一种高增益、低旁瓣赋形双偏置格里高利天线的设计方法技术

技术编号:7443460 阅读:384 留言:0更新日期:2012-06-16 23:02
本发明专利技术涉及一种高增益、低旁瓣赋形双偏置格里高利天线的设计方法,涉及射电天文天线和通信天线等技术领域。本发明专利技术提出一种形为的口面场分布函数,为使天线第一旁瓣低于-20dB的同时,达到高效率,调节参数μ、δ的取值范围为0.83≤μ≤0.88、δ=0.5,同心圆环半径R的取值范围为0?≤R≤Rm。通过对天线主、副反射面赋形完成天线主副反射面的设计。本发明专利技术设计的天线具有高增益、低旁瓣、低交叉极化特性等特点,适合用于射电天文望远镜、卫星通信、无线电频谱检测等领域天线的设计。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及,涉及射电天文天线和通信天线等
,适合用于射电天文望远镜、卫星通信、无线电频谱检测等领域天线的设计。
技术介绍
平方公里阵SKA (Square Kilometre Array)将是国际上最大的综合孔径射电望远镜。其接收面积达一平方公里,工作频率覆盖70MHz-25GHz。SKA拟由3300个15米口径抛物面天线和250个直径约60米的AA(Aperture Array)低频孔径阵组成。其中,SKA要求 15米口径抛物面天线的第一旁瓣低于_20dB,效率尽可能高。赋形双偏置天线采用了偏置结构,消除了遮挡,其辐射性能较圆对称有遮挡的双反射面天线更好,但由于天线失去了对称性,导致天线加工成本较高,限制了该天线的广泛应用,因此对该天线的研究较少。对于15米口径天线,庞大的需求数量可以使单个天线的加工成本降低,经过反复研究比较,双偏置格里高利天线是一种较为理想的天线形式。口面场分布函数的选择是双反射面天线赋形的关键问题之一。口面场分布函数对赋形双反射面天线的增益和近轴旁瓣起到决定作用。同时,口面场分布函数又反过来作为天线主、副反射面的赋形主要条件之一。目前口面场分布函数的研究主要是针对圆对称有遮挡的双反射面天线的赋形设计给出的,而双偏置天线为无遮挡结构,需要研究新的口面场分布函数以指导天线的赋形设计,达到SKA的要求。目前,按2011年10月由孙滢翔、杜彪、吴建明发表于《电波科学学报》第二十六卷增刊中《一种双偏置格里高利天线的赋形方法》给出的口面场分布函数对天线进行赋形设计,天线的第一旁瓣低于_20dB,效率为85%,但还不能满足SKA的要求,需要寻找新的口面场分布函数。
技术实现思路
本专利技术的目的在于避免上述
技术介绍
中的不足之处而提供一种新的高增益、低旁瓣赋形双偏置格里高利天线的设计方法,且所设计的天线还具有较好的交叉极化性能,适合用于射电天文望远镜、卫星通信、无线电频谱检测等领域。本专利技术的目的是这样实现的,,其特征在于包括步骤(1)在直角坐标系XOZ平面内设计天线的对称面的主、副反射面曲线;在直角坐标系XOZ平面,即球坐标系Φ =0°或180°平面上,根据馈源的方向图函数和天线口面场分布函数,应用能量守恒定律和等光程条件,对主、副反射面进行赋形设计得到天线对称面的主反射面曲线和副反射面曲线;天线口面场分布函数为权利要求1. ,其特征在于包括步骤(1)在直角坐标系XOZ平面内设计天线的对称面的主、副反射面曲线;在直角坐标系XOZ平面,即球坐标系Φ =0°或180°平面上,根据馈源的方向图函数和天线口面场分布函数,应用能量守恒定律和等光程条件,对主、副反射面进行赋形设计得到天线对称面的主反射面曲线和副反射面曲线;天线口面场分布函数为= cosf^l其中,R为主反射面在辐射方向的投影同心圆环的半径,μ、δ为调节函数曲线形状的调节参数;Rm为主反射面在辐射方向的投影同心圆环的最大半径;(2)对步骤(1)中设计完成的天线对称面副反射面曲线进行构造天线副反射面的矢量函数,得到整个副反射面;构造天线副反射面的标量函数r( θ,φ)其中P 二去2.根据权利要求1所述的, 其特征在于步骤(1)中,调节参数μ、δ的取值范围为0. 83彡μ彡0. 88、δ = 0. 5,同心圆环半径R的取值范围为0彡R彡Rm。全文摘要本专利技术涉及,涉及射电天文天线和通信天线等
本专利技术提出一种形为的口面场分布函数,为使天线第一旁瓣低于-20dB的同时,达到高效率,调节参数μ、δ的取值范围为0.83≤μ≤0.88、δ=0.5,同心圆环半径R的取值范围为0 ≤R≤Rm。通过对天线主、副反射面赋形完成天线主副反射面的设计。本专利技术设计的天线具有高增益、低旁瓣、低交叉极化特性等特点,适合用于射电天文望远镜、卫星通信、无线电频谱检测等领域天线的设计。文档编号H01Q15/16GK102496774SQ20111038823公开日2012年6月13日 申请日期2011年11月30日 优先权日2011年11月30日专利技术者吴建明, 孙滢翔, 杜彪 申请人:中国电子科技集团公司第五十四研究所本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杜彪吴建明孙滢翔
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十四研究所
类型:发明
国别省市:

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