光电元件及其元件基板制造技术

本发明专利技术公开了一种光电元件及其元件基板。元件基板包括一第一基材、一突出部及一第一电极。突出部自第一基材突出。突出部具有实质上对称的类蛾眼结构。突出部的结构周期实质上是100nm至300nm。突出部的高度实质上是50nm至300nm。突出部的顶表面中心朝向第一基材侧的曲率半径实质上是20nm至100nm。第一电极等厚度地覆盖在突出部上，且第一电极具有如突出部的类蛾眼结构。本发明专利技术提供的元件基板对于可见光具有高的穿透率，而对于紫外光具有低的穿透率，使光电元件具有高效能及长寿命的特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电元件及其元件基板，特别是涉及有机太阳电池元件及其元件基板。
技术介绍
有机太阳电池相较于硅基太阳电池具有可卷曲、透明、轻巧及成本低等的优势，因此应用的领域更为广泛。然而，大气中的紫外线会损坏有机太阳电池，致使有机太阳电池有使用寿命短及效能低的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种光电元件及其元件基板。元件基板对于可见光具有高的穿透率，而对于紫外光具有低的穿透率，使光电元件具有高效能及长寿命的特性。根据本专利技术的目的，提出一种光电元件的元件基板。元件基板包括一第一基材、一突出部及一第一电极。突出部自第一基材突出。突出部具有实质上对称的类蛾眼结构。突出部的结构周期实质上是IOOnm至300nm。突出部的高度实质上是50nm至300nm。突出部的顶表面中心朝向第一基材侧的曲率半径实质上是20nm至lOOnm。第一电极等厚度地覆盖在突出部上，且第一电极具有如突出部的类蛾眼结构。所述的光电元件的元件基板，其中，该突出部中底表面中心背向该第一基材侧的曲率半径实质上是20nm至lOOnm。所述的光电元件的元件基板，其中，还包括一第二基材，其中该第二基材与该突出部位于该第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2010.12.03 TW 0991422121.一种光电元件的元件基板，其特征在于，包括一第一基材；一突出部，自该第一基材突出，其中该突出部具有实质上对称的类蛾眼结构；以及一第一电极，等厚度地覆盖在该突出部上，且该第一电极具有如该突出部的类蛾眼结构；其中，该突出部的结构周期实质上是IOOnm至300nm，该突出部的高度实质上是50nm至 300nm，该突出部的顶表面中心朝向该第一基材侧的曲率半径实质上是20nm至lOOnm。2.根据权利要求1所述的光电元件的元件基板，其特征在于，该突出部中底表面中心背向该第一基材侧的曲率半径实质上是20nm至lOOnm。3.根据权利要求1所述的光电元件的元件基板，其特征在于，还包括一第二基材，其中该第二基材与该突出部位于该第一基材的相对侧上。4.根据权利要求3所述的光电元件的元件基板，其特征在于，该第一基材的折射率与该第二基材的折射率实质上相差0至0. 2。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢志玮，郑贵元，周大鑫，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：