电压信号检测装置及阵列基板制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种电压信号检测装置及阵列基板，属于液晶显示器领域。其中，该电压信号检测装置，包括：检测晶体管，其第一端连接输入控制信号的控制信号端子，第二端连接输入电压信号的电压信号输出端子，第三端连接接收检测信号的检测输出端子。本实用新型专利技术的技术方案能够提高对阵列基板行驱动输出进行检测的效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示器领域，特别是指一种电压信号检测装置及阵列基板。
技术介绍
随着TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)产业的发展，各种新技术被应用以降低产品的成本。其中，G0A(Gate Driver onArray,阵列基板行驱动)是一种将移位寄存器集成在液晶显示面板的技术，其将Gate (栅极)的开关电路集成在阵列基板上，从而省去栅极驱动集成电路部分，从材料成本和工艺步骤两方面达到降低产品成本的目的。但是由于制程中工艺不良等原因，需要对GOA输出进行检测以分析出现不良的位置，传统的检测方法需要先将显示屏Decap (拆屏)然后确定范围逐步排除，费时费力。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种电压信号检测装置及阵列基板，能够提高对阵列基板行驱动输出进行检测的效率。为解决上述技术问题，本技术的实施例提供技术方案如下—方面，提供一种电压信号检测装置，包括检测晶体管，其第一端连接输入控制信号的控制信号端子，第二端连接输入电压信号的电压信号输出端子，第三端连接接收检测信号的检测输出端子。进一步地，所述电压信号输出端子为阵列基板行驱动输出端子。进一步地，所述检测晶体管的栅极与所述控制信号端子相连接，所述检测晶体管的漏极与所述阵列基板行驱动输出端子相连接，所述检测晶体管的源极与所述检测输出端子相连接。进一步地，所述检测晶体管的漏极与所述控制信号端子相连接，所述检测晶体管的栅极与所述阵列基板行驱动输出端子相连接，所述检测晶体管的源极与所述检测输出端子相连接。进一步地，所述电压信号检测装置还包括连接在所述阵列基板行驱动输出端子和所述检测晶体管之间的静电释放保护电路。进一步地，所述静电释放保护电路包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管中相邻的两个薄膜晶体管相互连接，在相互连接的两个薄膜晶体管中，任一个薄膜晶体管的源极与另外一个薄膜晶体管的漏极和栅极相连接。进一步地，所述检测晶体管的栅极与所述控制信号端子相连接，所述检测晶体管的漏极与所述静电释放保护电路相连接。进一步地，所述检测晶体管的漏极与所述静电释放保护电路中的任一个薄膜晶体管的源极相连接。进一步地，所述检测晶体管的漏极与所述控制信号端子相连接，所述检测晶体管的栅极与所述静电释放保护电路相连接。进一步地，所述检测晶体管的栅极与所述静电释放保护电路中的任一个薄膜晶体管的源极相连接。本技术实施例还提供了一种阵列基板，包括阵列基板行驱动，还包括上述的电压信号检测装置。本技术的实施例具有以下有益效果上述方案中，将电压信号检测装置集成在液晶显示面板上，通过在控制信号端子和阵列基板行驱动输出端子之间连接检测晶体管，不需Decap液晶显示面板，利用检测晶体管就可以找出出现不良的阵列基板行驱动行，提高了对阵列基板行驱动输出进 行检测的效率。附图说明图I为本技术第一实施例的电压信号检测装置的电路结构示意图；图2为本技术第二实施例的电压信号检测装置的电路结构示意图；图3为本技术第三实施例的电压信号检测装置的电路结构示意图；图4为本技术实施例的电压信号检测装置的检测信号输出示意图。附图标记I控制信号端子 2检测输出端子3G0A输出端子 4ESD保护电路具体实施方式为使本技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本技术的实施例针对现有技术中对阵列基板行驱动输出进行检测费时费力的问题，提供一种电压信号检测装置及阵列基板，能够提高对阵列基板行驱动输出进行检测的效率。本技术的电压信号检测装置，包括检测晶体管，其第一端连接输入控制信号的控制信号端子，第二端连接输入电压信号的电压信号输出端子，第三端连接接收检测信号的检测输出端子。其中，电压信号输出端子为阵列基板行驱动输出端子，该电压信号检测装置应用于液晶显示面板上。其中，检测晶体管可以栅极与控制信号端子相连接，漏极与GOA输出端子相连接，检测晶体管在栅极接收到高电平的控制信号后，将检测信号通过源极输出至检测输出端子。或者，检测晶体管可以漏极与控制信号端子相连接，栅极与GOA输出端子相连接，检测晶体管在漏极接收到高电平的控制信号后，将检测信号通过源极输出至检测输出端子。本实施例中，检测晶体管在控制信号的控制下对GOA输出进行检测，在检测到不良的GOA行时，检测晶体管的输出信号会出现一个突然的下降，因此，通过在检测输出端子连接一示波器就可以找出出现不良的GOA行。进一步地，还可以在GOA输出端子和检测晶体管之间连接静电释放(Electrostatic Discharge, ESD)保护电路,能够增加电压信号检测装置电路的可靠性。其中，ESD保护电路包括多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管中相邻的两个薄膜晶体管相互连接，在相互连接的两个薄膜晶体管中，任一个薄膜晶体管的源极与另外一个薄膜晶体管的漏极和栅极相连接。检测晶体管的漏极可以与ESD保护电路中的任一个薄膜晶体管的源极相连接。下面结合具体的实施例对本技术的电压信号检测装置进行进一步介绍实施例一图I为本实施例的电压信号检测装置的电路结构示意图，如图I所示，本实施例 中，TFTl (即检测晶体管)和GOA输出端子3之间连接有一 ESD保护电路4，TFTl的栅极与控制信号端子I相连接，TFTl的漏极通过ESD保护电路4与GOA输出端子3相连接，TFTl的源极与检测输出端子2相连接。本实施例中，TFTl的栅极连接高电平的直流控制信号，通过控制信号可以控制TFTl的打开程度控制，检测信号输出的延迟较小。本实施例中的ESD保护电路4以包括两个薄膜晶体管TFT2和TFT3为例，其中TFT2和TFT3相互连接，TFT2的源极与TFT3的漏极和栅极相连接，TFT3的源极与TFT2的漏极和栅极相连接，TFTl的漏极与TFT2的源极相连接。图4为本实施例的电压信号检测装置的检测信号输出示意图，其中Gl为第I行GOA输出，G2为第2行GOA输出，G3为第3行GOA输出，...，Gn为第η行GOA输出。当TFTl栅极接收到高电平控制信号时，TFTl打开，对GOA输出进行监测。在正常情况下TFTl源极输出的检测信号为连续的电平信号，如图4所示，在GOA输出为G1、G2、G3时，TFTl源极输出的检测信号为连续的电平信号，当某一行GOA因为工艺不良的原因无法产生输出时，如图中所示该行GOA输出为Gn，此时TFTl源极输出的检测信号产生一个突然的下降，这样通过TFTl源极输出的检测信号就可以确定出现不良的GOA的行数。本实施例通过上述方案可以提高对GOA输出进行检测的效率，并且在GOA输出端子和检测晶体管之间增加ESD保护电路，能够提高电压信号检测装置电路的可靠性。实施例二图2为本实施例的电压信号检测装置的电路结构示意图，如图2所示，本实施例中，TFTl (即检测晶体管)和GOA输出端子3之间连接有一 ESD保护电路4，TFTl的栅极与控制信号端子I相连接，TFTl的漏极通过ESD保护电路4与GOA输出端子3相连接，TFTl的源极与检测输出端子2相连接。本实施例中，TFTl的栅极连接高电平的直流控制信号，通过控制信号可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压信号检测装置，其特征在于，包括 检测晶体管，其第一端连接输入控制信号的控制信号端子，第二端连接输入电压信号的电压信号输出端子，第三端连接接收检测信号的检测输出端子。2.根据权利要求I所述的电压信号检测装置，其特征在于，所述电压信号输出端子为阵列基板行驱动输出端子。3.根据权利要求2所述的电压信号检测装置，其特征在于，所述检测晶体管的栅极与所述控制信号端子相连接，所述检测晶体管的漏极与所述阵列基板行驱动输出端子相连接，所述检测晶体管的源极与所述检测输出端子相连接。4.根据权利要求2所述的电压信号检测装置，其特征在于，所述检测晶体管的漏极与所述控制信号端子相连接，所述检测晶体管的栅极与所述阵列基板行驱动输出端子相连接，所述检测晶体管的源极与所述检测输出端子相连接。5.根据权利要求2所述的电压信号检测装置，其特征在于，所述电压信号检测装置还包括 连接在所述阵列基板行驱动输出端子和所述检测晶体管之间的静电释放保护电路。6.根据权利要求5所述的电压信号检测装...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉婷，吕敬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：