本发明专利技术涉及用于气密截断流路(F)的阀门。该阀门具有阀体(1)、阀瓣(5)和驱动装置(7)，阀瓣(5)可借助该驱动装置在开启位置(O)和关闭位置(C)之间被调整。根据本发明专利技术，该阀门具有密封座(30)，该密封座可在接合位置(K)在该阀瓣(5)上与该阀瓣的第一容座(21)接合并能够再次分离并且在停放位置(P)在阀体(1)的停放部(8)内与停放部(8)的第二容座(22)接合并能够再次分离。第一密封件(31)如此安置在密封座(30)上，第一密封件(31)在接合位置(K)和关闭位置(C)气密接触阀座(4)，在第一密封件(31)和设于阀瓣(5)上的闭合面(13)之间存在气密接合。借助第一接合机构(33)，密封座(30)在接合位置(K)上可分离地与阀瓣(5)的第一容座(21)接合。密封座(30)借助第二接合机构(34)在停放位置(P)上可分离地与停放部(8)的第二容座(22)接合。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基本气密截断流路的阀门本专利技术涉及根据权利要求1的前序部分的、用于基本气密截断流路的阀门。这种尤其呈摆动阀(Pendelventil)或滑阀形式的阀门主要被用在真空技术中。从现有技术中公开了上述类型的阀门的许多不同的实施方式并且尤其应用于IC加工、半导体加工或衬底加工领域里的真空室系统，这些加工必须在保护性气氛中在尽量不存在被污染的颗粒的情况下发生。这种真空室系统尤其包括至少ー个设置用来容纳待加工或待生产的半导体元件或衬底的可抽真空的真空室，真空室具有至少ー个真空室开ロ，半导体元件或其它衬底可通过真空室开ロ进送出真空室，这种真空室系统还包括至少ー个用于将真空室抽真空的真空泵。例如，在用于半导体晶片或液晶衬底的加工设备中，高度敏感的半导体元件或液晶元件先后经过多个处理真空室，在处理真空室内，位于处理真空室内的元器件分別借助ー个加工装置被加工。不仅在处理真空室内的加工作业过程中，而且在室与室之间的传输过程中，高度敏感的半导体元件或衬底必须总是处于保护性气氛中，尤其处于排空空气的环境中。为此，一方面采用用于启闭气体供给排出的辅助阀门，另一方面采用用于启闭真空室传输开ロ以便元器件进出的转输阀门。半导体元器件所穿行的真空阀门因为所述应用领域和与之相关的尺寸设定而被称为真空转输阀门，因为其矩形开ロ横截面而也被称为矩形阀门，并且因为其常规工作方式而也被称为滑阀、矩形滑阀或转输滑阀。辅助阀门尤其被用于控制或调整在真空室与真空泵或另ー个真空室之间的气体流动。辅助阀门例如位于在处理真空室或转送室和真空泵、气氛或另ー处理真空室之间的管系内。这种也称为泵阀门的阀门的开ロ横截面一般小于真空转输阀转输中的开ロ横截面。辅助阀门根据应用领域不仅被用于完全启闭阀ロ，而且被用于通过在完全开启位置和气密关闭位置之间连续调节开ロ横截面来控制或调整流通，其也被称为调整阀。ー种可能的用于控制或调整气体流动的辅助阀门是摆动阀。在例如由US6，089，537 (Olmsted)公开的典型的摆动阀中，在第一歩中，一般呈圆形的阀瓣经过一般同样呈圆形的开ロ从开启开ロ的位置像转子那样转动到遮挡开ロ的中间位置。在滑阀的情况下，像例如在US6，416，037 (Geiser)或US6，056，266 (Blecha)中描述的那样，阀瓣及开ロ大多为矩形，并且在第一步中从开启开ロ的位置线性移动到遮挡开 ロ的中间位置。在中间位置上，摆动阀或滑阀的阀瓣处于与包围开ロ的阀座对置间隔的位置上。在第二步中，阀瓣和阀座之间的距离被縮小，从而阀瓣和阀座被均勻地相互压合并且开ロ基本被气密封闭。第二运动优选基本在垂直于阀座的方向上进行。该密封例如可通过设置在阀瓣关闭侧且被压到环绕开ロ的阀座上的密封圈来实现，或者通过在阀瓣关闭侧被压于其上的阀座上的密封圈来实现。通过在第二步中进行的关闭动作，阀瓣和阀座之间的密封圈几乎没有受到会损坏密封圈的剪切力，这是因为在第二步中的阀瓣运动基本垂直于阀座地直线进行。现有技术公开了不同的驱动系统，用于实现在摆动阀时的阀瓣转动和在滑阀时的平行经过开ロ的平移运动和垂直于开ロ的基本平移运动的組合，例如针对摆动阀的US6, 089，537 (Olmsted)和针对滑阀的 US6, 416，037 (Geiser)。US2007/0138424 (Geiser)和 US2007/0138425 (Geiser)公开ー种阀门尤其是摆动阀或滑阀，用于基本气密截断流路。阀门包括具有第一壁的阀体，第一壁具有第一开口和第 ー阀座，还包括具有带有密封圈的关闭侧的阀瓣和至少ー个驱动装置。借助驱动装置，阀瓣可从开启位置基本平行于第一阀座转动或者移动，或者阀瓣和第一阀座之间的垂直间距可如此减小，即，通过密封圈和第一阀座之间的轴向密封接触，该流路在关闭位置上被基本气密地截断。阀瓣包括与驱动装置相连的外盘部和内盘部，外盘部在垂直于第一阀座的方向上固定密封圏，内盘部具有外周面并可相对于外盘部在基本垂直于第一阀座的方向上运动地支承。外周面被密封圈基本气密地内密封封闭。因此，在关闭位置上，压カ差作用在阀瓣上，基本在内盘部上，从而内盘部在竖向上与外盘部无关联地支承在阀体部上，尤其在第一阀座或侧向槽上。还公开了这样的滑阀，其中，关闭密封过程通过唯一的直线运动来进行。该滑阀例如是在不同实施例中描述的楔形阀门或者例如是以产品名称“M0N0VAT系列02和03”已知的且呈矩形内置阀门形式的VAT真空阀门AG公司(瑞士哈格)的转输阀门。这种阀门的结构和工作方式例如在US4, 809，950 (Geiser)和US4, 881，717 (Geiser)中有描述。在现有技术例如US6，629，682B2 (Duelli)中描述了不同的密封装置。适用于密封圈的适当材料例如以商标Viton 已知的弾性密封材料。区分为在真空阀上的动态密封和静态密封。静态密封没有直接參与阀门气密关闭过程。静态密封尤其处于真空阀接头上，即， 例如在真空阀接头和真空阀门与之接合的真空装置如处理室、输送室、真空泵或管路系统之间。静态密封一般承受比动态密封小的机械载荷，这是因为在真空阀安装在真空装置上后作用于密封的力基本是恒定的并且在真空阀完成安装后在较长时间内保持气密接触。此外，它较少遇到在阀体内的或许是侵蚀性的流通介质。对静态密封的化学影响和侵蚀影响一般小于在动态密封中的情況。动态密封尤其用于在阀座和活动的阀门闭锁件如阀瓣之间的气密密封。当阀门操作和气密关闭和又开启时，动态密封承受动态载荷并因而必然遇到一定的机械磨损。此外， 动态密封遇到流过阀门的相当多的介质。这主要在阀门闭锁件的中间位置上是这种情況， 因为在此情况下，该介质直接流过动态密封。为了在阀门闭锁件完全开启时保护动态密封并且不让动态密封直接遇到流通介质，由现有技术公开的真空阀门有的规定了在阀体内的至少部分得到保护的区域，在该区域中，阀门闭锁件可在其完全开启位置上转动离开直接流通区。但如果这样的阀门在这样的位置上工作，即，在该位置上，阀门闭锁件处于在完全开启位置和气密关闭位置之间的中间位置，从而开ロ横截面只被縮小，则动态密封必然遇到流过阀门的介质，結果，因为化学作用以及因为磨蚀而出现动态密封的严重磨损。许多エ艺过程采用了侵蚀性气体如侵蚀性等离子体流，其相当严重地化学侵蚀密封材料。尤其在半导体业领域的蚀刻エ艺或者涂覆エ艺中，侵蚀性气体流过在其中发生蚀刻或涂覆作业的处理真空室借助辅助阀门来调整。作为辅助阀门，优选使用摆动阀。侵蚀性气体流通的调整通过增大或减小阀门的开ロ横截面来进行。在阀门此时处于调整操作的加 ェ过程中，阀门确实被定期调整，但是不需要完全关闭阀门。因为阀瓣以其密封在开启位置和关闭位置之间的中间位置上总是突入阀ロ横截面中并且侵蚀性气体流过阀瓣及其密封，所以在调整操作中阀瓣及其密封都被侵蚀性气体严重化学侵蚀。而在这样的エ艺过程中， 调整操作占阀门使用时间的约95%，关闭操作仅占时间份额的5%。气密关闭此时必须只在维修和清理作业中进行。试验表明，在采用了调整用辅助阀门的IC加工、半导体加工或衬底加工领域的エ艺过程中，阀门调整周期与关闭周期之比约为2000000 50。因此，就是说，阀门此时未被用于气密关闭而是被用于縮小和增大阀ロ横截面的周期的份额占据本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·兰普雷克特，
申请(专利权)人：VAT控股公司，
类型：发明
国别省市：
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