一种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：（a）在晶体硅片绒面上通过阳极氧化的方法生长扩散掩膜，再腐蚀或者激光开槽形成电极栅线区域；（b）采用一次扩散工艺，在电极栅线区域形成重掺杂区，在非电极栅线区域形成浅掺杂区，至此这种晶体硅太阳能电池选择性发射极制备完毕。这种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法是采用阳极氧化的方法，在室温下制备扩散阻挡层，同时不需要真空设备，设备简单，廉价，适合大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶体硅太阳能电池的制备方法，尤其是涉及。
技术介绍
太阳能电池是选择性发射极太阳能电池是在金属栅线与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间进行清掺杂。这样的结构可以降低发射极的复合，从而提高电池的短波响应，减少前金属栅线与硅之间的接触电阻，使得短路电流，开路电压，填充因子有较好的改善，从而提高转化效率。普通的一步扩散的扩散阻挡层通常采用热氧化的方法来实现，需要两次高温，两次高温的过程对多晶硅造成热损伤，同时成本也较高
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种设备简单、价格低廉且能够实现大规模生产的一种晶体娃太阳能电池选择性发射极的制备方法。为了解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的，包括以下步骤(a)在晶体硅片绒面上通过阳极氧化的方法生长扩散掩膜，再腐蚀或者激光开槽形成电极栅线区域；(b)采用一次扩散工艺，在电极栅线区域形成重掺杂区，在非电极栅线区域形成浅掺杂区，至此这种晶体硅太阳能电池选择性发射极制备完毕。进一步地，所属步骤(b)中一次扩散工艺掩膜的制备方法是，包括以下步骤(a’ ) 将硅片与直流电源正极相连，负极与石墨或者金属钼电极相连；(b’)在室温下，将硅片浸没到酸或者碱性溶液中；(c’)通入电压1-100V，时间l-60min ;(d’)关闭电源，制备完毕， 将硅片清洗干燥。与现有技术相比，本专利技术的有益之处在于这种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法是采用阳极氧化的方法，在室温下制备扩散阻挡层，同时不需要真空设备，设备简单，廉价，适合大规模生产。具体实施例方式下面通过具体实施方式对本专利技术进行详细描述实施方案I:硅片常规工艺清洗制绒，将硅片正极与直流电源相连，负极与石墨电极相连，浸入浓度为5%的NaOH溶液中，加电压50V，时间为lOmin。关闭直流电源，清洗干燥，激光开槽，放入扩散炉进行扩散，扩散完毕。实施方案2:硅片常规工艺清洗制绒，将硅片正极与直流电源相连，负极与石墨电极相连，浸入浓度为50%的NaOH溶液中，加电压10V，时间为30min。关闭直流电源，将硅片清洗干燥，激光开槽，放入扩散炉进行扩散，扩散完毕。实施方案3硅片常规工艺清洗制绒，将硅片正极与直流电源相连，负极与石墨电极相连，浸入浓度为15%的HN03溶液中，加电压10V，时间为30min。关闭直流电源，将硅片清洗干燥，然后利用激光开槽，放入扩散炉进行扩散，扩散完毕。实施方案4:硅片常规工艺清洗制绒，将硅片正极与直流电源相连，负极与石墨电极相连，浸入浓度为20%的HP04溶液中，加电压20V，时间为15min。关闭直流电源，将硅片清洗干燥，然后利用激光开槽，放入扩散炉进行扩散，扩散完毕。实施方案5:硅片常规工艺清洗制绒，将硅片正极与直流电源相连，负极与石墨电极相连，浸入浓度为30%的CH3C00H溶液中，加电压100V，时间为5min。关闭直流电源，将硅片清洗干燥，然后利用激光开槽，放入扩散炉进行扩散，扩散完毕。实施方案6:硅片常规工艺清洗制绒，将硅片正极与直流电源相连，负极与石墨电极相连，浸入浓度为10%的NH4C1溶液中，加电压80V，时间为15min。关闭直流电源，将硅片清洗干燥，然后利用激光开槽，放入扩散炉进行扩散，扩散完毕。实施方案7:硅片常规工艺清洗制绒，将硅片正极与直流电源相连，负极与石墨电极相连，浸入浓度为25%的H2S04溶液中，加电压120V，时间为4min。关闭直流电源，将硅片清洗干燥，然后利用激光开槽，放入扩散炉进行扩散，扩散完毕。实施方案8:硅片常规工艺清洗制绒，将硅片正极与直流电源相连，负极与石墨电极相连，浸入浓度为15%的NaC03溶液中，加电压150V，时间为2min。关闭直流电源，将硅片清洗干燥，然后利用激光开槽，放入扩散炉进行扩散，扩散完毕。需要强调的是以上仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制，凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰， 均仍属于本专利技术技术方案的范围内。权利要求1.，其特征是，包括以下步骤Ca)在晶体硅片绒面上通过阳极氧化的方法生长扩散掩膜，再腐蚀或者激光开槽形成电极栅线区域；(b)采用一次扩散工艺，在电极栅线区域形成重掺杂区，在非电极栅线区域形成浅掺杂区，至此这种晶体硅太阳能电池选择性发射极制备完毕。2.根据权利要求I所述的，其特征是，所述步骤(b)中一次扩散工艺掩膜的制备方法是，包括以下步骤Ca')将硅片与直流电源正极相连，负极与石墨或者金属钼电极相连；(b’ )在室温下，将硅片浸没到酸或者碱性溶液中；(C，)通入电压 1-100V,时间 l-60min ；(d’)关闭电源，制备完毕，将硅片清洗干燥。全文摘要本专利技术公开了，包括以下步骤(a)在晶体硅片绒面上通过阳极氧化的方法生长扩散掩膜，再腐蚀或者激光开槽形成电极栅线区域；(b)采用一次扩散工艺，在电极栅线区域形成重掺杂区，在非电极栅线区域形成浅掺杂区，至此这种晶体硅太阳能电池选择性发射极制备完毕。这种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法是采用阳极氧化的方法，在室温下制备扩散阻挡层，同时不需要真空设备，设备简单，廉价，适合大规模生产。文档编号H01L31/18GK102610697SQ20121008499公开日2012年7月25日 申请日期2012年3月28日 优先权日2012年3月28日专利技术者鲁伟明 申请人:泰通(泰州)工业有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁伟明，
申请(专利权)人：泰通泰州工业有限公司，
类型：发明
国别省市：