一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管，属于半导体技术领域。该氧化锌基肖特基薄膜晶体管包括一栅电极，一栅绝缘介质层，一半导体导电沟道区，一源区和一漏区，所述栅电极位于玻璃或者塑料衬底之上，所述栅绝缘介质层位于玻璃和栅电极之上，所述半导体导电沟道层位于覆盖栅电极的栅介质之上，面积小于栅介质面积。所述源区和漏区在沟道区两端并与沟道区相交叠，所述源区和漏区的金属接触为肖特基金-半接触，并且源区和漏区的金属使用的材料不同，在氧化锌薄膜晶体管的源端形成高肖特基势垒，漏端形成低肖特基势垒。本发明专利技术可以有效地降低氧化锌薄膜晶体管的关态电流并提高开态电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氧化锌基薄膜晶体管结构及其制造方法，属于半导体

技术介绍
透明电子学(transparent electronics)是关于透明电子材料、透明器件以及透明电路的研究，是当前半导体
前沿的研究热门课题之一。21世纪以来，透明电子材料受到国内外科研人员的高度关注，由于其在手机、电视、计算机、复印机、液晶显示、太阳能电池、触摸屏、薄膜晶体管、有机发光二极管、柔性显示、电子纸等诸多领域都有极其可观的应用前景。科学家们预测透明电子学将开创一个新的电子工业时代，透明电子产品也将发展成为一个效率更高、价格更便宜、携带更方便的新兴电子行业。透明电子学在各种新型光/电子产品的研究和应用对开创新型工业、增加就业机会以及提供更有效更经济的消费品方面都将有重大影响。目前，透明电子学研究最多的就是氧化锌薄膜晶体管。薄膜晶体管主要的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体沟道层、栅介质层和金属电极层。薄膜晶体管是在衬底上沉积一层半导体薄膜当做导电沟道层。目前使用的TFT大部份是氢化非晶硅 (a-Si:H)薄膜晶体管，因为它的能带小，因此TFT大多是不透明的。非晶硅薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩德栋，王漪，张盛东，孙雷，张韬，任奕成，康晋锋，刘晓彦，韩汝琦，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：