本发明专利技术涉及一种基于咪唑盐离子液体体系的化学镀银溶液，化学镀银溶液的构成为氯化咪唑盐离子液体、银盐和水。氯化咪唑盐离子液体与水的构成比例为：氯化咪唑盐离子液体∶水(体积比)＝1∶9-9∶1，即氯化咪唑盐离子液体的体积百分含量为10％-90％，银盐的浓度范围为0.001-0.1mol/L。由于氯化咪唑盐离子液体与银离子可以形成非常稳定的络合物，所以本发明专利技术的化学镀银溶液无需添加氰化物且非常的稳定，故此，该化学镀银溶液对环境非常友好，同时也消除了现场生产所带来的安全隐患。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种化学镀银溶液及镀银方法，特别是一种。
技术介绍
由于银具有良好的可焊、耐候和导电等优点，所以采用化学镀银来对铜基材的保护法已被印制电路板行业广泛使用。目前，常用的铜基化学镀银有两种方法第一种是自催化化学镀银法。此法由于需要使用还原剂而使得化学镀银溶液液处于亚稳状态、极不稳定， 并且要求金属化基底表面有金属敏化层(常用的是Pd/Sn敏化层)，使得生产成本大大提高，进而阻碍其在工业生产上的广泛应用。同时，为了增加镀银液的稳定性，有些化学镀银溶液中添加氰化钾作为络合剂，众所周知，氰化钾为剧毒物质，无论是在使用上还是在环境保护上都存在很多问题。第二种方法是置换化学镀银法，此法利用铜与银的金属活泼性不同，直接以铜作为还原剂，通过铜与银离子的置换反应，实现铜表面镀银的目的。对于置换法镀银，常常使用硝酸银作为银源，硝酸银的水溶液镀液极不稳定，往往需要现配现用。同时，铜基置换法的镀银溶液通常需要使用浓度较高的硝酸，在进行镀银的同时也会腐蚀铜基底，对后期焊接产生不利影响，这对于集成度越来越高、尺寸越来越小的电子器件行业来说是不可接受的。为了改善上述不足，谷长栋等人专利技术了以氯化胆碱基离子液体作为溶剂在铜基材表面镀多孔纳米银的镀液(申请号201010231683. 3)，但是，该镀液的溶剂由氯化胆碱基离子液体和乙二醇混配而成，在这样无水的镀液环境下，与化学镀银的工艺匹配略显不足。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种与现行化学镀银工艺相匹配、低成本、绿色化的铜、镍或镍-磷合金等基材表面的化学镀银液的配方，施镀后的基材具有较高的耐腐蚀性和可焊性，足以满足印制电路板和接插件表面处理的要求。实现上述目的的技术方案是化学镀银溶液由氯化咪唑盐离子液体、银盐和水构成。氯化咪唑盐离子液体与水的构成比例为氯化咪唑盐离子液体水(体积比)= 1:9-9: 1，即氯化咪唑盐离子液体的体积百分含量为10%-90%，银盐的浓度范围为O.001-0. lmol/L。由于氯化咪唑盐离子液体与银离子可形成非常稳定的络合物，所以本专利技术的化学镀银溶液无需添加氰化物且非常的稳定。本专利技术化学镀银溶液中的氯化咪唑盐离子液体的结构式如下权利要求1.一种适用于铜、镍和镍-磷合金为基材的化学镀银溶液，其特征在于由氯化咪唑盐离子液体、银盐和水组成。2.权利要求I所述的化学镀银溶液，其特征在于氯化咪唑盐离子液体的体积百分含量为10% _90%，银盐的浓度范围为O. 001-0. lmol/L。3.权利要求I所述的化学镀银溶液，其特征在于氯化咪唑盐离子液体的体积百分含量为30% _80%，银盐的浓度范围为O. 01-0. 05mol/L。4.权利要求1所诉I所述的化学镀银溶液，其特征在于氯化咪唑盐离子液体的结构式通式5.权利要求I所述的化学镀银溶液，其特征在于银盐为氯化银、硫酸银、硝酸银和乙酸银中的一种或两种的混合物。6.一种采用如权利要求1-4任一项所述的化学镀银溶液在铜、镍或镍-磷合金基材上镀银的方法其特征在于将待镀银板置于50-70°C的脱脂溶液中，5-10min后水洗；再置于室温下的微蚀溶液中，l_3min后水洗，以去除待镀银板表面的氧化膜；最后，将经过前处理的待镀银板置于20-60°C的化学镀银溶液中I-IOmin后水洗，并立即去除表面水迹。全文摘要本专利技术涉及一种基于咪唑盐离子液体体系的化学镀银溶液，化学镀银溶液的构成为氯化咪唑盐离子液体、银盐和水。氯化咪唑盐离子液体与水的构成比例为氯化咪唑盐离子液体∶水(体积比)＝1∶9-9∶1，即氯化咪唑盐离子液体的体积百分含量为10％-90％，银盐的浓度范围为0.001-0.1mol/L。由于氯化咪唑盐离子液体与银离子可以形成非常稳定的络合物，所以本专利技术的化学镀银溶液无需添加氰化物且非常的稳定，故此，该化学镀银溶液对环境非常友好，同时也消除了现场生产所带来的安全隐患。文档编号C23C18/44GK102605360SQ201110309598公开日2012年7月25日 申请日期2011年10月12日 优先权日2011年10月12日专利技术者周阳, 王文昌, 王钰蓉, 陈智栋 申请人:常州大学, 常州江工阔智电子技术有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王钰蓉，陈智栋，王文昌，周阳，
申请(专利权)人：常州大学，常州江工阔智电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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