一种硅基焦平面器件的读出电路制造技术

本发明专利技术涉及一种硅基焦平面器件的读出电路，该读出电路包含焦平面阵列电路、垂直移位寄存器、组选移位寄存器和多路选择开关等主要部分。本发明专利技术所设计的读出电路结构由于采用了新颖的读出方式，使得电路后端需要的放大器和积分器的数目大大减少，从而减少了读出电路的复杂性，也使得读出电路芯片的引脚数得以大大减少。该读出电路结构还避免了由于器件制造过程中产生的不一致性给读出的电压信号带来的误差。本发明专利技术的电路结构可以应用到以硅为衬底材料的焦平面下面做电路的读出电路结构中去，其可移植性很强，适合于任何规模阵列的读出电路的设计。

【技术实现步骤摘要】

一种硅基焦平面器件的读出电路，属于电子
，具体涉及硅基焦平面器件的读出电路结构的设计。
技术介绍
红外技术是由于军事的强烈需求牵引而得以迅速发展的。红外焦平面阵列是红外成像系统的核心部件，它由红外探测器和读出电路两部分组成。读出电路为数模混合大规模MOS集成电路，其功能是对探测器感应的微弱红外电信号进行前置处理(如积分、放大、 滤波和采样/保持等)及信号的并/串行转换。读出电路主要有CCD和CMOS两种类型，CMOS 读出电路因其众多的优点而成为当今读出电路的主要发展方向。集成电路经历了 PM0S、NM0S工艺技术后，CMOS工艺技术已成为当今集成电路的主流工艺技术。除了同样的高密度、低功耗性能外，CMOS集成电路还在低工作电压、抗辐射能力、像元数据随机访问(即可在焦平面上任意开窗)等方面较CCD有优势。更重要的是，它是一种通用的硅工艺技术，其设计规范是高度标准化的，可在同一硅片上集成各种信号处理的拟和数字功能部件，如A / D、控制时序逻辑等,为实现单片系统(System on Chip)提供了可能。另外，因同一硅片上的N管和P管极性互补，使电路结构不但变得更简单，也使设计本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张康，
申请(专利权)人：张康，
类型：发明
国别省市：