衬底保持器、光刻设备、器件制造方法和制造衬底保持器的方法技术

本发明专利技术公开了一种衬底保持器、光刻设备、器件制造方法和制造衬底保持器的方法。用于光刻设备的衬底保持器具有设置在其表面上的平坦化层。该平坦化层提供平滑表面，用于形成薄膜叠层以形成电子部件。该薄膜叠层包括可选的隔离层、用于形成电极、传感器、加热器、晶体管或逻辑器件的金属层以及顶部隔离层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种衬底保持器、一种光刻设备、一种器件制造方法和一种制造衬底保持器的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀齐IJ)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每 一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。已提出将光刻投影设备中的衬底浸没在具有相对高的折射率的液体(例如，水)中，以填充介于投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一个实施例中，所述液体是蒸馏水，尽管也可使用另一种液体。将参考液体对本专利技术的实施例进行描述。然而，另一种流体也可能是适合的，特别是润湿性流体、不可压缩的流体和/或其折射率比空气的折射率更高的流体，期望地是其折射率比水的折射率更高的流体。尤其期望是除气体之外的流体。由于曝光辐射在所述液体中具有更短的波长，所以上述做法的要点在于能够使更小的特征成像。(所述液体的作用还可以看作是增加了系统的有效的数值孔径(NA)并且增大焦深)。还提出了使用其它浸没液体，包括其中悬浮有固体微粒(例如，石英)的水，或具有纳米颗粒的悬浮体(例如具有最大尺寸高达IOnm的颗粒)的液体。所悬浮的颗粒可能具有或可能不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。包括烃(例如芳香烃、氟化烃和/或水溶液)的其它液体可能也是适合的。
技术实现思路
在传统的光刻设备中，所曝光的衬底可以被衬底保持器支撑，其又由衬底台支撑。衬底保持器通常是平坦的刚性盘，形状和尺寸对应于衬底(虽然它可能具有不同的尺寸或形状)。其具有从至少一侧突出的凸起(被称作突节或突起)的阵列。在一实施例中，衬底保持器具有在两个相对侧上的凸起的阵列。在这种情形中，在衬底保持器放置在衬底台上时，衬底保持器的主体被保持在衬底台上方一小距离处，而在衬底保持器的一侧上的突节的末端位于衬底台的表面上。类似地，在衬底处在衬底保持器的相对侧上的突节的顶部上时，衬底被放置成离开衬底保持器的主体。其目的是帮助防止可能出现于衬底台或衬底保持器上的颗粒(即，诸如灰尘颗粒等污染颗粒)扭曲衬底保持器或衬底。因为突节的总表面面积仅是衬底或衬底保持器的总面积的一小部分，所以任何颗粒很可能将位于突节之间，其的出现不产生任何效应。通常，衬底保持器和衬底容纳在衬底台的凹陷中，使得衬底的上表面基本上与衬底台的上表面共平面。由于高生产量的光刻设备的使用中的衬底所经历的高加速度，不足以允许衬底简单地处在衬底保持器的突节上。它被夹持在适合的位置上。已知将衬底夹持在适合位置的两种方法真空夹持和静电夹持。在真空夹持中，衬底保持器和衬底之间以及可选地在衬底台和衬底保持器之间的空间被部分地抽真空，使得通过在其上方的气体或液体的更高压力而将衬底保持在适合位置上。然而，可以不使用真空夹持，其中在衬底或衬底保持器附近的环境和/或束路径保持在低压力或非常低压力下，例如用于极紫外(EUV)辐射光刻术。在 这种情形中，可能不可以跨过衬底(或衬底保持器)产生足够大的压力差，以将其夹持。因此可以使用静电夹持。在静电夹持中，在衬底或镀覆在其下表面上的电极与设置在衬底台和/或衬底保持器上的电极之间建立电势差。两个电极作为大的电容器，相当大的夹持力可以用合理电势差而产生。静电布置可以是使得单对电极(衬底台上的一个电极和衬底上的一个电极)一起夹持衬底台、衬底保持器和衬底的完整的叠层。在一布置中，一个或更多的电极可以设置在衬底保持器上，使得衬底保持器被夹持到衬底台上，衬底被单独地夹持到衬底保持器上。对衬底表面的温度控制是显著的，尤其是在浸没系统中，该浸没系统对由于液体(例如水)的蒸发作用而导致的温度变化是敏感的。液体从衬底的蒸发可以施加热负载至衬底，从而导致温度变化。温度变化导致衬底中的热应力，其最终可能导致重叠误差。为了实现改善的温度控制精度，期望温度的实时局部测量与主动加热相结合。这样的测量和加热系统集成到系统中，即在衬底保持器(即直接支撑衬底的物体)和/或衬底台(反射镜块或平台，即诸如支撑衬底保持器和提供围绕衬底保持器的上表面的台的物体)中。薄膜叠层可以用于制造可以测量和加热的结构。这样的结构提供了集成到衬底台或上述两者的机会。期望例如提供衬底台或衬底保持器，在其上形成了一个或更多的电子部件，诸如一个或更多的薄膜部件。根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于光刻设备中的衬底保持器，所述衬底保持器包括主体，所述主体具有表面；多个突节，所述突节从所述表面突出且具有支撑衬底的端面；平坦化层，所述平坦化层设置在所述主体的表面的至少一部分上；和薄膜叠层，所述薄膜叠层设置在所述平坦化层上且形成电子部件。根据本专利技术的一个方面，提供了一种光刻设备，所述光刻设备包括支撑结构，配置成支撑图案形成装置；投影系统，布置成将通过所述图案形成装置形成图案的束投影到衬底上；和衬底保持器，所述衬底保持器布置成保持衬底并包括主体，所述主体具有表面；多个突节，所述突节从所述表面突出且具有支撑衬底的端面；平坦化层，所述平坦化层设置在所述主体的表面的至少一部分上；和薄膜叠层，所述薄膜叠层设置在所述平坦化层上且形成电子部件。根据本专利技术的一个方面，提供了一种使用光刻设备制造器件的方法，所述方法包括以下步骤在将所述衬底保持在衬底保持器中时将通过图案形成装置形成图案的束投影到衬底上，其中所述衬底保持器 包括主体，所述主体具有表面；多个突节，所述突节从所述表面突出且具有用于支撑衬底的端面；平坦化层，所述平坦化层设置在所述主体的表面的至少一部分上；和薄膜叠层，所述薄膜叠层设置在所述平坦化层上且形成电子部件。根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于光刻设备的衬底保持器，所述衬底保持器包括主体，所述主体具有表面；多个突节，所述突节从所述表面突出且具有用于支撑衬底的端面；平坦化层，所述平坦化层设置在所述主体的表面的至少一部分上，所述平坦化层包括第一子层和第二子层，所述第二子层具有不同于所述第一子层的成分。根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造用于光刻设备中的衬底保持器的方法，所述方法包括以下步骤提供主体和多个突节，所述主体具有表面，所述突节从所述表面突出且具有用于支撑衬底的端面；和在所述主体的表面的至少一部分上形成平坦化层，其中形成所述平坦化层的步骤包括形成第一子层和在所述第一子层上形成第二子层的步骤，所述第二子层具有不同于第一子层的成分。根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造用于光刻设备中的衬底保持器的方法，所述方法包括以下步骤提供主体和多个突节，所述主体具有表面，所述突节从所述表面突出且具有用于支撑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.18 US 61/444,483;2011.04.19 US 61/477,056;1.一种用于光刻设备中的衬底保持器，所述衬底保持器包括 主体，所述主体具有表面； 多个突节，所述突节从所述表面突出且具有支撑衬底的端面； 平坦化层，所述平坦化层设置在所述主体的表面的至少一部分上；和 薄膜叠层，所述薄膜叠层设置在所述平坦化层上且形成电子部件。2.根据权利要求I所述的衬底保持器，其中所述薄膜叠层包括导电层。3.根据权利要求I或2所述的衬底保持器，其中所述导电层由金属形成，由诸如从由Cr、Al、Pt以及它们的合金构成的组中选择的金属形成。4.根据权利要求2或3所述的衬底保持器，其中所述导电层的厚度在从约20nm至约Iym的范围内。5.根据权利要求2-4中任一项所述的衬底保持器，其中所述薄膜叠层包括设置在距离所述平坦化层最远的导电层的表面上的隔离层。6.一种光刻设备，所述光刻设备包括 支撑结构，配置成支撑图案形成装置； 投影系统，布置成将通过所述图案形成装置形成图案的束投影到衬底上；和衬底保持器，布置成保持所述衬底，所述衬底保持器是根据前述权利要求中任一项所述的衬底保持器。7.一种使用光刻设备的器件制造方法，所述方法包括以下步骤 在将所述衬底保持在衬底保持器...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·W·L·拉法瑞，N·坦凯特，N·V·德兹欧姆提那，Y·P·科瑞德，S·A·特兰普，J·J·雷森，E·C·罗登伯格，M·W·L·H·菲特斯，H·于斯曼，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：