高分子化合物制造技术

本发明专利技术提供一种在光电转换元件中所含的有机层中使用时，短路电流密度和光电转换效率更大的高分子化合物。具体而言，本发明专利技术提供具有式(1)所表示的结构单元的高分子化合物。〔式中，Ar1和Ar2相同或不同，表示3价的杂环基。X1表示-O-、-S-、-C(＝O)-、-S(＝O)-、-SO2-、-Si(R3)(R4)-、-N(R5)-、-B(R6)-、-P(R7)-或-P(＝O)(R8)-。R51表示碳数6以上的烷基、碳数6以上的烷基氧基、碳数6以上的烷基硫基、碳数6以上的芳基、碳数6以上的芳基氧基、碳数6以上的芳基硫基、碳数7以上的芳基烷基、碳数7以上的芳基烷基氧基、碳数7以上的芳基烷基硫基、碳数6以上的酰基或碳数6以上的酰氧基。〕

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有特定结构的高分子化合物。
技术介绍
近年来，为了防止地球变暖，要求削减向大气中释放的C02。例如，提倡向在房屋的屋顶使用pn结型的硅系太阳能电池等的太阳能系统的更换，上述硅系太阳能电池中使用的单晶、多晶以及非晶硅，有所谓在其制造过程中需要高温、高真空条件的问题。另一方面，作为光电转换元件的一个方式的有机薄膜太阳能电池，可以省略在娃系太阳能电池的制造工艺中使用的高温、高真空工艺，存在能仅通过涂布工艺低价制造的可能性，近年来备受注意。作为有机薄膜太阳能电池中使用的高分子化合物，记载了具有重复单元(A)以及重复单元(B)的高分子化合物(专利文献1)。 权利要求1.-种具有式(1)所表示的结构单元的高分子化合物，2.如权利要求1所述的高分子化合物，其还具有式(A-I)、式(B-I)、式(C-I)、式(D-I) 或式(E-I)所表示的结构单元，3.如权利要求2所述的高分子化合物，式(A-I)、式(B-I)、式(C-I)、式(D-I)或式(E-I)所表示的结构单元为式(A-2)、式 (B-2)、式(C-2)、式(D-2)或式(E-2)所表示的结构单元，4.如权利要求1所述的高分子化合物，Ar1和Ar2中的至少一个为从噻吩环去除3个氢原子而残余的基团。5.如权利要求1所述的高分子化合物，其中， X1 为-ο-。6.如权利要求1所述的高分子化合物，其中，式(1)所表示的结构单元为式(2)所表示的结构单元，7.如权利要求1所述的高分子化合物， 聚苯乙烯换算的重均分子量为3000以上。8.一种薄膜，其含有权利要求1所述的高分子化合物。9.一种组合物，其含有权利要求1所述的高分子化合物和电子接受性化合物。10.如权利要求9所述的组合物，其中， 电子接受性化合物为富勒烯衍生物。11.一种薄膜，含有权利要求9所述的组合物。12.—种墨液，含有权利要求9所述的组合物和溶剂。13.—种式C3)所表示的化合物，14. 一种式(4)所表示的化合物，15. 一种式( 所表示的化合物，16. 一种式(8)所表示的化合物，17.如权利要求16所述的化合物，其为式(9)所表示的化合物， 18. —种式(8- 所表示的化合物， 19.如权利要求18所述的化合物，其为式(9-2)所表示的化合物， 全文摘要本专利技术提供一种在光电转换元件中所含的有机层中使用时，短路电流密度和光电转换效率更大的高分子化合物。具体而言，本专利技术提供具有式(1)所表示的结构单元的高分子化合物。〔式中，Ar1和Ar2相同或不同，表示3价的杂环基。X1表示-O-、-S-、-C(＝O)-、-S(＝O)-、-SO2-、-Si(R3)(R4)-、-N(R5)-、-B(R6)-、-P(R7)-或-P(＝O)(R8)-。R51表示碳数6以上的烷基、碳数6以上的烷基氧基、碳数6以上的烷基硫基、碳数6以上的芳基、碳数6以上的芳基氧基、碳数6以上的芳基硫基、碳数7以上的芳基烷基、碳数7以上的芳基烷基氧基、碳数7以上的芳基烷基硫基、碳数6以上的酰基或碳数6以上的酰氧基。〕文档编号H01L51/42GK102597047SQ201080049149公开日2012年7月18日 申请日期2010年10月29日 优先权日2009年10月29日专利技术者吉村研, 大家健一郎 申请人:住友化学株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉村研，大家健一郎，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：