【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及MEMS磁传感器领域,具体是一种十字电流型三轴矢量磁传感器。技术背景地磁导航技术作为一种无源自主导航方法,具有隐蔽性好、抗干扰能力强、成本低的特点,尤其是基于霍尔效应的磁传感器的出现,使其得到迅速的发展,但因磁传感器的精度低、灵敏度差使得地磁导航技术一直只适用于普通导航系统中,对战术级、战略级导航系统的贡献很小。传统的霍尔磁传感器是以Si材料为霍尔半导体,随后因GaAs材料的电子迁移率高,基于GaAs材料的霍尔传感器也相应而生,接着随着高电子迁移率HEMT器件的出现,使得目前基于高电子迁移率异质结的霍尔磁传感器成为研究热点,但其精度、灵敏度仍然无法满足战术级、战略级导航系统的要求。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有磁传感器精度低、灵敏度差的问题,提供了一种十字电流型三轴矢量磁传感器。本专利技术是采用如下技术方案实现的十字电流型三轴矢量磁传感器,包括GaAs衬底、两个基于RTD的竖直型电流霍尔器件以及一个基于HEMT的水平型电流霍尔器件;其是由包括如下步骤的制备方法制得的(一 )在超真空环境下,应用分子束外延技术在GaAs衬底上依次生长如下表1所示参数的HEMT (高电子迁移率三极管)薄膜材料、自停止腐蚀层、以及RTD (共振遂穿二极管)薄膜材料;得到基片;表 权利要求1.十字电流型三轴矢量磁传感器,其特征在于包括GaAs衬底(1)、两个基于RTD的竖直型电流霍尔器件00)以及一个基于HEMT的水平型电流霍尔器件(19);其是由包括如下步骤的制备方法制得的(一)在超真空环境下,应用分子束外延技术在GaAs衬底(1)上依次生长如下表1所示参 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:唐军,刘俊,石云波,张晓明,郭浩,毛宏庆,
申请(专利权)人:中北大学,
类型:发明
国别省市:
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