一种提高对准精度的对准扫描方法技术

本发明专利技术公开一种对准扫描方法，用于抑制或消除对准过程中出现的寄生干涉，包括：步骤一、使扫描的起始位置位于投影物镜焦深范围内；步骤二、开始扫描，所述扫描过程中满足沿水平方向移动和沿垂直方向匀速移动，所述匀速运动满足使光强变化的频率大于传感器的响应时间；步骤三、使扫描的结束位置位于投影物镜焦深范围内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路制造装备制造领域，尤其涉及。
技术介绍
在采用光刻设备进行集成电路芯片生产过程中，为了实现光刻机期望的精度指标，需要精确建立光刻机各坐标系之间的关系，使掩模、掩模台、物镜、硅片、硅片台能够在一个统一的定标系统中工作。对准扫描就是通过硅片台上的对准标记找到掩模或掩模台上标记在透镜下方所成像的确切位置。对准扫描包括使用传感器在水平方向和垂直方向对光强进行扫描采样，在进行光强采样的同时对位置进行采样，通过对光强和位置数据进行拟合计算，找出最大光强所在位置。通过对准扫描找到所成像的光强最大位置就称为对准位置。硅片对准是通过不同波长(颜色)的激光照射硅片上的对准标记，对准标记一般采用光栅型标记。如图1中所示，10为光栅标记，当具有一定相干性的激光照射到光栅表面 20时，激光会发生反射衍射。其中在入射光右边的衍射级次分别为+1、+2、+3，…，对应的左边衍射级次分别为-1、-2、-3，…，如图2所示，各级次光的衍射角为八.Μλ^ = Ercsin--d ·..··· (1)其中，m表示级次，m = 0，士 1，士2，... ；d表示相邻光栅之间的距离，即光栅周期； λ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱正平，李运锋，宋海军，韦学志，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：