一种高比表面积、大隧道结构的纳米二氧化锰电极材料的低温制备方法技术

技术编号:7463314 阅读:664 留言:0更新日期:2012-06-26 03:21
一种高比表面积、大隧道结构的纳米二氧化锰电极材料的低温制备方法,制备方法如下:(1)原料组份质量百分比如下:硫酸锰8~13%、过硫酸铵10~17%、硫酸铵70~82%、稀硫酸(质量分数为10~40%)3~10滴;(2)将上述原料均匀混合后溶于80~200mL水中,在60~90℃下于反应釜中反应300~720min后,过滤、烘干,则可得到本发明专利技术的具有结晶度高、隧道结构大、比表面积大、电阻低、循环性能稳定的纳米级MnO2电极材料。本发明专利技术的技术效果是:(1)低温水热法制备的MnO2是纳米材料。(2)低温水热法制备的MnO2具有结晶度高。(3)能制备比表面积大、性能稳定的纳米级二氧化锰,可期用于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:温祖标蔡明中
申请(专利权)人:江西师范大学
类型:发明
国别省市:

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