用于CMP垫的聚氨酯组合物及其制造方法技术

基于某些聚醚和聚酯预聚物反应混合物的聚氨酯组合物，其中该组合物用于制造化学机械抛光/平面化(CMP)垫。该CMP垫具有低回弹并可消散不规则能量以及使抛光稳定以实现衬底的改进的均匀性和较低碟形现象。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基于新型组合物的化学机械抛光/平面化垫及其制造方法。具体而言，该CMP垫是衍生自聚醚/聚酯预聚物反应混合物的聚氨酯垫，其中所得垫表现出在高孔隙率下的适中硬度、高抗撕裂性和高阻尼性能。
技术介绍
化学机械平面化，也称作化学机械抛光或CMP，是用于在后续步骤的准备中将加工中的半导体晶片或其它衬底，如光学、磁性类型的衬底的顶面平面化或用于选择性除去材料的技术。该技术与抛光垫一起使用具有腐蚀性和磨蚀性的浆料。半导体技术中的快速进展已导致极大规模集成(VLSI)和超大规模集成(ULSI)电路的出现，从而在半导体衬底中的区域中的较小区域中填装更多器件。较大器件密度要求大的抛光程度和平面度才能实现形成更大量具有当前设计中包含的较小特征的器件所需的更高分辨率平版印刷法。此外，由于其低电阻，越来越多地使用铜作为互连线。通常，使用蚀刻技术将导电(金属)和绝缘体表面平面化。但是，在用作互连线时因其有利性质而合意的某些金属(Au、Ag、Cu)不容易蚀刻，因此需要CMP法。通常，CMP是涉及抛光垫和工件两者的循环运动的动态过程。CMP将除去的表面层的化学转化与转化产物的机械清除相结合。理想地，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·张，D·黄，L·孙，
申请(专利权)人：普莱克斯ST技术有限公司，
类型：发明
国别省市：