场发射显示器制造技术

本发明专利技术公开了一种场发射显示器，包括：一底基板；多条阴极，设置于底基板上；一绝缘层，设置于阴极上且具有多个开口，其中该些开口对应阴极；多条阳极，设置于绝缘层上，并与该些阴极排列成一矩阵，其中该些阳极分别具有至少一撞击面；以及多个子画素单元，其分别包括：一发光区，具有一设置于该撞击面上的发光层；以及至少一发射块，对应该发光区且设置于该些开口中，并与该些阴极电性连接且凸出该些开口。据此，本发明专利技术可提高场发射显示器的光利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及场发射显示器，尤指ー种可提高光利用率的场发射显示器。
技术介绍
显示器在人们现今生活中的重要性日益増加，除了使用计算机或因特网外，电视机、手机、个人数字助理(PDA)、数码相机等，均须通过显示器控制来传递信息。相较于传统显像管显示器，新世代的平面显示器具有重量轻、体积小、及符合人体健康的优点，但其视角、亮度、功率消耗等问题仍有改善的空间。在众多新兴的平面显示器技术中，场发射显示器(field emissiondisplay, FED) 不仅拥有传统显像管高画质的优点，且相较于液晶显示器的视角不清、使用温度范围过小、 及反应速度慢的缺点而言，场发射显示器具有高制成率、反应时间迅速、良好的协调显示性能、轻薄构造、宽广视角、工作温度范围大、及良好的偏斜方向辨认性等优点。图1为传统场发射显示器的工作原理示意图。场发射显示器主要包括阴极12、电子发射层14、阳极15、发光层16以与栅极19，其中阳极15及发光层16形成于前基板17上， 而阴极12、电子发射层14与栅极19则设置于底基板11上。据此，于阴极12与栅极19间施加电压时，阴极12与栅极19间将形成电场，遂使电子穿遂(tunnel)效应发生，而电子便由电子发射层14释放出，通过施加于阳极15上的电压，进而可使电子加速撞击发光层16， 激发发光层16放出光线。此外，栅极19可用以精确地控制电子发射的时间及增加电子流的密度，且栅极19与阴极12可通过绝缘层13电性隔离。一般而言，电子发射层14所释出的电子仅能撞击发光层表层161，故发光层表层 161将会是发光效率最高的ー侧，亦即，发光层16所发出的光大部分会局限于装置内部而无法向外发光，另ー方面，由于传统场发射显示器的出光面背对发光层表层161，因此发光层表层161所放出的光必须再穿透发光层16，阳极15及前基板17才能向外发光，其造成的光效率损耗将进一歩降低出光率，故上述传统场发射显示器普遍有发光效率不佳的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种场发射显示器，能提高光利用率，且可解决传统场发射显示器需采用高成本ITO阳极的问题。为达成上述目的，本专利技术提供一种场发射显示器，其包括一底基板；多条阴扱， 设置于该底基板上；ー绝缘层，设置于该些阴极上且具有多个阵列排列的开ロ，其中该些开 ロ对应该些阴极；多条阳极，设置于该绝缘层上，并与该些阴极排列成一矩阵(matrix)，其中该些阳极分别具有至少ー撞击面，且该至少ー撞击面为一斜面或一曲面；以及多个阵列排列的子画素単元，其分別包括ー发光区，具有设置于该至少一撞击面上的发光层；以及至少ー发射块，对应该发光区且设置于该些开口中，并与该些阴极电性连接且凸出该些开 ロ。还详细地说，每ー发光区可与其两侧对应的发射块构成一子画素単元，且多个子画素单元可构成一画素単元，进而形成多个阵列排列的画素単元。本专利技术的场发射显示器还可包括一前基板，设置于该底基板的上方。又，本专利技术的场发射显示器还可包括一支撑单元，设置于该底基板与该前基板之间，且该底基板与该前基板间的区域为ー真空区域。在此，该底基板可为ー绝缘基板，而该前基板可为一透光基板。于本专利技术中，阴极及阳极皆为条状结构，其中阳极横截面举例可为三角形、梯形、 半圆形或弓形等，而其底面积较佳大于顶面积，还佳为阳极纵截面的面积是由顶部往底部递增。尤其，横截面为梯形的阳极还可作为底基板与前基板间的支撑柱。另外，阳极可高于发射块，而发光层可仅设置于阳极侧面的撞击面上，亦即，阳极未对应发射块的顶部可不设有发光层。在此，本专利技术所述的阳极底面积是指阳极面向底基板的底部面积，而阳极顶面积是指阳极面向前基板的顶部面积。此外，本专利技术所述的阳极横截面是指垂直于阳极轴向的截面，而阳极纵截面是指平行于阳极轴向的截面。据此，本专利技术是将阴极、发射块、阳极及发光层皆设置于底基板上，而作为出光面的前基板则位于发光层发光效率最佳(即发光层表层)的该侧。相较于现有出光面位于发光层底层(即出光面背对发光层表层)的传统场发射显示器(发光效率差)，本专利技术的场发射显示器可展现较佳的发光效率，且无需采用高成本的ITO阳极。此外，于本专利技术中，阳极的撞击面较佳由可反射光线的导电材料所构成，使往发光层内部的光可再被阳极的撞击面反射至前基板，以进ー步提高出光率。举例说明，本专利技术的每ー阳极可为一条状部，且该条状部较佳由可反射光线的导电材料所构成；或者，每ー阳极可包括一条状部及一导电层，其中该导电层位于该条状部上，且该导电层较佳由可反射光线的导电材料所构成，而条状部则可为中空或由导电或非导电材料所构成。据此，本专利技术的阳极不仅作为电极用，其亦具有反射光线的功能，以进ー步提高本专利技术场发射显示器的光利用率。于本专利技术中，每ー发射块可包括ー导电凸块及ー电子发射层，该导电凸块与该阴极电性连接，而该电子发射层位于该导电凸块表面。在此，该导电凸块的材料并无特殊限制，其可为任何现有适用的导电材料，而该导电凸块的形状亦无特殊限制，其可为矩形块、 圆柱状等等。此外，本专利技术电子发射层的材料并无特殊限制，其可为任何现有适用的电子发射材料，如纳米碳材(纳米碳管、纳米碳壁等)。于本专利技术中，发光层的材料并无特殊限制，其可使用任何现有适用的荧光粉、磷光粉材料；此外，该些发光区可为多个放出不同光色的发光区(如红色发光区、蓝色发光区及绿色发光区)，以达到彩色显像的效果。综上所述，本专利技术将所有主要作动元件(即阴极、发射块、阳极及发光层)设置于底基板上，而作为出光面的前基板则位于发光层发光效率最佳(即发光层表层)的该侧。相较于现有出光面位于发光层底层(即出光面背对发光层表层)的传统场发射显示器(发光效率差)，本专利技术的场发射显示器可展现较佳的发光效率。尤其，本专利技术的阳极撞击面还可由具有反射效果的导电材料所构成，使往发光层内部的光可再被阳极的撞击面反射至前基板，以进ー步提高出光率。此外，本专利技术可解决传统场发射显示器需采用高成本ITO阳极的问题。附图说明图1为传统场发射显示器的工作原理示意图； 图2A为本专利技术一较佳实施例的场发射显示器剖视图； 图2B为沿着图2A的AA’联机所得的俯视图； 图3为本专利技术另ー较佳实施例的场发射显示器剖视图较佳实施例的场发射显示器剖视图较佳实施例的场发射显示器剖视图较佳实施例的场发射显示器剖视图较佳实施例的场发射显示器剖视图,图4为本专利技术另图5为本专利技术另图6为本专利技术另图7为本专利技术另主要元件符号说明12,22, Al, A2, A3 13,23 14,24215,25, Bi, B2, B3, B416,261611911,21阴极绝缘层电子发射层阳极发光层发光伝表fe 栅极低基板24，Cll, C12, C13, C21, C22, C23，发射块 C31，C32, C33241251252 17,27 28Y R P2PR2, PB2, PG2 Rl, R2, R3, R4 Bi, B2, B3, B4 Gl, G2, G3, G4导电凸块条状部导电层前基板支撑单元轴向撞击面画素单元子画素单元红色发光区蓝色发光区绿色发光区具体实施例方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟习此技艺的人士可由本说明书所掲示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点与功效。惟需注意的是，以下图式均为简化的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宗翰，罗吉宗，
申请(专利权)人：大同股份有限公司，
类型：发明
国别省市：