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一种MEMS惯性传感器结构压膜阻尼可调装置制造方法及图纸

技术编号:7678558 阅读:180 留言:0更新日期:2012-08-16 01:16
一种MEMS惯性传感器结构压膜阻尼可调装置,主要由阻尼帽、键合衬底、二氧化硅层、氮化硅层、键合金属层、电阻正极、电阻负极、上极板电极、下极板电极、固定基座、硅弹性膜、凹腔、上极板金属层、下极板金属层、上极板金属层引出线、下极板金属层引出线、环形电阻、环形电阻正极引出线、环形电阻负极引出线组成,在键合衬底上制作有2组加热环形电阻和1对静电金属极板,可使待调器件的压膜阻尼系数减小或增加1-2个数量级,从实现对MEMS传感器Q值的封装后调制,此装置结构设计紧凑、巧妙,操作方便、响应迅速、可调精度高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘俊王莉杜康李孟委李锡广
申请(专利权)人:中北大学
类型:发明
国别省市:

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