本发明专利技术提供一种可靠性高的真空处理装置，该真空处理装置具备：在真空输送室内输送晶片的第一及第二真空输送容器；与这些真空输送容器的分别连结且连通处理室和所述真空输送室的第一及第二真空处理容器；在所述第一及第二真空输送容器之间连结且内部可收纳所述晶片的中间室容器；与所述第一真空输送容器连结且内部连通的闭锁室；配置于所述第一及第二真空输送容器与所述第一、第二真空处理容器、所述中间室容器及所述闭锁室的每一个之间并进行气密开闭的多个阀门，在开放所述第一真空处理容器的处理室和所述第一真空输送容器的真空输送室之间或者第二真空处理容器的处理室和所述第二真空输送容器的真空输送室之间的阀门之前，将配置于所述第一及第二真空输送容器之间的所述阀门的任一个关闭。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种真空处理装置，该真空处理装置在配置于真空容器内部的处理室内对半导体晶片等被处理基板进行处理，本专利技术涉及具有如下的输送容器的结构，该输送容器与真空容器连结、在其内部输送被处理基板。
技术介绍
在上述那样的装置、特别是在下述的真空处理装置中，除了处理的微细化、精密化，还要求提高作为处理对象的晶片的处理效率，所述真空处理装置配置于真空容器内部， 在进行了减压的处理室内对处理对象的试料即半导体晶片等基板状的试料(以下，也称为 “晶片”)进行处理。因此，近年来，正在开发一种多腔(multi-chamber)装置，该多腔装置在一个装置中连结多个真空处理容器，能够在多个处理室中并行地进行晶片的处理的，该多腔装置提高了无尘室的单位设置面积的生产效率。另外，在这样的具备多个处理室或者腔(chamber)而进行处理的装置中，各个处理室或者腔与向其提供电场及磁场的装置、对内部进行排气的排气泵(pump)等排气装置、 调节供给到处理室内部的处理用气体的供给的装置等一起构成各个处理单元(unit)，该处理单元包含输送室(输送腔)，并与输送单元可卡脱地连结，所述输送室(输送腔)能够可减压地调节内部的气体及其压力，并具有用于输送基板的机械手(robot arm)等，所述输送单元在内部输送晶片且暂时地保持该晶片。更具体而言，各处理单元的在内部配置有被减压的处理室或者腔的真空容器的侧壁，可卡脱地与在被减压到相同程度的内部输送处理前或者处理后的晶片的输送单元的真空输送容器的侧壁连接，并且以内部可连通、封闭的方式构成。在这样的构成中，真空处理装置整体的大小主要受到真空输送容器及真空处理容器，或者真空输送室、真空处理室的大小及配置的影响。例如，真空输送室的用于实现必要的动作的大小，也受到邻接连结的输送室或者处理室的个数、配置于内部且输送晶片的输送机械手的个数、其动作所需要的最小半径、晶片直径的大小的影响，并由上述因素而决定。另一方面，真空处理室还受到处理对象即晶片的直径、用于实现必要的压力的处理室内的排气效率、进行晶片处理所需的机器种类的配置的影响。另外，真空输送室及真空处理室的配置，还受到在设置的场所使用者要求的半导体器件等的生产总量、为了实现效率各处理装置所需要的处理室的个数的影响。另外，真空处理装置的各处理容器内的处理气体等气氛，对其它处理容器也有影响，因晶片或者装置的污染，有可能导致装置的维护保养(maintenance)时间增加及产品的成品率降低，为了不在多个处理容器在空间上连通的状态下同时向处理容器内输送晶片，在处理容器和真空输送容器之间设置有阀门(valve)，要求进行不使处理室容器内的气氛接触那样的阀门的开闭控制以及输送室、处理容器的压力控制。作为用于防止因这样的真空处理容器内的气氛而对晶片及装置造成污染的真空处理装置的现有技术，公知有日本特表2007-511104号公报(专利文献1)所公开的技术。专利文献1 日本特表2007-511104号公报在上述的现有技术中，在各处理室或者输送室内对晶片进行处理或者通过真空输送机械手输送晶片的情况下，通过配置于与其它处理室或者输送室之间的阀门将处理室或者输送晶片的输送室完全分开、使其独立，且以可进行压力控制的方式构成。在现有的技术中，通过采用这样的结构可以防止因来自处理室的气体的流出而对装置或者晶片造成二次污染。但是，在上述现有技术中，对下述问题考虑不足而存在问题。即，没有充分考虑到 真空输送容器经由中间容器而连结，通过优化配置于中间容器的两端位置的阀门的开闭控制使晶片的处理及生产效率达到最佳，且防止对晶片、真空处理容器以及真空输送容器的污染，因而有损于真空处理装置的可靠性，另外还有损于单位设置面积的产量及效率。例如，在真空处理装置具备多个真空处理单元的情况下，特别是在依次对晶片实施这些种类的处理的情况下、或对不同的晶片实施不同的处理的情况下，还有在相对于进行任意的处理的真空处理单元、实施其它处理或者以后的处理的真空处理单元与其它真空输送容器连结而构成的情况下，由与另一方的真空输送容器连结的真空处理单元实施的处理，将会损害由与另一方的真空输送容器连结的真空处理单元实施的处理或真空处理装置中的整个处理的可靠性及再现性，将会降低处理的效率，对于这一点上述现有技术未加以 ^虑ο
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可靠性高的真空处理装置。上述目的通过如下的真空处理装置来实现，即，该真空处理装置具备在减压后的内部的真空输送室内输送晶片的第一及第二真空输送容器；与这些真空输送容器分别连结并且连通在内部对所述晶片进行处理的处理室和所述真空输送室的第一及第二真空处理容器；在所述第一及第二真空输送容器之间连接配置这些第一及第二真空输送容器，并且在内部能够收纳所述晶片的中间室容器；与所述第一真空输送容器连结并且内部连通的闭锁室；配置于所述第一及第二真空输送容器与所述第一、第二真空处理容器、所述中间室容器及所述闭锁室的每一个之间，并且开放或者气密地密封而关闭它们之间的连通的多个阀门；在开放所述第一真空处理容器的处理室与所述第一真空输送容器的真空输送室之间、 或者第二真空处理容器的处理室与所述第二真空输送容器的真空输送室之间的阀门之前， 将配置于所述第一及第二真空输送容器之间的所述阀门的任一个关闭。另外，还通过如下的真空处理装置来实现，S卩，具有在所述中间室容器内部的所述晶片的收纳室和所述第一及第二真空输送容器的各真空输送室之间、开放或者关闭所述中间室容器内部的所述晶片的收纳室和所述第一及第二真空输送容器的各真空输送室之间的所述阀门，在开放所述第一真空处理容器和所述第一真空输送容器、或者第二真空处理容器和所述第二真空输送容器之间的所述阀门之前，将所述中间室容器的所述两个阀门中的任一个关闭。另外，还通过如下的真空处理装置来实现，S卩，在将所述第一真空处理容器和所述第一真空输送容器或者第二真空处理容器和所述第二真空输送容器之间的所述阀门气密地关闭之后，将关闭的与所述第一或者第二真空输送容器之间的所述阀门开放。另外，上述目的通过如下的真空处理装置来实现，即，该真空处理装置具备在减压后的内部输送晶片的输送通路；与该输送通路内连结连通、在减压后的内部对所述晶片进行处理的第一及第二真空处理室；将这些真空处理室和所述输送通路之间的连通开放或者气密地密封而关闭的第一及第二阀门；配置于所述输送通路上的第一及第二阀门之间， 将该输送通路开放或者气密地密封而关闭的第三阀门；以在开放所述第一或者第二阀门之前将所述第三阀门气密地关闭的方式发出指令的控制部。另外，上述目的通过如下所述的真空处理装置来实现，S卩，该真空处理装置具备配置于所述输送通路上的所述第三阀门和所述第二阀门之间、将该输送通路开放或者气密地密封而关闭的第四阀门，所述控制器以在开放所述第一或者第二阀门之前将所述第三或者第四阀门的任一个气密地关闭的方式发出指令。另外，上述目的还通过如下所述的真空处理装置来实现，S卩，所述控制器以在将所述第一或者第二阀门气密地关闭后将关闭的所述第三或者第四阀门开放的方式发出指令。附图说明图1是概略地说明本专利技术的实施例的真空处理装置的整体结构的俯视图；图2是放大表示图1所示的实施例的真空输送室的横剖视图；图3是放大本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：矶村僚一，田内勤，近藤英明，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：
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