂的制造或放射线治疗中，使用回旋加速器等粒子加速器。启动粒子加速器时，由于产生中子束或伽马射线等放射线，因此需要屏蔽放射线。一直以来，通过由放射线屏蔽壁体覆盖设置有粒子加速器的建筑物自身来屏蔽放射线，但是近几年从谋求降低建筑物重量及成本的观点出发，开发了通过放射线屏蔽壁体包围粒子加速器自身来屏蔽的所谓自屏蔽型粒子加速器系统(例如，参考专利文献I)。专利文献I所述的加速器系统如下构成即包围加速器自身的自屏蔽体(放射线屏蔽壁体)形成为被分割成固定侧的放射线屏蔽壁体与可动侧的放射线屏蔽壁体，以便移动可动侧的放射线屏蔽壁体来开放内部的结构。例如，在维修作为加速器的回旋加速器时，通过移动可动侧块体来开放内部，从而能够轻松进入内部。专利文献I :日本特开2005-127901号公报制造RI的RI制造装置的靶由于直接暴露于带电粒子束，因此由于每天的运行而进行放射化。若进行放射化，则即使为停止运行后(停止照射带电粒子束后)，也从靶放射放射线，因此在维修设置于自屏蔽体内部的靶以外的设备时，需要等待放射线衰减才可开放自屏蔽体。因此，有运行停止时间变长之类的问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述情况而成，其目的在于提供如下的RI制造装置，即在维修配置于自屏蔽体内的设备时，能够降低被放射化的靶辐射的危险，并能够缩短用于衰减放射线的待机时间。本专利技术的RI制造装置，其特征在于，具备加速带电粒子的加速器；照射由加速器加速的带电粒子来制造放射性同位素的靶；作为包围加速器及靶来屏蔽放射线的壁体的自屏蔽体；及配置于自屏蔽体与加速器之间，作为包围靶来屏蔽放射线的壁体的靶屏蔽体。根据如此构成的RI制造装置，由于其结构为在比自屏蔽体更靠内侧，具备作为包围靶来屏蔽放射线的壁体的靶屏蔽体，因此能够屏蔽从放射化的靶放射的放射线。因此，即使开放自屏蔽体，来自靶的放射线也会被靶屏蔽体屏蔽，因此在维修配置为比自屏蔽体更靠内侧的靶以外的设备时，不用等待放射线衰减也能够进行操作，并能够降低操作者被辐射的危险。而且，由于是在比自屏蔽体更靠内侧具备靶屏蔽体的结构，因此配置在比靶屏蔽体更靠外侧的自屏蔽体以比以往更少的屏蔽材料产生与以往相同的屏蔽效果。其中，优选靶屏蔽体为具备屏蔽伽马射线的伽马射线屏蔽板及配置于该伽马射线屏蔽板的靶侧且屏蔽中子束的中子束屏蔽板的结构。如此若为在靶侧具备中子束屏蔽板且在其外侧具备伽马射线屏蔽板的结构，则能够通过外侧的伽马射线屏蔽板屏蔽因中子束碰撞中子束屏蔽板而产生的伽马射线。而且，优选自屏蔽体由多个零件组成，多个零件中的至少一个为可移动的结构，靶屏蔽体具有可开关的门，门与邻接于该门的部件的接缝形成在与自屏蔽体的多个零件之间的接缝偏离的位置。如此，若在靶屏蔽体上设置门，则在维修配置于内侧的靶时，能够通过开放门来轻松进入，因此能够轻松完成靶的更换操作等维修操作。而且，通过将靶屏蔽体的门的接缝与外侧的自屏蔽体的接缝配置在偏离的位置，从而能够避免上述两个接缝配置于相同直线上，从而防止放射线从接缝透射的危险。而且，优选使导出靶内的放射性同位素的导出管通过的缺口部设置于靶屏蔽体的下表面侧。容纳于靶内的放射性同位素通过导出管导出至RI制造装置的外部。此时，若在屏蔽放射线的需求较少的靶的下表面侧设置使导出管通过的缺口部，则通过该缺口部的放射线碰撞底面而反射并被衰减，而且，因反射而使距离增加，并且由距离引起的衰减变大，由此可以降低操作者被辐射的危险。而且，在维修时，操作者无需进入靶屏蔽体的正下方，因此也无需考虑被直射下方的放射线辐射，所以即使在无覆盖靶的底面侧的放射线屏蔽壁体的情况下，也不会尤其成为问题。专利技术效果如此根据本专利技术，由于具备包围靶来屏蔽放射线的靶屏蔽体，因此即使在开放自屏蔽体的情况下，也能够降低被放射化的靶辐射的危险，在维修配置于自屏蔽体内的靶以外的设备时，能够缩短用于衰减放射线的待机时间，并能够缩短运行停止时间。附图说明图I是本专利技术的实施方式所涉及的RI制造装置的沿XY面的截面图。图2是本专利技术的实施方式所涉及的RI制造装置的沿ZX面的截面图。图3是本专利技术的实施方式所涉及的RI制造装置的沿XY面的截面图，是表示开放靶屏蔽体的状态的图。图4是表示本专利技术的实施方式所涉及的RI制造装置的加速器的立体图。图5是放大表示本专利技术的实施方式所涉及的RI制造装置的靶屏蔽体(左侧)的截面图。图6是放大表示本专利技术的实施方式所涉及的RI制造装置的靶屏蔽体(右侧)的截面图。图中1-RI制造装置，2-加速器，3-靶，4-真空泵，5-导出软管，6-自屏蔽体，7、8-靶屏蔽体，71,81-正面板，72,82-侧面板，73,83-背面板，74,84-顶板，75-底板，75a_缺口部，78、88_铰链，S-内部空间。具体实施方式以下，参考图I至图6对根据本专利技术的RI制造装置的优选的实施方式进行说明。另外，在附图说明中，对相同或相当要件附加相同符号，并省略重复说明。而且，上下左右等位置关系设为基于附图位置关系的关系。(RI制造装置) 图I是本专利技术的实施方式所涉及的RI制造装置的截面图。本实施方式所涉及的RI制造装置I制造放射性同位素(RI)。RI制造装置I例如可用作PET用回旋加速器，由RI制造装置I制造的RI例如用于制造作为放射性同位素标记化合物(RI化合物)的放射性药剂(包括放射性医药用品)。作为用于医院等的PET检查(正电子发射计算机断层显像检查)的放射性同位素标记化合物有18F-FLT (氟代胸苷)、18F-FMISO (18F-氟硝基咪唑)、11C-雷氯必利等。RI制造装置I为所谓自屏蔽型的粒子加速器系统，具备加速带电粒子的加速器(回旋加速器)2及作为用于包围该加速器2来屏蔽放射线的放射线屏蔽体(壁体)的自屏蔽体6。以由自屏蔽体6包围的方式形成的内部空间S中，除加速器2以外，还配置有用于制造RI的靶3、用于使加速器2的内部成为真空的真空泵4等。而且，在内部空间中，配置有加速器2运行所需的附属品、用于将靶3内的RI导出装置外的导出软管(未图示)及用于冷却靶3的附属设备等。(加速器) 如图4所示，加速器2为所谓立式回旋加速器，具有一对磁极22、真空箱23、包围这些一对磁极22及真空箱23的环状磁轭24。一对磁极22中，一部分磁极的上表面彼此在真空箱23内隔着预定间隔而相对。氢离子等带电粒子在这些一对磁极22的间隙内被多重加速。真空泵4用于维持加速器2内的真空环境，例如固定于加速器2的侧部。(靶)靶3用于接受从加速器2照射的带电粒子束来制造RI，内部形成有容纳原料(例如靶液)的容纳部。如图I及图2所示，靶3通常固定于加速器2的侧部。靶3为最暴露于带电粒子束的部位，在运行中被放射化，即使停止运行后仍放出放射线。本实施方式的RI制造装置I具备多个靶3。靶3隔着加速器2配置于图示X方向的两侧。例如，配置于图示左侧的靶3(3A)配置于上段侧，配置于图示右侧的靶3 (3B)配置于下段侧(参考图2)。导出软管连通并连接于靶3的容纳部，并形成将制造出的RI导出RI制造装置I外的流体通道。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.02 JP 045283/20111.一种放射性同位素制造装置，其特征在于，具备 加速带电粒子的加速器； 照射由所述加速器加速的所述带电粒子来制造放射性同位素的靶； 作为包围所述加速器及所述靶来屏蔽放射线的壁体的自屏蔽体；及配置于所述自屏蔽体与所述加速器之间，作为包围所述靶来屏蔽放射线的壁体的靶屏蔽体。2.如权利要求I所述的放射性同位素制造装置，其特征在于， 所述靶屏蔽体具备 屏蔽伽马射线的伽马射线屏...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中秀树，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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