一种检测液晶基板的设备及方法技术

本发明专利技术实施例提供一种检测液晶基板的设备及方法，涉及液晶显示技术领域，能够对FFS型液晶基板进行加载电信号的检测，提高了良品率。本发明专利技术实施例提供的设备包括：透明载台、第一偏光片、第二偏光片和背光源，还包括：第一透明电极层，位于所述透明载台上方；第二透明电极层，位于所述透明载台下方；信号加载单元，与所述第一透明电极层、第二透明电极层电连接，用于向所述第一透明电极层、第二透明电极层加载电信号，以使所述第一透明电极层和所述第二透明电极层之间具有使所述透明载台上的待测液晶基板的液晶分子偏转的电场。本发明专利技术实施例用于检测FFS型液晶基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及。
技术介绍
液晶显示面板主要包括对盒成型的彩膜基板和TFT (Thin Film Transistor薄膜场效应晶体管)阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶层，在液晶显示面板的生产过程中，为了及早发现液晶显示面板中的质量问题，会对液晶显示面板是制造过程中的Q-panel(l/4面板)基板进行检測。对于Q_panel基板主要利用的是光学检测法进行检測，即在对于Q-Panel基板上下分别添加偏光片，并在该基板的像素电极上加载电压，使得Q-panel基板中的TFT基板与彩膜基板之间产生电场,从而液晶分子在电场的作用下发生偏转，当有背光源从射入时，检测人员就能够看到光线通过Q-Panel基板，进而对基板进行检測。但是，由于设计上的缺陷，目前FF S (Fringe Field Switching,边缘电场驱动)型的Q-panel (1/4面板)基板没有预留电极边，所以不能像留有电极边的TN(TwistedNematic扭曲向列)型Q-panel基板那样,在Cellエ序段利用电极边进行加载电信号的检測，只能在2nd Cutting (2次切割)之后进行ET (Electrical Test,电学测试)检测,这样的局限性大大地増加了 FFS型Q-panel基板的生产的风险，有可能造成重大的损失。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供，能够对FFS型液晶基板进行加载电イ目号的检测，提闻了良品率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种检测液晶基板的设备，包括透明载台，用于承载待测液晶基板；第一偏光片,位于所述透明载台上方；第二偏光片，位于所述透明载台下方；背光源，位于所述第二偏光片下方，所述背光源发出的光线穿过所述第二偏光片、所述透明载台到达所述第一偏光片；其特征在于，所述设备还包括第一透明电极层，位于所述透明载台上方；第二透明电极层，位于所述透明载台下方；信号加载单元，与所述第一透明电极层、第二透明电极层电连接，用于向所述第一透明电极层、第二透明电极层加载电信号，以使所述第一透明电极层和所述第二透明电极 层之间具有使所述透明载台上的待测液晶基板的液晶分子偏转的电场。一种检测液晶基板的方法，在透明载台上方，设有第一偏光片，在所述透明载台下方设有第二偏光片，在所述第二偏光片下方设有背光源，在所述透明载台上方设有第一透明电极层，在所述透明载台下方设有第二透明电极层，并且，设置信号加载单元与所述第一透明电极层、第二透明电极层连接；该检测方法包括在所述透明载物台上承载待测液晶基板；通过所述信号加载单元向所述第一透明电极层、第二透明电极层加载电信号，以使得所述第一透明电极层和所述第二透明电极层之间形成使液晶分子发生偏转的电场；将所述背光源的光线透过第二偏光片、所述透明载台，到达所述第一偏光片；通过到达所述第一偏光片的光线对所述液晶基板进行检測。本专利技术实施例提供的检测液晶基板的设备及方法，在该设备上引入平面电场，对 FFS型液晶基板进行检测时，在液晶上下加载电信号形成平面电场，使液晶中的液晶分子偏转，以使得背光源发出的光可以通过液晶，从而实现了对液晶基板的检测，提高了良品率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例提供的检测设备的结构示意图；图2为本专利技术另ー实施例提供的检测设备的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的检测设备的方法流程图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供的检测液晶基板的设备，如图I所示，包括透明载台101,用于承载待测液晶基板100。第一偏光片102,位于该透明载台101上方。第二偏光片103，位于该透明载台101下方。背光源104,位于第二偏光片103下方,该背光源104发出的光线穿过第二偏光片103、透明载台101到达第一偏光片102。该设备还包括第一透明电极层105，位于透明载台101上方。第二透明电极层106，位于透明载台101下方。信号加载单兀109,与第一透明电极层105、第二透明电极层106电连接,用于向第一透明电极层105、第二透明电极层106加载电信号，以使该第一透明电极层105和第二透明电极层106之间具有使透明载台101上的待测液晶基板100的液晶分子偏转的电场。在本专利技术实施例中，所述第一偏光片和所述第二偏光片分设于所述待测液晶基板的上下两侧。示例性的，在检测FFS型液晶基板吋，液晶基板未施加电场的液晶分子是平行基板配向(homogeneous),第一偏光片与第二偏光片的吸收轴是90度交叉配置。第二偏光片的吸收轴与液晶分子的配像相同，入射光经由平行配列的液晶层，直线前进不改变行进方向，射出光无法通过第一偏光片，所以呈现不透光的黒色状态，施加电场后，液晶分子会扭转，在液晶层产生双折射现象，改变入射光行进的方向，通过第一偏光片，呈现透光状态。在图I所示的本实施例中，示例性的，该第一透明电极层105可以为涂覆在第一偏光片102上的ー层透明导电膜，如IT0(Indium Tin Oxides，纳米铟锡金属氧化物)薄膜，同时该第一偏光片102上设有信号接点1021。第二透明电极层106可以为涂覆在第二偏光片103上的ー层透明导电膜,如ITO薄膜，同时第二偏光片103上设有信号接点1031。由于ITO薄膜具有透明导电性，所以，将ITO薄膜涂覆在偏光片上后，不会影响偏光片的工作。检测时，将没有电极边的待测的FFS型液晶基板100置于透明载台101上；开启背光源104 ；向第一偏光片102上的信号接点1021和第二偏光片103的信号接点1031加载电信号，使得第一偏光片102上的第一透明电极层105和第二偏光片103上的第二透明电极层106之间产生平面电场,使位于其中的液晶基板100的液晶发生偏转。这样，背光源104发出的光可以通过液晶基板100，进而可以通过目视检测来发现产品可能存在的不良，加强了对FFS型产品的质量管理。优选的，在本专利技术另一实施例中，如图2所示，该第一透明电极层可以为涂覆有透明导电膜，如ITO薄膜的的第一透明玻璃基板107，该第一透明玻107可以位于透明载台101与第一偏光片102之间，且该第一透明玻璃基板107的面积大于或等于待测液晶基板100的面积，第一透明玻璃基板107上设有信号接点1071。第二透明电极层可以为涂覆有透明导电膜，如ITO薄膜的第二透明玻璃基板108，该第二透明玻108可以位于透明载台101与第二偏光片103之间，且该第二透明玻璃基板108的面积大于或等于待测液晶基板100的面积，第二透明玻璃基板108上设有信号接点1081。与上ー实施例类似，检测时，将没有电极边的待测的FFS型液晶基板100置于透明载本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测液晶基板的设备，包括 透明载台，用于承载待测液晶基板； 第一偏光片，位于所述透明载台上方； 第二偏光片，位于所述透明载台下方； 背光源，位于所述第二偏光片下方，所述背光源发出的光线穿过所述第二偏光片、所述透明载台到达所述第一偏光片；其特征在于，所述设备还包括， 第一透明电极层，位于所述透明载台上方； 第二透明电极层，位于所述透明载台下方； 信号加载单元，与所述第一透明电极层、第二透明电极层电连接，用于向所述第一透明电极层、第二透明电极层加载电信号，以使所述第一透明电极层和所述第二透明电极层之间具有使所述透明载台上的待测液晶基板的液晶分子偏转的电场。2.根据权利要求I所述的检测液晶基板的设备，其特征在于，所述第一偏光片和所述第二偏光片分设于所述待测液晶基板的上下两侧，第一偏光片与第二偏光片的吸收轴是90度交叉配置。3.根据权利要求I所述的检测液晶基板的设备，其特征在于，所述第一透明电极层为涂覆在所述第一偏光片上的透明导电膜；所述第一偏光片上设有信号接点。4.根据权利要求I或3所述的检测液晶基板的设备，其特征在于，所述第二透明电极层为涂覆在所述第二偏光片上的透明导电膜；所述第二偏光片上设有信号接点。5.根据权利要求I所述的检测液晶基板的设备，其特征在于，所述第一透明电极层为涂覆有透明导电膜的第一透明玻璃基板；...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨银勇，金楻，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：