制作晶体管的方法、晶体管、阵列基板以及显示器技术

本发明专利技术实施例提供一种制作晶体管的方法、晶体管、阵列基板以及显示器，用于提高有机薄膜晶体管的迁移率。该方法包括：形成功能板；所述功能板包括沟道区域；在所述功能板上形成包括微孔区域的绝缘层；所述微孔区域位于所述沟道区域内或所述微孔区域的正投影位于所述沟道区域内；在所述微孔区域上形成至少一个栅极层，所述栅极层未覆盖所述微孔区域中的微孔。可见该方法可使得载流子的迁移率大大提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及面板制造
，尤其涉及制作晶体管的方法、晶体管、阵列基板以及显示器。
技术介绍
有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistors,OTFTs)以其体积小、质量轻、制作成本低、可饶性强以及易于大面积制备等优点受到广大用户的青睐。OTFTS主要由半导体有源层，绝缘层，栅电极层、源电极层以及漏电极层等部分组成；由于上述各层的排列方式不同，使得OTFTS具有不同的结构，其中包括以下两种结构第一种，如图IA所示的顶栅底接触结构；该结构中各层在基板上的排列顺序由下至上为衬底(Substrate, Sub) 11、有机半导体(organic semiconductor, 0SC)层 12、源极(Source, S) 13、漏极(Drain, D) 14、绝缘层 15 以及栅极(Gate, G) 16 ；第二种，如图IB所示的顶栅顶接触结构；该结构中各层在基板上的排列顺序由下至上为衬底(Substrate, Sub) 11、源极(Source, S) 13、漏极(Drain, D) 14、有机半导体(organic semiconductor, 0SC)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢春燕，张卓，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：