上变频器制造技术

本发明专利技术涉及一种混合上变频器，其包括低噪声放大器(LNA)(32)和双端口参量放大器(35)。所述参量放大器(35)包括用于接收待放大并待上变频的输入信号(13)的第一端口(21)、以及用于接收本振信号(7)并以上下边带频率输出放大的上变频信号的第二端口(34)。该参量放大器(35)还包括天线，该天线与所述第二端口(34)耦合以接收所述本振信号(7)并以上下边带频率发射放大的上变频信号。所述低噪声放大器(32)驱动该参量放大器(21)的第一端口。所述双端口参量放大器(35)包括连接在所述第一端口(21)与第二端口(34)之间的一对变容二极管(24、25)。所述二极管(24、25)自第一端口(21)以并联方式而自第二端口(34)以串联方式连接。该低噪声放大器(32)与一对变容二极管(24、25)直接连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种上变频器，尤其适合于在磁共振成像(MRI)中使用。
技术介绍
MRI扫描仪使用强均勻磁场(Btl)(其来自由梯度线圈所产生梯度磁场进行改变的超导磁体)连同旋转磁场(B1)(其来自射频(RF)天线)一起的组合来激励体内产生短期 RF信号的核磁共振，此短期RF信号被接收从而建立断层造影图像。所有当下的MRI扫描仪都采用了安装成极接近于被扫描患者的本地线圈阵列，以用最大可能信噪比(SNR)接收RF。接收来自患者背面信号的本地线圈安装在患者检查台中。用于接收来自患者正面信号的本地线圈布置在被精心置于患者上方的“垫块(mats)” 内。与各垫块相连的是一根柔性电缆，对于每个本地线圈所述软性电缆通常都有一根相应的同轴线。电缆与B1场并且与来自患者所产生的信号相互作用，因而，必须包括呈规则间距(典型为λ/8)的‘阱(traps)’(高阻抗区)。这些增加了结构成本并带来不便。使用中，在扫描一个患者与下一个患者之间连接电缆并对电缆进行消毒的要求， 导致了扫描之间停工期的增加。所以，理想的是排除该电缆。同时待审(co-pending)的专利申请GB0915648. 0、GB0915本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：P科克，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：