一种液晶显示面板及液晶显示器制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种液晶显示面板及液晶显示器，涉及液晶显示器的制造领域，用以实现液晶显示面板的显示功能。所述液晶显示面板，包括：对盒成型的第一基板和第二基板，以及在两基板之间的液晶层；其中，所述第一基板上形成有间隔排列的第一公共电极和像素电极，所述第二基板上形成有一个层组，该层组包括：第二公共电极以及覆盖该第二公共电极的电介质层；并且，在所述第一公共电极正对的位置和在所述像素电极正对的位置，所述层组的结构不同。本发明专利技术实施例提供的方案适用于液晶显示面板及液晶显示器的生产制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器的制造领域，尤其涉及ー种液晶显示面板及液晶显示器。
技术介绍
如图I所示,VA (Vertical Alignment,垂直配向技术)液晶显示面板包括对盒成型的阵列基板01和彩膜基板02，以及在两基板之间的液晶层13 ;其中，液晶层13中液晶分子的排列方式为垂直状。參考图I所示的VA液晶显示面板，在阵列基板01上形成有第一公共电极111和 像素电极112，且两电极111、112间隔排布；在彩膜基板02上形成有第二公共电极121。在加电的情况下，三个电极间会形成倾斜电场，液晶分子在两电场的作用下偏离其所在的垂直位置，呈倾斜状，以使液晶显示面板得以透光；但是，一部分上层(接近彩膜基板的液晶层)的液晶分子，由于距离像素电极距离大，所以电场カ减小，偏离其所在垂直位置的角度较小，这样就会导致液晶显示面板的透光率较低。为了提闻这种液晶显不面板的透光率，如图2所不,现有技术在液晶显不面板厚度不变的情况下，在彩膜基板上形成有透明的电介质层122，以覆盖第二公共电极121。该电介质层122可以增大水平电场与垂直电场的比例，以使得液晶分子倾斜程度増大，从而在一定程度上提高面板的透光率。本专利技术提供另ー种液晶显示面板的方案。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供ー种液晶显示面板及液晶显示器，用以实现液晶显示面板的显示功能。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案ー种液晶显示面板，包括对盒成型的第一基板和第二基板，以及在两基板之间的液晶层；其中，所述第一基板上形成有间隔排列的第一公共电极和像素电极，所述第二基板上形成有一个层组，该层组包括第二公共电极以及覆盖该第二公共电极的电介质层；并且，在所述第一公共电极正对的位置和在所述像素电极正对的位置，所述层组的结构不同。ー种液晶显示器，包括液晶显示面板，以及为该液晶显示面板提供背光的背光源，所述液晶显示面板为上述液晶显示面板。本专利技术实施例提供的液晶显示面板及液晶显示器，在所述第一公共电极正对的位置和在所述像素电极正对的位置，所述层组的结构不同，以使得液晶层中的加电后液晶分子在电场的作用下偏离其所在的垂直位置，以使液晶显示面板得以透光，从而实现液晶显示面板的显示功能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有技术中的一种液晶显不面板的不意图；图2为现有技术中的另一种液晶显不面板的不意图；图3为实施例一提供的ー种 液晶显示面板的示意图；图4为实施例ニ提供的ー种液晶显示面板的示意图；图5为实施例ニ提供的另ー种液晶显示面板的示意图；图6为实施例ニ提供的一种液晶显不面板的不意图；图7为实施例三中方式一提供的ー种液晶显不面板的不意图；图8为实施例三中方式ニ提供的ー种液晶显示面板的示意图；图9为实施例ニ中方式_■提供的另一种液晶显不面板的不意图。附图标记01-阵列基板，02-彩膜基板；11-第一基板，12-第二基板，13-液晶层；111-第一公共电极，112-像素电极，121-第二公共电极，122-电介质层；31-第二公共电极上的狭縫，41-第二公共电极的凹状部分，42-第二公共电极的凸状部分，43-第二公共电极的凸状部分上的狭缝，61-第一电介质单元，62-第二电介质单J Li o具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术所有实施例中的液晶显不面板可以是一种VA-IPF液晶显不面板；其中，VA液晶显示面板在加电前液晶分子的排列方式为垂直状。IPF(In Plane Field，平面电场)是指加电后，该液晶显示面板主要应用水平电场驱动液晶分子在垂直平面内偏转而实现面板的透光，进而面板的显示功能；本专利技术所有实施例把具有VA和IPF这两个特点的液晶显示面板称为VA-IPF液晶显示面板。实施例一如图3所示，本专利技术实施例提供了ー种液晶显示面板，包括对盒成型的第一基板11和第二基板12，以及在两基板之间的液晶层13 ;其中，所述第一基板上形成有间隔排列的第一公共电极111和像素电极112，所述第二基板上形成有一个层组，该层组包括第二公共电极121以及覆盖该第二公共电极121的电介质层122 ;并且，在所述第一公共电极111正对的位置和在所述像素电极112正对的位置，所述层组的结构不同。通常，第一基板为阵列基板，第二基板为彩膜基板。其中，在液晶显示面板通电的情况下，施加给所述第一公共电极111和第二公共电极121的电压一致；并且，像素电极112通常与第一基板上与像素结构中的薄膜晶体管的漏极相连。通常，第一公共电极111、第二公共电极121和像素电极112都采用氧化铟锡ITO材料。优选的，所述在所述第一公共电极111正对的位置和在所述像素电极112正对的位置，所述层组的结构不同包括所述层组中的电介质层122包括间隔排布并紧密相连的第一电介质単元61和第ニ电介质单元62 ;其中，第一电介质单元61位于所述第一公共电极111正对的位置，第二电介质単元62位于所述像素电极112正对的位置；并且，所述第一电介质単元61的介电常数大于所述第二电介质单元62的介电常数。本专利技术实施例提供的方案中，介电常数较大的第一电介质单元61位于所述第一公共电极111正对的位置，介电常数较小的第一电介质单元62位于所述像素电极112正对的位置；根据物理理论知识，可以得到电介质会改变电场的强度，当在电场中放入高介电 常数的电介质时，电场的強度会有一定量的下降，反之亦然。因此，介电常数较大的第一电介质单元61处的电场强度小于介电常数较小的第二电介质单元62，由于在第二公共电极121与第一公共电极111和像素电极112间的电场强度不变，所以液晶层中在第一电介质单兀61对应处的电场强度大于第二电介质单兀62,由于电场力与电场强度成正比,所以第一电介质单元61对应的第二公共电极121与像素电极112之间形成的电场カ大于第二电介质单元62对应的第二公共电极121与像素电极112间的电场力，因此使得液晶层中形成了倾斜电场，使得液晶层中的液晶分子在加电时相对现有技术而言液晶分子偏离垂直位置倾斜角度更大，进ー步提高液晶显示面板的透光率。进ー步优选的，所述第一电介质单元61和第二电介质单元62的宽度一致。实施例ニ 如图4所示，本专利技术实施例提供了ー种液晶显示面板，包括对盒成型的第一基板11和第二基板12，以及在两基板之间的液晶层13 ;其中，所述第一基板上形成有间隔排列的第一公共电极111和像素电极112，所述第二基板上形成有一个层组，该层组包括第二公共电极121以及覆盖该第二公共电极121的电介质层122 ;并且，在所述第一公共电极111正对的位置和在所述像素电极112正对的位置，所述层组的结构不同。通常，第一基板为阵列基板，第二基板为彩膜基板。其中，在液晶显示面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种液晶显示面板，包括对盒成型的第一基板和第二基板，以及在两基板之间的液晶层；其中，所述第一基板上形成有间隔排列的第一公共电极和像素电极，所述第二基板上形成有一个层组，该层组包括第二公共电极以及覆盖该第二公共电极的电介质层；其特征在于，在所述第一公共电极正对的位置和在所述像素电极正对的位置，所述层组的结构不同。2.根据权利要求I所述的液晶显示面板，其特征在于，所述在所述第一公共电极正对的位置和在所述像素电极正对的位置，所述层组的结构不同包括 所述层组中的电介质层包括间隔排布并紧密相连的第一电介质単元和第二电介质单元；其中，第一电介质単元位于所述第一公共电极正对的位置，第二电介质単元位于所述像素电极正对的位置；并且，所述第一电介质单元的介电常数大于所述第二电介质单元的介电常数。3.根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一电介质単元和第二电介质单元的宽度一致。4.根据权利要求I 3任一项权利要求所述的液晶显示面板，其特征在于，所述在所述第一公共电极正对的位置和在所述像素电极正对的位置，所述层组的结构不同包括 所述层组中的第二公共电极上形成有狭缝，且该狭缝位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木照晃，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：