薄膜晶体管阵列基板制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板，包括多条相互平行的扫描线、多条与该扫描线垂直绝缘相交的数据线、任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的数据线界定的像素单元以及任意两条相邻的扫描线之间的电容线，其中，在电容线上具有沿所述电容线的延伸方向的长形通孔，所述长形通孔位于所述电容线与数据线的交叉处，在对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边具有对称分布的沿所述数据线的延伸方向延伸出的辅助电容线。采用本实用新型专利技术，可以在不增加辅助电容线制作难度的情况下，方便的将辅助电容与电容线之间的连接切割开。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板。
技术介绍
在现有的液晶显示器中，特别是薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)液晶显示器(Liquid Crystal Display, IXD)中，为了增加开口率,一 般会将铟锡金属氧化物(Indium Tin Oxides, IT0)部分的面积增大,但这样会造成杂散电容效应，即像素(Pixel)电极和数据线之间存在的杂散电容会使得液晶面板显示不良。为了降低杂散电容效应，一般会在薄膜晶体管阵列基板的版面中增加辅助电容线。该辅助电容线(或称为Shield Metal)处于比较靠近数据线的位置。而在薄膜晶体管阵列基板的制作过程中，经常会产生很多导电颗粒(particle)，这些导电颗粒一部分会被清洗机清除，另一部分可能会残留在该薄膜晶体管阵列基板上。残留的导电颗粒会在液晶显示器点亮时产生亮点、亮线、暗线、碎亮点、弱亮线、弱暗线等缺陷。为了消除这些缺陷，通常要对液晶显示面板进行修补，以便将导电颗粒清除。如图I所示，为现有的薄膜晶体管阵列基板的局部示意图。图中数据线3与扫描线I绝缘交叉，其交叉处附近设置有薄膜晶体管4，该薄膜晶体管4包括源极4S、闸极4G和漏极4D。两条扫描线I和两条数据3所围区域有一像素电极5。在两条扫描线I之间有一电容线2。在数据线3附近设置有辅助电容线6。辅助电容线6包括切割部6b和主体部6a。若在辅助电容线6与数据线I之间残留了导电颗粒，该导电颗粒可能会造成辅助电容线6与数据线3之间短路，从而造成像素亮点的出现。为了消除该些导电颗粒对液晶显示面板的影响，可以将辅助电容线6的切割部6b切断，以使该辅助电容线6与电容线2隔离。但是，现有的这种设计使得辅助电容线的制作工艺复杂化。
技术实现思路
本技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种液晶显示面板。可以在不增加辅助电容线的制作难度的情况下，方便的将辅助电容与电容线之间的连接切割开。为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条相互平行的扫描线、多条与该扫描线垂直绝缘相交的数据线、任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的数据线界定的像素单元以及任意两条相邻的扫描线之间的电容线，其中，在电容线上具有沿所述电容线的延伸方向的长形通孔，所述长形通孔位于所述电容线与数据线的交叉处，在对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边具有对称分布的沿所述数据线的延伸方向延伸出的辅助电容线。在对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边分别具有两条辅助电容线，且位于同侧边上的两条辅助电容线沿所述数据线的延伸方向对称分布。所述长形通孔沿所述数据线对称，且所述长形通孔的长度大于位于同侧边上的沿所述数据线对称分布的两条辅助电容线之间的距离。所述长形通孔为长度方向沿所述电容线延伸方向的矩形通孔。所述长形通孔位于所述数据线一侧的面积s为I < s < 16，单位为平方微米。在本技术实施例中，辅助电容线不需要进行特别设计，而是在与其相连的电容线中增加一长形通孔，实现对应长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边上的辅助电容线的方便的切割，不需要增加辅助电容线设计的复杂度。 附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是现有的薄膜晶体管阵列基板的局部示意图；图2是本技术薄膜晶体管阵列基板的第一优选实施例的局部平面示意图；图3是本技术薄膜晶体管阵列基板的第二优选实施例的局部平面示意图；图4是对本技术薄膜晶体管阵列基板的第一优选实施例中所述长形通孔位于数据线一侧的面积的标示示意图；图5是本技术薄膜晶体管阵列基板制造方法的优选实施例的流程示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例中通过在电容线的相应位置设置一长形通孔，该长形通孔设计在辅助电容线与电容线的连接处附近，使得该连接处形成一“T”或倒“T”的结构，这样通过切割该“T”字部位的横线位置，可以将辅助电容线切割开来。如图2所示，本技术薄膜晶体管阵列基板的第一优选实施例的局部平面示意图，该薄膜晶体管阵列基板包括多条相互平行的扫描线I、多条与该扫描线I垂直绝缘相交的数据线3及任意两条相邻的扫描线I与任意两条相邻的数据线3界定的像素单元(未标示)。该像素单元包括薄膜晶体管4、像素电极5(图中虚线围绕的区域)。进一步地，该薄膜晶体管阵列基板还包括任意两条相邻的扫描线I之间的电容线2。其中，在电容线2上具有沿所述电容线2的延伸方向的长形通孔20，所述长形通孔20位于所述电容线2与数据线3的交叉处，在对应所述长形通孔20的两侧孔壁处的电容线2的两侧边具有对称分布的沿所述数据线3的延伸方向延伸出的辅助电容线6，以便在所述长形通孔20的两侧孔壁和对应该两侧孔壁处的电容线2的两侧边之间形成连接所述电容线2与所述辅助电容线6的切割部22、24，通过剪切该切割部22、24可以实现电容线2与辅助电容线6之间的断路。在如图2的实施例中，在对应所述长形通孔20的两侧孔壁处的电容线2的两侧边分别具有两条辅助电容线6，且位于同侧边上的两条辅助电容线6沿所述数据线3的延伸方向对称分布。所述长形通孔20为长度方向沿所述电容线延伸方向的矩形通孔。相应的，所述长形通孔20与所述像素电极5没有重叠。当然，所述长形通孔20也可沿所述数据线3对称，且所述长形通孔20的长度大于位于同侧边上的沿所述数据线3对称分布的两个辅助电容线6之间的距离。在其它的变更实施例中，该长形通孔20的形状也不一定为矩形，也可以是其他的形状，如图3所示，该长形通孔20的形状可为椭圆形，椭圆形的长轴方向与电容线2的延伸方向相同，椭圆形的长轴端202到数据线3的距离大于同侧的辅助电容线6到数据线3的距离。当然，长形通孔20也可以是为梯形或其他多边形，只要满足辅助电容线是设置在对应长形通孔20的孔壁处的电容线2的两侧边上，则即可形成前述的“T”形或倒“T”形结构。如图3所示，画叉处的切割部22、24可以实现将辅助电容线6与电容线2切割开。同时，所述长形通孔20位于所述数据线3 —侧的面积s可为I < s < 16，单位为平方微米，如图4中阴影部分的面积。相应的，如图5所示，为本技术实施例中制造液晶显示面板的方法，该方法包括以下步骤501、形成一薄膜晶体管阵列基板，其中，所述薄膜晶体管阵列基板包括多条相互平行的扫描线、多条与该扫描线垂直绝缘相交的数据线、任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的数据线界定的像素单元以及任意两条相邻的扫描线之间的电容线。502、在电容线上形成沿所述电容线的延伸方向的长形通孔，其中，所述长形通孔位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条相互平行的扫描线、多条与该扫描线垂直绝缘相交的数据线、任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的数据线界定的像素单元以及任意两条相邻的扫描线之间的电容线，其特征在于， 在电容线上具有沿所述电容线的延伸方向的长形通孔，所述长形通孔位于所述电容线与数据线的交叉处，在对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边具有对称分布的沿所述数据线的延伸方向延伸出的辅助电容线。2.如权利要求I所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，在对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边分别具有两条辅...

【专利技术属性】
技术研发人员：张骢泷，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：