一种使能控制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种使能控制电路，本电路包括M1~M11晶体管和反相器INV，其中M1、M6、M7、M8和M9晶体管是PMOS增强型晶体管；M2是N型沟道耗尽型晶体管；M3、M4、M5、M10和M11是NMOS增强型晶体管。其特点在于N型沟道耗尽管的栅源电压恒定为，从而其饱和电流恒定。这样使能输入转折电平在不同的电源电压下都基本相等，克服了传统使能控制电路在不同电源电压下，使能转折电平随着电源电压变化而大幅变化的缺点。并且此发明专利技术电路结构简单，易于实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于模拟集成电路
，具体涉及一种使能控制电路。当输入端电压高于一定值时，开启芯片；低于一定值时，关断芯片。
技术介绍
随着半导体行业飞速发展，各类芯片大量涌现，已经渗透了各个领域和行业，为我们的生活和工作带来了极大的便利。而不管何种类型的芯片，包括数字IC、模拟IC还是复杂的SOC等等，它们往往都需要使能控制信号，根据外部使能信号的大小决定电路的关断或开启，因此使能控制电路的应用十分普遍。因为使能控制电路要控制整个芯片关断或开启，当然也包括一般的偏置电路和基准电路，因此在芯片设计中，无法给使能电路提供偏置电流和基准，同时在不同的电源电压下，使能输入信号的转折电平要尽量相等，以便能方便精确控制；为了防止使能输入信号的抖动导致输出电压变化，使能控制电路应该具有一定的迟滞；而且要求使能控制电路的静态工作电流尽可能低，通常要求为零。以上诸多条件限制和要求使得设计性能优异的使能控制电路难度非常大。目前应用于便携式产品中的传统使能控制电路，其电源电压范围通常在2. 5V飞V 之间，在这个范围内，使能的转折点平通常也会随着电源电压变化而变化，这就降低了使能控制精度。
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张立新，谢凌寒，陈健，易扬波，周飙，李海松，张韬，武家中，
申请(专利权)人：无锡芯朋微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：