超高纯锗单晶炉坩埚杆制造技术

本实用新型专利技术涉及探测器级的超高纯锗单晶拉制设备，具体是指一种超高纯锗单晶炉坩埚杆，其包括石英坩埚、石英坩埚托以及底部的坩埚杆，所述坩埚杆为高纯石英件，其顶部设坩埚杆顶螺纹，石英坩埚托底部对应设有坩埚托螺纹将石英坩埚托与坩埚杆连接，所述坩埚杆底部连接至炉膛底座。本实用新型专利技术可直接应用于高纯锗单晶炉内，用石英坩埚杆来替代部分金属钼杆，并采用螺纹拧结的方式连接各部件，避免采用金属连接件，尽可能减少或杜绝金属件进入单晶炉膛内，防止金属件受炉膛内高温区及电源的中高频的影响而散发杂质影响单晶纯度。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及探测器级的超高纯锗单晶拉制设备，具体是指一种超高纯锗单晶炉坩埚杆。
技术介绍
现有军事国防，科学研究，国民经济各个领域均需要使用高纯锗Y射线、X射线的辐射探测器及其能谱仪进行核辐射的探测，而用高纯锗单晶做的Y射线探测器是所有能量分辨率<0.2%的γ射线探测器中分辨率最好的一种。这种探测器级的锗单晶材料，其净杂质浓度必须小于2Χ101(ι(:πΓ3。要想获得如此高纯度的锗单晶，在用通常化学方法提纯到5 6个9的纯度之后还须分两步进行，第一步是采用特殊的区熔提纯方法得到探测器级锗多晶材料，第二步是采用特殊的拉制单晶方法，得到大体积的高纯锗单晶材料。迄今半导体锗工业生产的锗单晶锭，它一直沿用的直拉法，在太阳能锗锗单晶制备中也有用VGF法的技术和工艺，而且都需要进行掺杂而不追求锗本身的进一步提纯，导致生产出的半导体锗单晶纯度，一般在5-6Ν，最高也可能达到8-9Ν，在半导体锗材料领域里的技术和工艺还达不到12 13Ν的纯度要求，目前国内全部靠进口。申请号为2011202^614. 3，名称为《超高纯锗单晶炉》，以及申请号为 201110180524. X，名称为《超高纯锗单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白尔隽，孙慧斌，赵海歌，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：实用新型
国别省市：