【技术实现步骤摘要】
本技术涉及用于制备探测器级锗多晶的专用设备，具体是指一种高纯锗区熔炉用多个中高频加热线圈。
技术介绍
高纯锗多晶是利用现有半导体锗产业生产的区熔锗锭，经过特殊区熔和工艺，制备成的探测器级的12-13N高纯区熔多晶锭，提供拉制探测器级的12-13N高纯锗单晶，开辟我国锗行业中锗系列产品纯度最高端的产品，并为我国核辐射探测领域中的高纯锗探测器自主创新提供技术基础和材料基础。用高纯锗单晶做的Y射线探测器是所有能量分辨率 <0.2%的γ射线探测器中分辨率最好的一种。这种探测器级的锗单晶材料，其净杂质浓度必须小于2X KTcnT3。要想获得如此高纯度的锗单晶，在用通常化学方法提纯到5-6个 9的纯度之后还须分两步进行，第一步是采用特殊的区熔提纯方法得到探测器级锗多晶材料，第二步是采用特殊的拉制单晶方法，得到大体积的高纯锗单晶材料。张文福(天津市众合光电技术有限公司，2005)公开了一种高频加热水平区熔提纯锗的技术。该方案采用水平区熔的方式，通入高纯度的氢，在加热过程中保护锗不被氧化，进而将氧化锗还原成锗，其过程是将锗锭放入外部带有感应加热线圈的石英管内，加热到960...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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