【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造装备，主要涉及。
技术介绍
光刻机是半导体芯片制造中重要的超精密系统型工程设备之一，步进扫描式作为目前主流的光刻技术，其对工件台的运动性能提出更高的要求。工件台的主要作用是在高速和高加速度的条件下承载晶圆实现纳米级定位，完成光刻过程中的上下片、预对准、对准等工序，同时与掩模台配合完成曝光动作。工件台技术对于提高光刻机分辨率、套刻精度和产率具有至关重要的作用。产率是光刻机产业化发展的主要追求目标之一。提高产率采取的措施主要有两种一是增大晶圆直径，提高晶圆利用率；二是提高工件台和掩模台的运动速度，减少单片晶圆的加工时间。目前晶圆直径从150m、200mm逐步增加到了 300mm。在晶圆直径增大的同时，工件台的运动速度和运动加速度也进行了相应的提高。工件台的运动速度和运动加速度的提高对纳米级定位提出更大的考验，对整体性能造成很大影响。为此提出双工件台技术，即在工件台上设定曝光工位和预对准工位，两个硅片台分别位于曝光工位和预对准工位，采用这种方式实现预对准和曝光的同时进行，从而缩短整体时间，提高加工效率。提高双工件台的运行效率是目前光刻机工件台技...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谭久彬，马伟，崔继文，金国良，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：
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