一种梁膜四岛结构微压高过载传感器芯片制造技术

一种梁膜四岛结构微压高过载传感器芯片，包括硅基底，硅基底上加工有四个质量块、四根单梁及十字梁，质量块通过单梁与硅基底连接，质量块之间通过十字梁连接，将硅基底、质量块、单梁及十字梁围成的空间加工成薄膜，硅基底背面与Pyrex7740玻璃键合，将质量块的背面减薄，使质量块与Pyrex7740玻璃之间留有间隙，同时将Pyrex7740玻璃上的四个防吸附电极插入键合区域，将薄膜、质量块和Pyrex7740玻璃之间形成的腔体抽真空，在硅基底的正面，四个压敏电阻条相互连接组成半开环惠斯通电桥，四根单梁及十字梁的引入提高了整体刚度，再次集中了应力，具有高灵敏度，高线性度的特点，同时可以抗500倍的高过载。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及MEMS压阻式绝对压力传感器
，具体涉及一种梁膜四岛结构微压高过载传感器芯片。
技术介绍
随着微机械电子系统技术的发展，MEMS微压传感器已被广泛应用于风洞测试，生物医电及石油化工等领域，尤其在航天，这种对传感器体积、重量有严格要求的领域，MEMS传感器无疑是十分理想的选择。随着航天技术的发展，我国目前的MEMS微压传感器主要还停留在KPa级上，并不能满足航天领域对Pa级微压测量的需求，也不能适应航天领域的工作环境，不能满足航天 领域对深高空微压精确测量技术的需求。由于飞行器飞行到深高空时，环境气压不足标准大气压的万分之一，因而传感器需要承受地面与深高空之间相当于数百倍满量程的高过载，并能高精度地测量深高空的微压。同时，在地面与深高空近100°C的温差下，传感器仍需保持高精度的测量。因此，如何解决高灵敏度与高过载，高灵敏度与高线性度之间的矛盾，同时，抑制低温对传感器测量精度的影响，是保障传感器可靠、精确地测量深高空微压，而亟待突破的关键技术难点。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种梁膜四岛结构微压高过载传感器芯片，能够对Pa级微压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵玉龙，于忠亮，孟夏薇，刘岩，张学锋，田边，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：