【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多片式氢化物气相外延(HVPE)生长半导体材料如GaN基材料方法和装置，为一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统。
技术介绍
以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为主的III-V族氮化物材料(又称GaN基材料) 是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。GaN基材料是直接带隙宽禁带半导体材料， 具有1.9-6. 2eV之间连续可变的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强和高热导率等优越性能，在短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备等方面具有重要的应用，用于制造比如蓝、紫、紫外波段发光器件、探测器件， 高温、高频、高场大功率器件，场发射器件，抗辐射器件，压电器件等。GaN基材料的生长有很多种方法，如金属有机物气相外延(MOCVD)、高温高压合成体GaN单晶、分子束外延(MBE)、升华法以及氢化物气相外延(HVPE)等。由于GaN基材料本身物理性质的限制，GaN体单晶的生长具有很大的困难，尚未实用化。氢化物气相外延由于具有高的生长率和横向-纵向外延比，可用于同质外延生长自支撑GaN衬底，引起广泛地重视和研究...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：修向前，张荣，华雪梅，谢自力，韩平，施毅，顾书林，胡立群，郑有炓，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：
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