【技术实现步骤摘要】
本技术涉及改进的石墨坩埚。
技术介绍
生长硅单晶的装置一般是采用保持原料硅熔体的石英坩埚，其中该坩埚被石墨坩 埚包围，该石墨坩埚用来支撑石英坩埚并实现对石英坩埚进行均匀加热，但是现有的石墨坩埚由于结构简单，存在着传热效率低，加热缓慢，加热时间长，能耗消耗大，浪费资源等缺点，不能满足使用者的使用需求。因此，应该提供一种新的技术方案解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的是针对上述不足，提供一种结构合理、传热效率高、加热迅速的改进的石墨坩埚。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是改进的石墨坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体的侧表面设有凹槽，所述坩埚本体的底部设有ー层保温层，所述坩埚本体的底部设有排气孔。所述凹槽间隔均匀设置于坩埚本体的侧表面。所述排气孔至少为I个。所述排气孔为2个。本技术改进的石墨坩埚，坩埚本体的侧表面设有凹槽，设置凹槽是通过增加石墨坩埚外表面积来提高传热面积，可使石墨坩埚的外表面积增加一倍，达到加大传热量，快速加热的目的。坩埚本体的底部设有ー层保温层，它对坩埚本体的侧面和底部均起到保温作用，使坩埚内部的材料温度达到一致，从而提高坩埚内材料产品的品质。坩埚本体的底部设有排气孔，其可以排出坩埚内部产生的有害气体，避免其发生变形，延长其使用寿命。本技术的优点是结构合理、传热效率高、加热迅速、使用寿命久。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进ー步详细叙述。图I为本技术结构示意图。其中1、坩埚本体，2、凹槽，3、保温层，4、排气孔。具体实施方式如图I所示，本技术改进的石墨坩埚，包括坩埚本体1，坩埚本体I的侧表面设有凹槽2，坩埚本体I的底部设有ー层保温层3，坩...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.改进的石墨坩埚，包括坩埚本体，其特征在于所述坩埚本体的侧表面设有凹槽，所述坩埚本体的底部设有ー层保温层，所述坩埚本体的底部设有排气孔。2.根据权利要求I所述的改进的石墨坩埚，其...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。