单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法技术

一种单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法，由配制Y2BaCuO5先驱粉、配制液相源粉、压制Y2BaCuO5先驱块和液相块、压制支撑块、制备坯体、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明专利技术采用顶部籽晶熔渗生长法，通过添加金属氧化物(Bi2O3粉体和WO3粉体)掺杂成功地引入了第二相纳米粒子Y2Ba4CuBiOx/Y2Ba4CuMOx(M为Bi、W)来形成磁通钉扎中心，简化了粉体制备的工艺、缩短了实验周期、降低了实验成本、提高了超导块材的磁通钉扎能力。采用了Y2O3制备支撑块，在钇钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明专利技术可用于制备钇钡铜氧超导块材，也可用于制备Gd、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高温铜氧化物超导材料
，具体涉及到顶部籽晶熔渗生长工艺制备氧化物掺杂钇钡铜氧超导块材。
技术介绍
单畴铜氧化物高温超导块材(RE-Ba-Cu-Ο，其中RE为稀土元素，如Y、Gd、Nd等) 具有较高的临界温度和临界电流密度，并且在强磁场下具有较强的磁通钉扎能力。这一优势为该类材料在磁悬浮技术方面的应用奠定了基础，特别是在超导磁悬浮轴承、储能飞轮以及超导电机和发电机等研制方面具有良好的应用前景。在制备单畴铜氧化物超导块材的过程中，应用较多的工艺主要有两种，一种是传统的顶部籽晶熔融织构生长工艺，另一种是最近几年发展起来的顶部籽晶熔渗生长工艺。自从顶部籽晶熔渗生长工艺被专利技术以来，受到了越来越多研究者的注意，因为它可以有效地解决传统熔融织构生长工艺中存在的问题，例如样品的收缩、变形、内部存在大量气孔和宏观裂纹、液相流失严重、IBaCuO5S子的局部偏析等等。但是由于熔渗生长工艺所制备出的超导块材中存在着固有的晶体缺陷，如，晶界间的弱连接、弱的磁通钉扎能力等，这些都制约着超导块材性能的进一步提高；另外，由于顶部籽晶熔渗工艺制备出的超导块材中IBaCuO5粒子的颗粒已经达本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨万民，王妙，李国政，
申请(专利权)人：陕西师范大学，
类型：发明
国别省市：